【正文】 ，接入待測(cè)的小功率NPN晶體管，圖示儀即顯示一簇該小功率NPN晶體管的共發(fā)射極輸出特性曲線。否則為不合格。正確連接相應(yīng)的IGBT測(cè)試夾具、插座或裝置，檢查連接無(wú)誤后，接入待測(cè)的IGBT，圖示儀即顯示一簇該IGBT的輸出特性曲線。測(cè)試準(zhǔn)備：晶體管特性圖示儀每次開(kāi)啟，必須預(yù)熱五分鐘。此時(shí)VBE=VGE（th）。接入待測(cè)的達(dá)林頓晶體管并使基極懸空，使峰值電壓由0V緩慢增加，觀測(cè)特性曲線的形狀及擊穿點(diǎn)電壓VCE，此電壓即為達(dá)林頓晶體管基極開(kāi)路時(shí)的擊穿電壓BVCE0，BVCE0在該達(dá)林頓晶體管的標(biāo)稱擊穿電壓范圍內(nèi)為合格。所測(cè)得的ICE0在該小功率晶體管基射極開(kāi)路時(shí)的穿透電流ICE0的標(biāo)稱范圍內(nèi)，為合格，否則為不合格。 錫槽溫度：235177。室溫下放置2h，再再進(jìn)行電測(cè)試按“4 檢驗(yàn)測(cè)試方法”進(jìn)行50/1濕熱試驗(yàn)溫度40+3℃ 相對(duì)濕度90177。試驗(yàn)項(xiàng)目與試驗(yàn)方法如表5—2所列。所測(cè)得的反向電流I0，在該二極管的標(biāo)稱值范圍內(nèi)為合格，否則為不合格。接入待測(cè)的小功率NPN并使基極懸空，使峰值電壓由0V緩慢增加，觀測(cè)特性曲線的形狀及擊穿點(diǎn)電壓VCE，此電壓即為小功率NPN晶體管基極開(kāi)路時(shí)的擊穿電壓BVCE0，BVCE0在該小功率晶體管的標(biāo)稱擊穿電壓范圍內(nèi)為合格。圖 2 測(cè)達(dá)林頓晶體管的飽和壓降BVCES觀測(cè)達(dá)林頓晶體管的共發(fā)射極輸出特性曲線IC=6A的直線與飽和區(qū)某一特性曲線的交點(diǎn)所對(duì)應(yīng)的VCE值，就是該測(cè)達(dá)林頓晶體管在基極注入電流足夠大且集電極電流IC=6A時(shí)的飽和壓降VCES。正確連接相應(yīng)的IGBT測(cè)試夾具、插座或裝置，檢查連接無(wú)誤后，接入待測(cè)的IGBT，圖示儀即顯示一簇該IGBT的轉(zhuǎn)移特性曲線。2 范圍本規(guī)程適用于本公司常用半導(dǎo)體二極管、三極管、達(dá)林頓晶體管、絕緣柵雙極晶體管（IGBT）來(lái)料檢驗(yàn)和驗(yàn)收。VCES＜。正確連接相應(yīng)的達(dá)林頓晶體管測(cè)試夾具、插座或裝置，檢查連接無(wú)誤后，接入待測(cè)的IGBT，圖示儀即顯示一簇該達(dá)林頓晶體管的共發(fā)射極輸出特性曲線。觀測(cè)到的VCES值在該小功率晶體管的標(biāo)稱飽和壓降范圍內(nèi)為合格，否則為不合格。所測(cè)得的二極管的正向電壓降，在該二極管的標(biāo)稱值范圍內(nèi)為合格，否則為不合格。此外還要定期抽樣進(jìn)行接收試驗(yàn)。附表1 測(cè)試IGBT、功率達(dá)林頓晶體管、小功率NPN/PNP管、1N系列二極管時(shí)晶體管特性圖示儀的開(kāi)關(guān)檔位常規(guī)測(cè)試輸出特性曲線圖示儀檔位測(cè)IGBT測(cè)達(dá)林頓測(cè)PNP測(cè)NPN測(cè)二極管峰值電壓范圍0～10V0～10V0～10V0～10V0～10V峰值電壓調(diào)節(jié)10V10V10V10V10V掃描極性＋＋－＋＋功耗電阻2或12或1電壓/度1V1V1～2V1～2V電流/度1A1A1～2mA1～2mA10mA階梯作用重復(fù)重復(fù)重復(fù)重復(fù)重復(fù)階梯極性＋＋