【正文】 室溫下放置2h，再進行電測試按“4 檢驗測試方法”進行50/1低溫存儲－403℃ 存儲68h。所測得的反向擊穿電壓BVR，在該二極管的標稱值范圍內為合格，否則為不合格。 測小功率晶體管基射極開路時的穿透電流ICE0在測小功率晶體管基極開路時的反向擊穿電壓BVCE0的基礎上，將“階梯作用”轉向“關”狀態(tài)，()。 測達林頓晶體管的共射極電流放大系數(shù)β觀測達林頓晶體管的共發(fā)射極輸出特性曲線IC=6A的直線與放大區(qū)某一特性曲線的交點所對應的IB值，即可粗略地計算出在該工作點對應的共發(fā)射極電流放大系數(shù)β β=（～）IC/IBβ值在該達林頓晶體管的標稱電流放大系數(shù)范圍內為合格，否則為不合格。這些線段的一端在X軸上，另一端連接起來應當是一條平滑的曲線。電工電子產品應用環(huán)境條件 貯存4 檢驗測試設備和測試方法測試設備：DW4824型晶體管特性圖示儀（或QT2型晶體管特性圖示儀等） 測試大功率晶體管專用轉接夾具、插座或裝置 數(shù)字萬用表、不銹鋼鑷子等應手工具晶體管特性圖示儀、數(shù)字萬用必須經檢定合格并且在計量檢定的有效期內。否則為不合格（如圖1b所示）。 達林頓大功率NPN晶體管 主要測試參數(shù)：達林頓晶體管的共射輸出特性曲線達林頓晶體管的飽和壓降BVCES 達林頓晶體管的共射極電流放大系數(shù)β達林頓晶體管的反向擊穿電壓BVCE0測試方法：現(xiàn)將上述特性參數(shù)的測試方法分述如下。否則為不合格（如圖3b所示）。否則為不合格（如圖4b所示）。 檢驗項目及測試方法檢驗項目及測試方法如表5—1所列表5—1 檢驗項目和測試方法器件類別常規(guī)檢驗特殊檢驗檢驗項目檢驗方法AQL抽樣數(shù)Ac/Re抽樣數(shù)Ac/Re二極管外觀目測1251/21000/1電特性參數(shù)12500/11000/1三極管外觀目測1251/21000/1電特性參數(shù)12500/11000/1達林頓管外觀目測1251/21000/1電特性參數(shù)12500/11000/1IGBT外觀目測1251/21000/1電特性參數(shù)12500/11000/1 注：特殊檢驗：是指對于那些經長期考核的質量信得過單位或合格器材供應單位而言的，對于他們供應的器件，已經委托該器材供應單位代為檢驗。8。 抽樣 樣品應按正常檢驗AQL一次抽樣方案，從來料批中隨機抽取。正確連接相應的二極管測試夾具、插座或裝置，檢查連接無誤后，接入待測的二極管，圖示儀即顯示該二極管的VA特性曲線。正確連接相應的NPN晶體管測試夾具、插座或裝置，檢查連接無誤后