【正文】 ，接入待測的小功率NPN晶體管，圖示儀即顯示一簇該小功率NPN晶體管的共發(fā)射極輸出特性曲線。否則為不合格。正確連接相應的IGBT測試夾具、插座或裝置，檢查連接無誤后，接入待測的IGBT，圖示儀即顯示一簇該IGBT的輸出特性曲線。測試準備：晶體管特性圖示儀每次開啟，必須預熱五分鐘。此時VBE=VGE（th）。接入待測的達林頓晶體管并使基極懸空，使峰值電壓由0V緩慢增加，觀測特性曲線的形狀及擊穿點電壓VCE，此電壓即為達林頓晶體管基極開路時的擊穿電壓BVCE0，BVCE0在該達林頓晶體管的標稱擊穿電壓范圍內(nèi)為合格。所測得的ICE0在該小功率晶體管基射極開路時的穿透電流ICE0的標稱范圍內(nèi)，為合格，否則為不合格。 錫槽溫度：235177。室溫下放置2h，再再進行電測試按“4 檢驗測試方法”進行50/1濕熱試驗溫度40+3℃ 相對濕度90177。試驗項目與試驗方法如表5—2所列。所測得的反向電流I0，在該二極管的標稱值范圍內(nèi)為合格，否則為不合格。接入待測的小功率NPN并使基極懸空，使峰值電壓由0V緩慢增加，觀測特性曲線的形狀及擊穿點電壓VCE，此電壓即為小功率NPN晶體管基極開路時的擊穿電壓BVCE0，BVCE0在該小功率晶體管的標稱擊穿電壓范圍內(nèi)為合格。圖 2 測達林頓晶體管的飽和壓降BVCES觀測達林頓晶體管的共發(fā)射極輸出特性曲線IC=6A的直線與飽和區(qū)某一特性曲線的交點所對應的VCE值，就是該測達林頓晶體管在基極注入電流足夠大且集電極電流IC=6A時的飽和壓降VCES。正確連接相應的IGBT測試夾具、插座或裝置，檢查連接無誤后，接入待測的IGBT，圖示儀即顯示一簇該IGBT的轉移特性曲線。2 范圍本規(guī)程適用于本公司常用半導體二極管、三極管、達林頓晶體管、絕緣柵雙極晶體管（IGBT）來料檢驗和驗收。VCES＜。正確連接相應的達林頓晶體管測試夾具、插座或裝置，檢查連接無誤后，接入待測的IGBT，圖示儀即顯示一簇該達林頓晶體管的共發(fā)射極輸出特性曲線。觀測到的VCES值在該小功率晶體管的標稱飽和壓降范圍內(nèi)為合格，否則為不合格。所測得的二極管的正向電壓降，在該二極管的標稱值范圍內(nèi)為合格，否則為不合格。此外還要定期抽樣進行接收試驗。附表1 測試IGBT、功率達林頓晶體管、小功率NPN/PNP管、1N系列二極管時晶體管特性圖示儀的開關檔位常規(guī)測試輸出特性曲線圖示儀檔位測IGBT測達林頓測PNP測NPN測二極管峰值電壓范圍0～10V0～10V0～10V0～10V0～10V峰值電壓調(diào)節(jié)10V10V10V10V10V掃描極性＋＋－＋＋功耗電阻2或12或1電壓/度1V1V1～2V1～2V電流/度1A1A1～2mA1～2mA10mA階梯作用重復重復重復重復重復階梯極性＋＋