《極管三極管》ppt課件-預(yù)覽頁(yè)
【正文】 個(gè)原子與其相臨的原子之間形成 共價(jià)鍵 ，共用一對(duì)價(jià)電子。半導(dǎo)體器件 1 半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識(shí)， P型硅， N型硅 2 PN結(jié)及半導(dǎo)體二極管 3 特殊二極管 4 半導(dǎo)體三極管 5 場(chǎng)效應(yīng)管 本征半導(dǎo)體 現(xiàn)代電子學(xué)中，用的最多的半導(dǎo)體是硅和鍺，它們的最外層電子（價(jià)電子）都是四個(gè)。 完全純凈的、結(jié)構(gòu)完整的半導(dǎo)體晶體，稱為 本征半導(dǎo)體 。 共價(jià)鍵有很強(qiáng)的結(jié)合力，使原子規(guī)則排列，形成晶體。每個(gè)磷原子給出一個(gè)電子，稱為 施主原子 。 硅或鍺 +少量硼 ? P型半導(dǎo)體 空穴 P型半導(dǎo)體 硼原子 P型硅表示 Si Si Si B 硅原子 空穴被認(rèn)為帶一個(gè)單位的正電荷，并且可以移動(dòng) 雜質(zhì)半導(dǎo)體的示意表示法 － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － P型半導(dǎo)體 + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + N型半導(dǎo)體 PN 結(jié)的形成 在同一片半導(dǎo)體基片上，分別制造 P型半導(dǎo)體和 N型半導(dǎo)體，經(jīng)過(guò)載流子的擴(kuò)散，在它們的交界面處就形成了 PN結(jié)。 空間電荷區(qū)， 也稱耗盡層。 － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + 空間電荷區(qū) N型區(qū) P型區(qū) 電位 V V0 。 2. PN結(jié)的單向?qū)щ娦? 空間電荷區(qū)變薄 正向電流 PN 結(jié)處于 導(dǎo)通 狀態(tài) PN 結(jié) 正向偏置 的意思是： P 區(qū)加正、 N 區(qū)加負(fù)電壓。少子漂移加強(qiáng)，但少子數(shù)量有限，只能形成較小的反向電流。 P N P N 符號(hào) 陽(yáng)極 陰極 (2)伏安特性 U I 導(dǎo)通壓降 : 硅管 ~,鍺管 ~。 以使晶體管具有放大作用。 ENEPEN III ???IBN IEN IB=IBN+ IEP IB B E C N N P EB RB EC IE IEP IBN IEN IB=IBN+ IEP IB 集電結(jié) 反偏 ，使內(nèi)電場(chǎng)增強(qiáng)，從發(fā)射區(qū)擴(kuò)散到基區(qū)并到達(dá)集電結(jié)邊緣的電子，在內(nèi)電場(chǎng)的作用下， 漂移 進(jìn)集電區(qū)，形成 ICN 。 基區(qū)空穴向發(fā)射區(qū)的擴(kuò)散形成 IEP 。 反向電流極小，稱反向截止 。 UCE=0V UCE = 死區(qū)電壓： 硅管 ， 鍺管 。 輸出特性曲線 是指 IB 為常數(shù)時(shí)， IC與 UCE之間的關(guān)系曲線。 即： IC=?IB , 且 ?IC = ? ? IB (2) 飽和區(qū)： 發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)正偏。 基極反向截止電流 ICBO ?A ICBO ICBO是集電結(jié)反偏由少子的漂移形成的反向電流，受溫度的變化影響。 三極管的溫度特性較差 。 6. 集電極最大允許功耗 PCM ? 集電極電流 IC 流過(guò)三極管， 所發(fā)出的焦耳 熱為： PC =ICUCE ? 必定導(dǎo)致結(jié)溫 上升，所以 PC 有限制。 （ 2）穩(wěn)壓二極管的特性曲線及穩(wěn)壓計(jì)算
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