【正文】 +ICBO?ICE 后一頁(yè) 前一頁(yè) IB=IBEICBO?IBE 返回 ICE 與 IBE 之比稱(chēng)為共發(fā)射極 直流 電流放大倍數(shù) BCC B OBC B OCBECEIIIIIIII??????C E OBC B OBC II)I(1II ?????__βββ_BC C E O II I_β?，有忽略C E OCB II 0I ??? EI，則若集－射極穿透電流 溫度 ? ? ICEO? 常用公式 后一頁(yè) 前一頁(yè) 返回 特性曲線(xiàn) 指管子各電極電壓與電流的關(guān)系曲線(xiàn)，是管子內(nèi)部載流子運(yùn)動(dòng)的外部表現(xiàn)，反映了晶體管的性能，是分析放大電路的依據(jù)。 為什么要研究特性曲線(xiàn)： 1）直觀地分析管子的工作狀態(tài) 2）合理地選擇偏置電路的參數(shù)，設(shè)計(jì)性能良好的電路 重點(diǎn)討論應(yīng)用最廣泛的共發(fā)射極接法的特性曲線(xiàn) 后一頁(yè) 前一頁(yè) 返回 實(shí)驗(yàn)線(xiàn)路 輸入回路 輸出回路 發(fā)射極是輸入、輸出回路的公共端 EB IC mA ?A V UCE UBE RB IB EC V 共發(fā)射極電路 ? 后一頁(yè) 前一頁(yè) 返回 1. 輸入特性 IB(?A) UBE(V) 20 40 60 80 UCE?1V 常數(shù)?? CEUBEB UfI )(特點(diǎn) : 死區(qū)電壓： 硅管 ， 鍺管 。 工作壓降： 硅 UBE ? ~ 鍺 UBE ? ~。 后一頁(yè) 前一頁(yè) 返回 2. UCE?1V時(shí) ,左 右位置基本不變 3. UCE=0V時(shí) ,集 電結(jié)為正向?qū)? 的二極管 2. 輸出特性 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 當(dāng) UCE 大于一定的數(shù)值時(shí)， IC只與 IB有關(guān)，即IC=?IB。 常數(shù)?? BICEC UfI )(后一頁(yè) 前一頁(yè) 此區(qū)域滿(mǎn)足 IC=?IB 稱(chēng)為線(xiàn)性區(qū) (放大區(qū) )，具有恒流特性。 返回 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A UCE?UBE,集電結(jié)正偏， IB?IC/ ? ， 稱(chēng)為飽和區(qū)。 深度飽和時(shí)硅管 UCES? 此區(qū)域中 IC受UCE的影響較大 后一頁(yè) 前一頁(yè) 返回 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此區(qū)域中 : IB= 0,IC =ICEO, UBE 死區(qū)電壓，稱(chēng)為截止區(qū)。 后一頁(yè) 前一頁(yè) 跳轉(zhuǎn) 為可靠截止，常取發(fā)射結(jié)零偏壓或反偏壓。 返回 輸出特性可劃分為三個(gè)區(qū)，分別代表晶體 管的三種工作狀態(tài)。 1） 放大區(qū) (線(xiàn)性區(qū)，具有恒流特性 )放大狀態(tài) IC =?IB ，發(fā)射結(jié)正偏、集電結(jié)反偏。 3）截止區(qū)（晶體管處于截止?fàn)顟B(tài)）開(kāi)關(guān)斷開(kāi) IB=0， IC=ICEO?0， UBE 死區(qū)電壓 發(fā)射結(jié)反偏或零偏、集電結(jié)反偏 。 2） 飽和區(qū) (管子處于飽和導(dǎo)通狀態(tài) )開(kāi)關(guān)閉合 IB?IC/ ? ， UCE?UBE, 發(fā)射結(jié)正偏， 集電結(jié)正偏。 后一頁(yè) 前一頁(yè) 返回 主要參數(shù) 前面的電路中，三極管的發(fā)射極是輸入輸出的公共點(diǎn)，稱(chēng)為 共射接法 。相應(yīng)地還有共基 、共集接法。 直流電流放大系數(shù)： BC___II??1. 電流放大系數(shù) ? ___β 工作于動(dòng)態(tài)的三極管，真正的信號(hào)是疊 加在直流上的交流信號(hào)。基極電流的變化量 為 ?IB，相應(yīng)的集電極電流變化為 ?IC 。 BII C????交流電流放大系數(shù)： 一般小功率三極管 2 0 020 ~_ _ _ ?? ??大功率三極管 10010 ~??后一頁(yè) 前一頁(yè) 返回 例： UCE= V時(shí)， IB=30?A, IC=； IB=45 ?A, IC=。 349030 481___...IIBC ???β480300450 48122β ????? .. ..IIBC??在以后的計(jì)算中，一般作近似處理： ? = ?后一頁(yè) 前一頁(yè) 返回 2. 集 基極反向飽和電流 ICBO ?A ICBO是通過(guò)集電結(jié)，由少數(shù)載流子的漂移形成的反向電流，受溫度變化的影響。 ICBO 后一頁(yè) 前一頁(yè) 返回 3. 集 射極穿透電流 ICEO ?A ICEO IB=0 ICEO受溫度影響很大，當(dāng)溫度上升時(shí)， ICEO增加很快，所以 IC也相應(yīng)增加。 三極管的溫度特性較差。 后一頁(yè) 前一頁(yè) 返回 4. 集電極最大允許電流 ICM 5. 集 射極反向擊穿電壓 BU(BR)CEO 集電極電流 IC上升會(huì)導(dǎo)致三極管的 ?值的 下降，當(dāng) ? 值下降到正常值的三分之二時(shí) 的集電極電流即為 ICM。 當(dāng)集 —射極之間的電壓 UCE 超過(guò)一定的數(shù) 值時(shí)，三極管就會(huì)被擊穿。手冊(cè)上給出的數(shù) 值是 25?C、 基極開(kāi)路時(shí)的擊穿電壓 BU (BR) CEO。 后一頁(yè) 前一頁(yè) ( B R ) C E O21 BUEC ?一般取 返回 6. 集電極最大允許耗散功耗 PCM 三極管工作時(shí)消耗的功率為： PC = IC UCE PCM取決于三極管允許的溫升，消耗功率 過(guò)大，溫升過(guò)高會(huì)燒壞三極管。 PC ? PCM 硅 管允許結(jié)溫約為 150?C， 鍺 管允許結(jié)溫約為 70?90?C。 后一頁(yè) 前一頁(yè) 返回 IC UCE ICUCE=PCM ICM U(BR)CEO 安全工作區(qū) 由三個(gè)極限參數(shù)可畫(huà)出三極管的安全工作區(qū) 后一頁(yè) 前一頁(yè) 返回 放大區(qū) 飽和區(qū) 截止區(qū) 晶體管參數(shù)與溫度的關(guān)系 溫度每增加 10?C， ICBO增大一倍。硅管優(yōu) 于鍺管。 溫度每升高 1?C， UBE將減小 (2~)mV， 即晶體管 UBE具有負(fù)溫度系數(shù)。 溫度每升高 1?C， ? 增加 %~%。 后一頁(yè) 前一頁(yè) 返回 某放大電路中，晶體管三個(gè)電極的電流如圖所示。已量出 I1= ， I2= ，I3=。由此可知，此三極管的類(lèi)型為 (NPN或 PNP)；電極 1為 極，電極 2為 極，電極 3為 極。 溫度升高時(shí)，晶體管的共射極輸入特性曲線(xiàn)將 ，輸出特性曲線(xiàn) ，輸出特性曲線(xiàn)之間的間隔將 。 (上移、下移、左移、右移、增大、減小、不變 ) 溫度升高時(shí)，晶體管的電流放大倍數(shù) β將 ，反向飽和電流 ICBO將 ，正向結(jié)電壓 UBE將 。 (增加、減小、不變 )