半導(dǎo)體二極管、三極管來(lái)料檢驗(yàn)規(guī)程-文庫(kù)吧
2025-07-10 13:57 本頁(yè)面
【正文】 BT的標(biāo)稱柵極閾值電壓范圍內(nèi)為合格。否則為不合格。 測(cè)IGBT的擊穿電壓VCER按附表1“擊穿電壓測(cè)試”欄、測(cè)IGBT的要求，調(diào)整晶體管特性圖示儀各選擇開關(guān)的檔位。接入待測(cè)的IGBT并使柵極懸空，使峰值電壓由0V緩慢增加，觀測(cè)特性曲線的形狀及擊穿點(diǎn)電壓，此電壓在該IGBT的標(biāo)稱擊穿電壓范圍內(nèi)為合格。否則為不合格。注意：操作人員應(yīng)避免直接接觸高壓電極，并且每測(cè)試完一只IGBT的擊穿電壓，都要將“峰值電壓調(diào)節(jié)”旋鈕調(diào)節(jié)回0，以保障人員和設(shè)備安全。 達(dá)林頓大功率NPN晶體管 主要測(cè)試參數(shù)：達(dá)林頓晶體管的共射輸出特性曲線達(dá)林頓晶體管的飽和壓降BVCES 達(dá)林頓晶體管的共射極電流放大系數(shù)β達(dá)林頓晶體管的反向擊穿電壓BVCE0測(cè)試方法：現(xiàn)將上述特性參數(shù)的測(cè)試方法分述如下。 測(cè)達(dá)林頓晶體管的共發(fā)射極輸出特性曲線按附表1“常規(guī)測(cè)試/輸出特性曲線”欄、測(cè)達(dá)林頓晶體管的要求，調(diào)整晶體管特性圖示儀各選擇開關(guān)的檔位。正確連接相應(yīng)的達(dá)林頓晶體管測(cè)試夾具、插座或裝置，檢查連接無(wú)誤后，接入待測(cè)的IGBT，圖示儀即顯示一簇該達(dá)林頓晶體管的共發(fā)射極輸出特性曲線。該線簇應(yīng)均勻、平滑、無(wú)畸變，為合格（如圖2a所示）。否則為不合格（如圖2b所示）。圖 2 測(cè)達(dá)林頓晶體管的飽和壓降BVCES觀測(cè)達(dá)林頓晶體管的共發(fā)射極輸出特性曲線IC=6A的直線與飽和區(qū)某一特性曲線的交點(diǎn)所對(duì)應(yīng)的VCE值，就是該測(cè)達(dá)林頓晶體管在基極注入電流足夠大且集電極電流IC=6A時(shí)的飽和壓降VCES。觀測(cè)到的VCES值在該達(dá)林頓晶體管的標(biāo)稱飽和壓降范圍內(nèi)為合格，否則為不合格。 測(cè)達(dá)林頓晶體管的共射極電流放大系數(shù)β觀測(cè)達(dá)林頓晶體管的共發(fā)射極輸出特性曲線IC=6A的直線與放大區(qū)某一特性曲線的交點(diǎn)所對(duì)應(yīng)的IB值，即可粗略地計(jì)算出在該工作點(diǎn)對(duì)應(yīng)的共發(fā)射極電流放大系數(shù)β β=（～）IC/IBβ值在該達(dá)林頓晶體管的標(biāo)稱電流放大系數(shù)范圍內(nèi)為合格，否則為不合格。 測(cè)達(dá)林頓晶體管的反向擊穿電壓BVCE0 按附表1“擊穿電壓測(cè)試”欄、測(cè)達(dá)林頓晶體管的要求，調(diào)整晶體管特性圖示儀各選擇開關(guān)的檔位。接入待測(cè)的達(dá)林頓晶體管并使基極懸空，使峰值電壓由0V緩慢增加，觀測(cè)特性曲線的形狀及擊穿點(diǎn)電壓VCE，此電壓即為達(dá)林頓晶體管基極開路時(shí)的擊穿電壓BVCE0，BVCE0在該達(dá)林頓晶體管的標(biāo)稱擊穿電壓范圍內(nèi)為合格。否則為不合格。注意：操作人員應(yīng)避免直接接觸高壓電極，并且每測(cè)試完一只達(dá)林頓晶體管的反向擊穿電壓，都要將“峰值電壓調(diào)節(jié)”旋鈕調(diào)節(jié)回0，以保障人員和設(shè)備安全。 小功率晶體管 主要測(cè)試參數(shù)：小功率晶體管的共發(fā)射極輸出特性曲線小功率晶體管的飽和壓降VCES 小功率晶體管的共射極電流放大系數(shù)β小功率晶體管基極開路時(shí)的反向擊穿電壓BVCE0 小功率晶體管基極開路時(shí)的穿透電流ICE0測(cè)試方法：現(xiàn)將上述特性參數(shù)的測(cè)試方法分述如下。 測(cè)小功率晶體管的共發(fā)射極輸出特性曲線
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