半導體二極管、三極管來料檢驗規(guī)程-文庫吧
2025-07-10 13:57 本頁面
【正文】 BT的標稱柵極閾值電壓范圍內(nèi)為合格。否則為不合格。 測IGBT的擊穿電壓VCER按附表1“擊穿電壓測試”欄、測IGBT的要求，調整晶體管特性圖示儀各選擇開關的檔位。接入待測的IGBT并使柵極懸空，使峰值電壓由0V緩慢增加，觀測特性曲線的形狀及擊穿點電壓，此電壓在該IGBT的標稱擊穿電壓范圍內(nèi)為合格。否則為不合格。注意：操作人員應避免直接接觸高壓電極，并且每測試完一只IGBT的擊穿電壓，都要將“峰值電壓調節(jié)”旋鈕調節(jié)回0，以保障人員和設備安全。 達林頓大功率NPN晶體管 主要測試參數(shù)：達林頓晶體管的共射輸出特性曲線達林頓晶體管的飽和壓降BVCES 達林頓晶體管的共射極電流放大系數(shù)β達林頓晶體管的反向擊穿電壓BVCE0測試方法：現(xiàn)將上述特性參數(shù)的測試方法分述如下。 測達林頓晶體管的共發(fā)射極輸出特性曲線按附表1“常規(guī)測試/輸出特性曲線”欄、測達林頓晶體管的要求，調整晶體管特性圖示儀各選擇開關的檔位。正確連接相應的達林頓晶體管測試夾具、插座或裝置，檢查連接無誤后，接入待測的IGBT，圖示儀即顯示一簇該達林頓晶體管的共發(fā)射極輸出特性曲線。該線簇應均勻、平滑、無畸變，為合格（如圖2a所示）。否則為不合格（如圖2b所示）。圖 2 測達林頓晶體管的飽和壓降BVCES觀測達林頓晶體管的共發(fā)射極輸出特性曲線IC=6A的直線與飽和區(qū)某一特性曲線的交點所對應的VCE值，就是該測達林頓晶體管在基極注入電流足夠大且集電極電流IC=6A時的飽和壓降VCES。觀測到的VCES值在該達林頓晶體管的標稱飽和壓降范圍內(nèi)為合格，否則為不合格。 測達林頓晶體管的共射極電流放大系數(shù)β觀測達林頓晶體管的共發(fā)射極輸出特性曲線IC=6A的直線與放大區(qū)某一特性曲線的交點所對應的IB值，即可粗略地計算出在該工作點對應的共發(fā)射極電流放大系數(shù)β β=（～）IC/IBβ值在該達林頓晶體管的標稱電流放大系數(shù)范圍內(nèi)為合格，否則為不合格。 測達林頓晶體管的反向擊穿電壓BVCE0 按附表1“擊穿電壓測試”欄、測達林頓晶體管的要求，調整晶體管特性圖示儀各選擇開關的檔位。接入待測的達林頓晶體管并使基極懸空，使峰值電壓由0V緩慢增加，觀測特性曲線的形狀及擊穿點電壓VCE，此電壓即為達林頓晶體管基極開路時的擊穿電壓BVCE0，BVCE0在該達林頓晶體管的標稱擊穿電壓范圍內(nèi)為合格。否則為不合格。注意：操作人員應避免直接接觸高壓電極，并且每測試完一只達林頓晶體管的反向擊穿電壓，都要將“峰值電壓調節(jié)”旋鈕調節(jié)回0，以保障人員和設備安全。 小功率晶體管 主要測試參數(shù)：小功率晶體管的共發(fā)射極輸出特性曲線小功率晶體管的飽和壓降VCES 小功率晶體管的共射極電流放大系數(shù)β小功率晶體管基極開路時的反向擊穿電壓BVCE0 小功率晶體管基極開路時的穿透電流ICE0測試方法：現(xiàn)將上述特性參數(shù)的測試方法分述如下。 測小功率晶體管的共發(fā)射極輸出特性曲線
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