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半導體發(fā)光二極管講義-資料下載頁

2025-05-12 20:53本頁面
  

【正文】 lGaN:Mg Barrier GaN Well InGaN PGaN:Mg 金屬電極 nAlGaN:Si 金屬電極 量子阱 ( 2)芯片制備: South China Normal University 光刻 刻蝕 鍍膜 光刻 、 刻蝕 合金 鍍膜 鍍膜 光刻 、 刻蝕 合金 光刻 、 刻蝕 外延片 工序: 光刻、刻蝕、鍍膜、合金、劃片(切割)、裂片、分選 設備: 光刻機、刻蝕機、電子束蒸發(fā)臺(鍍膜機)、合金爐、磨片機、劃片機、裂片機、 芯片分選設備 制備環(huán)節(jié)多,各環(huán)節(jié)的穩(wěn)定性,成品率對于規(guī)?;? 產(chǎn)極為重要。 South China Normal University 增加外量子效率:厚的窗口層及透明基板 South China Normal University 表面編織 South China Normal University 改變芯片幾何形狀 South China Normal University 采用光子晶體技術 South China Normal University ( 3)、 LED封裝: 工序:裝架、 鍵合、封裝、 等 國內絕大數(shù)公司從事 LED封裝和應用產(chǎn)品生產(chǎn) 外延片生長和芯片制備產(chǎn)業(yè)薄弱
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