半導(dǎo)體二極管、三極管來料檢驗規(guī)程(更新版)
【正文】 12500/11000/1 注：特殊檢驗：是指對于那些經(jīng)長期考核的質(zhì)量信得過單位或合格器材供應(yīng)單位而言的，對于他們供應(yīng)的器件，已經(jīng)委托該器材供應(yīng)單位代為檢驗。 可焊性檢查(槽焊法)以上半導(dǎo)體器件的引出腳都要按下述方法進行可焊性檢查。否則為不合格（如圖4b所示）。接入待測的小功率NPN并使基極懸空，使峰值電壓由0V緩慢增加，觀測在被測小功率晶體管正常工作電壓范圍內(nèi)的集電極電流值IC，此電流就是該小功率晶體管基極開路時的穿透電流ICE0。否則為不合格（如圖3b所示）。 測達林頓晶體管的反向擊穿電壓BVCE0 按附表1“擊穿電壓測試”欄、測達林頓晶體管的要求，調(diào)整晶體管特性圖示儀各選擇開關(guān)的檔位。 達林頓大功率NPN晶體管 主要測試參數(shù)：達林頓晶體管的共射輸出特性曲線達林頓晶體管的飽和壓降BVCES 達林頓晶體管的共射極電流放大系數(shù)β達林頓晶體管的反向擊穿電壓BVCE0測試方法：現(xiàn)將上述特性參數(shù)的測試方法分述如下。 測IGBT的柵極閾值電壓VGE（th）觀測特性曲線與IC=1mA直線的交點所對應(yīng)的VBE電壓值，就是該IGBT在該測試溫度下的柵極閾值電壓VGE（th）。否則為不合格（如圖1b所示）。人員素質(zhì)：能熟練操作使用晶體管特性圖示儀進行各種半導(dǎo)體器件參數(shù)測試，工作態(tài)度嚴(yán)謹(jǐn)、細心，持有檢驗測試操作合格證或許可證。電工電子產(chǎn)品應(yīng)用環(huán)境條件 貯存4 檢驗測試設(shè)備和測試方法測試設(shè)備：DW4824型晶體管特性圖示儀（或QT2型晶體管特性圖示儀等） 測試大功率晶體管專用轉(zhuǎn)接夾具、插座或裝置 數(shù)字萬用表、不銹鋼鑷子等應(yīng)手工具晶體管特性圖示儀、數(shù)字萬用必須經(jīng)檢定合格并且在計量檢定的有效期內(nèi)。該線簇應(yīng)均勻、平滑、無畸變，為合格（如圖1a所示）。這些線段的一端在X軸上，另一端連接起來應(yīng)當(dāng)是一條平滑的曲線。注意：操作人員應(yīng)避免直接接觸高壓電極，并且每測試完一只IGBT的擊穿電壓，都要將“峰值電壓調(diào)節(jié)”旋鈕調(diào)節(jié)回0，以保障人員和設(shè)備安全。 測達林頓晶體管的共射極電流放大系數(shù)β觀測達林頓晶體管的共發(fā)射極輸出特性曲線IC=6A的直線與放大區(qū)某一特性曲線的交點所對應(yīng)的IB值，即可粗略地計算出在該工作點對應(yīng)的共發(fā)射極電流放大系數(shù)β β=（～）IC/IBβ值在該達林頓晶體管的標(biāo)稱電流放大系數(shù)范圍內(nèi)為合格，否則為不合格。該線簇應(yīng)均勻、平滑、無畸變，為合格（如圖3a所示）。 測小功率晶體管基射極開路時的穿透電流ICE0在測小功率晶體管基極開路時的反向擊穿電壓BVCE0的基礎(chǔ)上，將“階梯作用”轉(zhuǎn)向“關(guān)”狀態(tài)，()。該曲線應(yīng)平滑、陡峭、呈指數(shù)變化，為合格（如圖4a所示）。所測得的反向擊穿電壓BVR，在該二極管的標(biāo)稱值范圍內(nèi)為合格，否則為不合格。AQL按表5—1的規(guī)定，檢查水平Ⅱ。室溫下放置2h，再進行電測試按“4 檢驗測試方法”進行50/1低溫存儲－403℃ 存儲6
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