半導(dǎo)體二極管、三極管來料檢驗(yàn)規(guī)程(已修改)
2024-08-11 13:57 本頁面
【正文】 電子元器件來料檢驗(yàn)規(guī)程（一）半導(dǎo)體晶體管部分1 內(nèi)容本規(guī)程規(guī)定了本公司常用半導(dǎo)體二極管、三極管、達(dá)林頓晶體管、絕緣柵雙極晶體管（IGBT）來料檢驗(yàn)的抽樣方式、接收標(biāo)準(zhǔn)、檢驗(yàn)測(cè)試方法和所用測(cè)試儀器等具體要求。2 范圍本規(guī)程適用于本公司常用半導(dǎo)體二極管、三極管、達(dá)林頓晶體管、絕緣柵雙極晶體管（IGBT）來料檢驗(yàn)和驗(yàn)收。3 引用標(biāo)準(zhǔn) 計(jì)數(shù)抽樣檢驗(yàn)程序 第一部分：按接收質(zhì)量限（AQL）檢索的逐批檢驗(yàn)抽樣計(jì)劃GB2421 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 總則 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 試驗(yàn)Cb：恒定濕熱試驗(yàn)方法GB2421 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 試驗(yàn)N：溫度變化試驗(yàn)方法 電工電子產(chǎn)品應(yīng)用環(huán)境條件 貯存4 檢驗(yàn)測(cè)試設(shè)備和測(cè)試方法測(cè)試設(shè)備：DW4824型晶體管特性圖示儀（或QT2型晶體管特性圖示儀等） 測(cè)試大功率晶體管專用轉(zhuǎn)接夾具、插座或裝置 數(shù)字萬用表、不銹鋼鑷子等應(yīng)手工具晶體管特性圖示儀、數(shù)字萬用必須經(jīng)檢定合格并且在計(jì)量檢定的有效期內(nèi)。人員素質(zhì)：能熟練操作使用晶體管特性圖示儀進(jìn)行各種半導(dǎo)體器件參數(shù)測(cè)試，工作態(tài)度嚴(yán)謹(jǐn)、細(xì)心，持有檢驗(yàn)測(cè)試操作合格證或許可證。測(cè)試準(zhǔn)備：晶體管特性圖示儀每次開啟，必須預(yù)熱五分鐘。檢查確認(rèn)圖示儀的技術(shù)狀態(tài)完好方能進(jìn)行測(cè)試。每種器件在測(cè)試前都要做外觀檢查：管腳應(yīng)光潔、明亮，管身標(biāo)志清晰、無劃痕，封裝尺寸應(yīng)符合訂貨要求。 絕緣柵N溝道雙極晶體管IGBT主要測(cè)試參數(shù)：IGBT的特性曲線IGBT的飽和壓降VCES IGBT的柵極閾值電壓VGE（th）IGBT的擊穿電壓VCER測(cè)試方法： 現(xiàn)將上述特性參數(shù)的測(cè)試方法分述如下。 測(cè)IGBT的輸出特性曲線按附表1“常規(guī)測(cè)試/輸出特性曲線”欄、測(cè)IGBT的要求，調(diào)整晶體管特性圖示儀各選擇開關(guān)的檔位。正確連接相應(yīng)的IGBT測(cè)試夾具、插座或裝置，檢查連接無誤后，接入待測(cè)的IGBT，圖示儀即顯示一簇該IGBT的輸出特性曲線。該線簇應(yīng)均勻、平滑、無畸變，為合格（如圖1a所示）。否則為不合格（如圖1b所示）。圖 1 測(cè)IGBT的飽和壓降VCES在特性曲線中選擇VGE=，它與IC==、IC=。VCES＜。否則為不合格。 測(cè)IGBT的轉(zhuǎn)移特性曲線按附表1“常規(guī)測(cè)試/轉(zhuǎn)移特性曲線”欄、測(cè)IGBT的要求調(diào)整晶體管特性圖示儀各選擇開關(guān)的檔位。正確連接相應(yīng)的IGBT測(cè)試夾具、插座或裝置，檢查連接無誤后，接入待測(cè)的IGBT，圖示儀即顯示一簇該IGBT的轉(zhuǎn)移特性曲線。該線簇應(yīng)當(dāng)是一組幅度由小到大的、等間距的豎直線段。這些線段的一端在X軸上，另一端連接起來應(yīng)當(dāng)是一條平滑的曲線。 測(cè)IGBT的柵極閾值電壓VGE（th）觀測(cè)特性曲線與IC=1mA直線的交點(diǎn)所對(duì)應(yīng)的VBE電壓值，就是該IGBT在該測(cè)試溫度下的柵極閾值電壓VGE（th）。此時(shí)VBE=VGE（th）。所測(cè)得的VGE（th）在該IG
公司管理相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號(hào)-1