《極管三極管》ppt課件-全文預覽
【正文】 控制較大功率的 LED開關(guān) 167。 ICM 集電極電流 IC上升會導致三極管的 ?值的下降，當 ?值下降到正常值的三分之二時的集電極電流即為 ICM。 B E C N N P ICBO ICEO= ? IBE+ICBO IBE ? IBE ICBO進入 N區(qū)，形成 IBE。 即： UCE?UBE ， ?IBIC， UCE? (3) 截止區(qū)： UBE 死區(qū)電壓， IB=0 ， IC=ICEO ?0 前面的電路中，三極管的發(fā)射極是輸入輸出的公共點，稱為共射接法，相應地還有共基、共集接法。即： )( CEC UfI ?IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此區(qū)域中 UCE?UBE,集電結(jié)正偏， ?IBIC， UCE?和區(qū)。 輸入特性曲線 是指 UCE為常數(shù)時， IB與 UBE之間的關(guān)系曲線。 B極 C極 ICBO ICN 集電結(jié) 反偏 ，使內(nèi)電場增強，從發(fā)射區(qū)擴散到基區(qū)并到達集電結(jié)邊緣， 數(shù)量極大 的電子， 在內(nèi)電場的作用下，漂移 進集電區(qū)，形成 極大 ICN 。 ICBO 直流 電流放大倍數(shù) PN 結(jié)反向偏置 － － － － + + + + 內(nèi)電場 外電場 N P + _ 內(nèi)電場被加強，多子的擴散受抑制。 ICN 集電結(jié) 反偏 ，有少子發(fā)生漂移 運動，形成極小的 反向電流 ICBO。 發(fā)射結(jié) 集電結(jié) 基極 B E C N N P 發(fā)射極 集電極 + + + + + + + + + + _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ + + + + + + + + + + _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ 基區(qū)： 較薄，摻雜濃度 低 集電區(qū)：面積較大 發(fā)射區(qū)：摻雜濃度較高 集電結(jié) 發(fā)射結(jié) 基極 B C E P P N 集電極 發(fā)射極 + + + + + + + + + + _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ + + + + + + + + + + _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ NPN型 PNP型 基本結(jié)構(gòu) 基區(qū)： 較薄，摻雜濃度 低 集電區(qū)：面積較大 發(fā)射區(qū)：摻雜濃度較高 電流分配和放大原理 B E C N N P EB RB EC IE 基區(qū)空穴向發(fā)射區(qū)的 擴散 形成 IEP 。 反向擊穿電壓 U(BR) 死區(qū)電壓 硅管,鍺管 。 R E 空間電荷區(qū) 變厚 PN 結(jié)處于 截止 狀態(tài) 反向電流 PN 結(jié) 反向偏置 的意思是： P 區(qū)加負、 N 區(qū)加正電壓。 只允許一個方向的電流通過。 P 區(qū)中的空穴， N 區(qū) 中的電子（ 都是多子 ）向?qū)Ψ竭\動（ 擴散運動 ）。 在半導體中由于濃度差別，多數(shù)載流子（多子）從濃度高向濃度低的區(qū)域移動，稱擴散運動 ；形成 擴散電流 。 167。 硅或鍺 +少量磷 ? N型半導體 N型半導體 多余電子 磷原子 硅原子 + N型硅表示 Si P Si Si P型半導體 在硅或鍺晶體中摻入少量的三價元素，如硼（或銦），晶體點陣中的某些半導體原子被雜質(zhì)取代，硼原子的最外層有三個價電子，與相臨的半導體原子形成共價鍵時，產(chǎn)生一個空穴。 +4 +4 +4 +4 在本征半導體中摻入某些微量的雜質(zhì)，就會使半導體的導電性能發(fā)生顯著變化。 在硅和鍺晶體中，每
教學課件相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號-1