半導體二極管、三極管來料檢驗規(guī)程-全文預覽
【正文】 畢用5倍以上的放大鏡檢查，浸漬部位表面應浸潤覆蓋一層光滑的、明亮的焊錫涂層，缺陷比率（例如針孔或出現(xiàn)未浸潤面）不得多于5%，且這些缺陷不得集中在元件的相同部位。 可焊性檢查(槽焊法)以上半導體器件的引出腳都要按下述方法進行可焊性檢查。接入待測的二極管，使峰值電壓由0V緩慢增加，觀測在被測二極管正常工作電壓范圍內(nèi)的反向電流值I0。否則為不合格（如圖4b所示）。 二極管主要測試參數(shù)：二極管的VA特性曲線二極管的正向壓降VF二極管的反向電流I0二極管的反向擊穿電壓BVR 測試方法：現(xiàn)將上述特性參數(shù)的測試方法分述如下。接入待測的小功率NPN并使基極懸空，使峰值電壓由0V緩慢增加，觀測在被測小功率晶體管正常工作電壓范圍內(nèi)的集電極電流值IC，此電流就是該小功率晶體管基極開路時的穿透電流ICE0。 測小功率晶體管基極開路時的反向擊穿電壓BVCE0按附表1“擊穿電壓測試”欄、測小功率NPN晶體管的要求，調(diào)整晶體管特性圖示儀各選擇開關的檔位。否則為不合格（如圖3b所示）。 小功率晶體管 主要測試參數(shù)：小功率晶體管的共發(fā)射極輸出特性曲線小功率晶體管的飽和壓降VCES 小功率晶體管的共射極電流放大系數(shù)β小功率晶體管基極開路時的反向擊穿電壓BVCE0 小功率晶體管基極開路時的穿透電流ICE0測試方法：現(xiàn)將上述特性參數(shù)的測試方法分述如下。 測達林頓晶體管的反向擊穿電壓BVCE0 按附表1“擊穿電壓測試”欄、測達林頓晶體管的要求，調(diào)整晶體管特性圖示儀各選擇開關的檔位。否則為不合格（如圖2b所示）。 達林頓大功率NPN晶體管 主要測試參數(shù)：達林頓晶體管的共射輸出特性曲線達林頓晶體管的飽和壓降BVCES 達林頓晶體管的共射極電流放大系數(shù)β達林頓晶體管的反向擊穿電壓BVCE0測試方法：現(xiàn)將上述特性參數(shù)的測試方法分述如下。 測IGBT的擊穿電壓VCER按附表1“擊穿電壓測試”欄、測IGBT的要求，調(diào)整晶體管特性圖示儀各選擇開關的檔位。 測IGBT的柵極閾值電壓VGE（th）觀測特性曲線與IC=1mA直線的交點所對應的VBE電壓值，就是該IGBT在該測試溫度下的柵極閾值電壓VGE（th）。 測IGBT的轉(zhuǎn)移特性曲線按附表1“常規(guī)測試/轉(zhuǎn)移特性曲線”欄、測IGBT的要求調(diào)整晶體管特性圖示儀各選擇開關的檔位。否則為不合格（如圖1b所示）。 絕緣柵N溝道雙極晶體管IGBT主要測試參數(shù)：IGBT的特性曲線IGBT的飽和壓降VCES IGBT的柵極閾值電壓VGE（th）IGBT的擊穿電壓VCER測試方法： 現(xiàn)將上述特性參數(shù)的測試方法分述如下。人員素質(zhì)：能熟練操作使用晶體管特性圖示儀進行各種半導體器件參數(shù)測試，工作態(tài)度嚴謹、細心，持有檢驗測試操作合格證或許可證。電子元器件來料檢驗規(guī)程（一）半導體晶體管部分1 內(nèi)容本規(guī)程規(guī)定了本公司常用半導體二極管、三極管、達
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