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正文內(nèi)容

半導(dǎo)體二極管、三極管來料檢驗(yàn)規(guī)程(參考版)

2025-07-28 13:57本頁面
  

【正文】 8。附表1 測(cè)試IGBT、功率達(dá)林頓晶體管、小功率NPN/PNP管、1N系列二極管時(shí)晶體管特性圖示儀的開關(guān)檔位常規(guī)測(cè)試輸出特性曲線圖示儀檔位測(cè)IGBT測(cè)達(dá)林頓測(cè)PNP測(cè)NPN測(cè)二極管峰值電壓范圍0~10V0~10V0~10V0~10V0~10V峰值電壓調(diào)節(jié)10V10V10V10V10V掃描極性++-++功耗電阻2或12或1電壓/度1V1V1~2V1~2V電流/度1A1A1~2mA1~2mA10mA階梯作用重復(fù)重復(fù)重復(fù)重復(fù)重復(fù)階梯極性++-+階梯幅度/級(jí)1V1mAX軸電壓UBE1V轉(zhuǎn)移特性峰值電壓范圍0~10V功耗電阻2或1電流/度VBE階梯選擇1mA/級(jí)公共部分階梯幅度/級(jí)20μA/級(jí)20μA/級(jí)測(cè)試選擇測(cè)試測(cè)試測(cè)試測(cè)試常態(tài)/倒置常態(tài)常態(tài)常態(tài)常態(tài)測(cè)量校準(zhǔn)測(cè)量測(cè)量測(cè)量測(cè)量A/B轉(zhuǎn)換A或BA或BA或BA或B階梯作用重復(fù)擊穿電壓測(cè)試峰值電壓范圍0~500V0~500V0~200V*0~200V峰值電壓調(diào)節(jié)0V 0V 0V 0V掃描極性+++-功耗電阻100K100K5K10K電壓/度50V50V2V20V電流/度0 .01mAICE0階梯作用關(guān)備注l 測(cè)試標(biāo)稱穩(wěn)壓值10V以下穩(wěn)壓二極管時(shí),峰值電壓范圍應(yīng)為0~10V,余類推。5% 濕熱條件保持48h,室溫下放置2h,再再進(jìn)行電測(cè)試按“4 檢驗(yàn)測(cè)試方法”進(jìn)行50/1注:表中的“n”為樣品數(shù) 不合格品處理檢驗(yàn)的不合格批,退供應(yīng)部門處理。室溫下放置2h,再再進(jìn)行電測(cè)試按“4 檢驗(yàn)測(cè)試方法”進(jìn)行50/1高低溫沖擊試驗(yàn)125+3℃~-403℃ 2h/每種溫度,10次。表5—2 試驗(yàn)項(xiàng)目與試驗(yàn)方法試驗(yàn)項(xiàng)目試驗(yàn)條件試驗(yàn)方法電性能測(cè)試nAc/Re高溫存儲(chǔ)125+3℃ 存儲(chǔ)68h。一般每種器件應(yīng)取5~10只為宜。此外還要定期抽樣進(jìn)行接收試驗(yàn)。 檢驗(yàn)項(xiàng)目及測(cè)試方法檢驗(yàn)項(xiàng)目及測(cè)試方法如表5—1所列表5—1 檢驗(yàn)項(xiàng)目和測(cè)試方法器件類別常規(guī)檢驗(yàn)特殊檢驗(yàn)檢驗(yàn)項(xiàng)目檢驗(yàn)方法A
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