半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)及二極管(編輯修改稿)
2025-07-18 08:07 本頁(yè)面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 圖 二極管伏安特性曲線(xiàn) 二極管兩端加正向電壓時(shí) ,就產(chǎn)生正向電流 ,當(dāng)正向電壓較小時(shí) ,正向電流極?。◣缀鯙榱悖?,這一部分稱(chēng)為死區(qū) ,相應(yīng)的 A(A′)點(diǎn)的電壓稱(chēng)為死區(qū)電壓或門(mén)檻電壓 (也稱(chēng)閾值電壓 ),硅管約為 ,鍺管約為 ,如圖中 OA(OA′)段。 當(dāng)正向電壓超過(guò)門(mén)檻電壓時(shí) ,正向電流就會(huì)急劇地增大 ,二極管呈現(xiàn)很小電阻而處于導(dǎo)通狀態(tài) 。 這時(shí)硅管的正向?qū)▔航导s為 ~,鍺管約為 ~,如圖中 AB(A′B′)段 。 二極管兩端加上反向電壓時(shí) 在開(kāi)始很大范圍內(nèi) ,二極管相當(dāng)于非常大的電阻 ,反向電流很小 ,且不隨反向電壓而變化 。 此時(shí)的電流稱(chēng)之為反向飽和電流 IR,見(jiàn)圖中 OC（ OC ）段 。 二極管反向電壓加到一定數(shù)值時(shí) ,反向電流急劇增大 ,這種現(xiàn)象稱(chēng)為反向擊穿 。 此時(shí)對(duì)應(yīng)的電壓稱(chēng)為反向擊穿電壓 ,用 UBR表示 ,如圖中 CD(C′D′)段 。 224 U I 導(dǎo)通壓降 : 硅管 ~,鍺管 ~。 反向擊穿電壓 U(BR) 死區(qū)電壓 硅管,鍺管 。 U I E + 反向漏電流 （很小， ?A級(jí)） 225 三、二極管的參數(shù) 最大整流電流 IF：指二極管長(zhǎng)期運(yùn)行時(shí)允許通過(guò)的最大正向平均電流。 最高反向工作電壓 ： VBD= 189。 VBR （ VBR為反向擊穿電壓。） 極間電容 ：在高頻時(shí)要考慮極間電容。 勢(shì)壘電容 CB在反向偏置時(shí)較大 擴(kuò)散電容 CD在正向偏置時(shí)較大 最高工作頻率 ：指二極管能保持單向?qū)щ娦缘淖畲箢l率。超過(guò)了這個(gè)頻率二極管就失去了單向?qū)щ娦浴? 小知識(shí) :二極管的簡(jiǎn)易測(cè)試 將萬(wàn)用表置于 R 100或 R 1k(Ω)擋 （ R 1擋電流太大 ,用R 10k(Ω)擋電壓太高 ,都易損壞管子 ） 。 如圖所示 表頭( a )( b )＋－黑表棒紅表棒＋－黑表棒紅表棒? ?＋－電池 圖 (a)電阻??； (b)電阻大 227 167。 二極管基本電路及其分析方法 一、四種建模 理想模型 正向偏置時(shí)，管壓降為 0V， 反向偏置時(shí)，電阻為無(wú)窮大。 iD vD iD + vD － 恒壓降模型 正向偏置時(shí)，管壓降為恒定 ,一般為 ， 反向偏置時(shí)，電阻為無(wú)窮大。 iD + vD － iD vD 適用：電源電壓 二極管壓降 適用： iD≥1mA 228 折線(xiàn)模型 認(rèn)為二極管的壓降隨著電流的增加而增加?？捎靡粋€(gè)電池和一個(gè)電阻近似。電池壓降為二極管的門(mén)坎電壓。 DthDD iVvr ??iD vD iD + vD － Vth rD 適用：需考慮到 rD變化時(shí)，輸入電壓不高 229 小信號(hào)模型 在靜態(tài)工作點(diǎn) Q附近工作時(shí)，可以將二極管VI特性看作一條直線(xiàn)，其斜率的倒數(shù)就是二極管小信號(hào)模型的微變電阻。 vD iD △ iD △ vD DDDdDDDdImVdidvreIsiivrTVDv26)1(/?????????+ △ vD _ △ iD rd ID Q 適用：二極管僅在 VI特
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