半導(dǎo)體二極管、三極管來(lái)料檢驗(yàn)規(guī)程(編輯修改稿)
2024-08-21 13:57 本頁(yè)面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 按附表1“常規(guī)測(cè)試/輸出特性曲線(xiàn)”欄、測(cè)NPN晶體管的要求，調(diào)整晶體管特性圖示儀各選擇開(kāi)關(guān)的檔位。正確連接相應(yīng)的NPN晶體管測(cè)試夾具、插座或裝置，檢查連接無(wú)誤后，接入待測(cè)的小功率NPN晶體管，圖示儀即顯示一簇該小功率NPN晶體管的共發(fā)射極輸出特性曲線(xiàn)。該線(xiàn)簇應(yīng)均勻、平滑、無(wú)畸變，為合格（如圖3a所示）。否則為不合格（如圖3b所示）。PNP晶體管NPN晶體管圖 3 測(cè)小功率晶體管的飽和壓降BVCES 觀測(cè)小功率NPN晶體管的共發(fā)射極輸出特性曲線(xiàn)IC=10mA的直線(xiàn)與飽和區(qū)某一特性曲線(xiàn)的交點(diǎn)所對(duì)應(yīng)的VCE值，就是該小功率NPN晶體管在基極注入電流足夠大且集電極電流IC=10mA時(shí)的飽和壓降BVCES。觀測(cè)到的VCES值在該小功率晶體管的標(biāo)稱(chēng)飽和壓降范圍內(nèi)為合格，否則為不合格。 測(cè)小功率晶體管的共射極電流放大系數(shù)β 觀小功率NPN晶體管的共發(fā)射極輸出特性曲線(xiàn)IC=10mA的直線(xiàn)與放大區(qū)某一特性曲線(xiàn)的交點(diǎn)所對(duì)應(yīng)的IB值，即可粗略地計(jì)算出在該工作點(diǎn)對(duì)應(yīng)的共發(fā)射極電流放大系數(shù)β β=（～）IC/IBβ值在該小功率NPN晶體管的標(biāo)稱(chēng)電流放大系數(shù)范圍內(nèi)為合格，否則為不合格。 測(cè)小功率晶體管基極開(kāi)路時(shí)的反向擊穿電壓BVCE0按附表1“擊穿電壓測(cè)試”欄、測(cè)小功率NPN晶體管的要求，調(diào)整晶體管特性圖示儀各選擇開(kāi)關(guān)的檔位。接入待測(cè)的小功率NPN并使基極懸空，使峰值電壓由0V緩慢增加，觀測(cè)特性曲線(xiàn)的形狀及擊穿點(diǎn)電壓VCE，此電壓即為小功率NPN晶體管基極開(kāi)路時(shí)的擊穿電壓BVCE0，BVCE0在該小功率晶體管的標(biāo)稱(chēng)擊穿電壓范圍內(nèi)為合格。否則為不合格。 測(cè)小功率晶體管基射極開(kāi)路時(shí)的穿透電流ICE0在測(cè)小功率晶體管基極開(kāi)路時(shí)的反向擊穿電壓BVCE0的基礎(chǔ)上，將“階梯作用”轉(zhuǎn)向“關(guān)”狀態(tài)，()。接入待測(cè)的小功率NPN并使基極懸空，使峰值電壓由0V緩慢增加，觀測(cè)在被測(cè)小功率晶體管正常工作電壓范圍內(nèi)的集電極電流值IC，此電流就是該小功率晶體管基極開(kāi)路時(shí)的穿透電流ICE0。所測(cè)得的ICE0在該小功率晶體管基射極開(kāi)路時(shí)的穿透電流ICE0的標(biāo)稱(chēng)范圍內(nèi)，為合格，否則為不合格。PNP小功率晶體管的測(cè)試方法與此基本相同。只是要按附表1各測(cè)試項(xiàng)目欄中測(cè)NPN晶體管的要求調(diào)整晶體管特性圖示儀各選擇開(kāi)關(guān)的檔位。 二極管主要測(cè)試參數(shù)：二極管的VA特性曲線(xiàn)二極管的正向壓降VF二極管的反向電流I0二極管的反向擊穿電壓BVR 測(cè)試方法：現(xiàn)將上述特性參數(shù)的測(cè)試方法分述如下。 測(cè)二極管的VA特性曲線(xiàn)按附表1“常規(guī)測(cè)試/輸出特性曲線(xiàn)” 欄、測(cè)二極管的要求調(diào)整晶體管特性圖示儀各選擇開(kāi)關(guān)的檔位。正確連接相應(yīng)的二極管測(cè)試夾具、插座或裝置，檢查連接無(wú)誤后，接入待測(cè)的二極管，圖示儀即顯示該二極管的VA特性曲線(xiàn)。該曲線(xiàn)應(yīng)平滑、陡峭、呈指數(shù)變化，為合格（如圖4a所示）。否則為不合格（如圖4b所示）。圖 4 測(cè)二極管的正向電壓降VF對(duì)應(yīng)于特性曲線(xiàn)上標(biāo)稱(chēng)工作電流值的垂
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