第4章半導(dǎo)體二極管、三極管和場效應(yīng)管(編輯修改稿)
2025-08-16 10:49 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 工作電壓時的反向電流。反向電流大，說明管子的單向?qū)щ娦圆睿虼朔聪螂娏髟叫≡胶?。反向電流受溫度的影響，溫度越高反向電流越大。硅管的反向電流較小，鍺管的反向電流要比硅管大幾十到幾百倍。 以上均是二極管的直流參數(shù)，二極管的應(yīng)用是主要利用它的單向?qū)щ娦?，主要?yīng)用于整流、限幅、保護(hù)等等。下面介紹兩個交流參數(shù)。 四、二極管的等效電路及應(yīng)用 （一）、理想二極管 特性 uD iD 符號及 等效模型 S S 正偏導(dǎo)通， uD = 0；反偏截止， iD = 0 U(BR) = ? （二）、二極管正向壓降等效電路 uD iD UD(on) uD = UD(on) V (Si) V (Ge) （三）二極管電路的分析方法 構(gòu)成的橋式整流電路在 ui = 15sin?t (V) 作用下輸出 uO 的波形。 (按理想模型 ) O t ui / V 15 RL D1 D4 D2 D3 ui B A uO O t uO/ V 15 3. 參數(shù)估算 1) 整流輸出電壓平均值 )(d)s i n (21 0 O ttUU ??? ???UU ?? ?2) 二極管平均電流 LOOD221RUII ??L RU?3) 二極管最大反向壓 UU DR 2??t o ?t o ?t o ?t o ? 2? 3? ? 2? 3? Im ? ? 2? 2? 3? 3? uO u2 uD iD = iO 22U22UU2??負(fù)載電阻 RL中流過的電流 iO的平均值 IO為 LLOO RURUI ??二極管組成的限幅電路：當(dāng) U》 0且 U》 UR+UD時，二極管 D導(dǎo)通，開關(guān)閉合，輸出電壓 U0=UD+UR。當(dāng) U《 UR+UC時，二極管 D截止，開關(guān)斷開，輸出電壓 U0=U。波形圖如下： 五、 穩(wěn)壓二極管 U I IZ IZmax ?UZ ?IZ 穩(wěn)壓誤差 曲線越陡，電壓越穩(wěn)定。 + UZ 動態(tài)電阻： ZZIUZr ???rz越小，穩(wěn)壓性能越好。 一、結(jié)構(gòu) 二、特性 利用 PN結(jié)的反向擊穿特性實現(xiàn)穩(wěn)壓作用 穩(wěn)壓管反向擊穿后：反向電流變化很大、反向擊穿電壓變化很小 主要參數(shù) 1. 穩(wěn)定電壓 UZ 流過規(guī)定電流時穩(wěn)壓管 兩端的反向電壓值。 2. 穩(wěn)定電流 IZ 越大穩(wěn)壓效果越好， 小于 Imin 時不穩(wěn)壓。 3. 最大工作電流 IZM 最大耗散功率 PZM P ZM = UZ IZM 4. 動態(tài)電阻 rZ rZ = ?UZ / ?IZ 越小穩(wěn)壓效果越好。 幾 ? ? 幾十 ? 5. 穩(wěn)定電壓溫度系數(shù) CT %10 0ZZT ????TUUC一般， UZ 4 V， CTV 0 (為齊納擊穿 )具有負(fù)溫度系數(shù)； UZ 7 V， CTV 0 (為雪崩擊穿 )具有正溫度系數(shù)； 4 V UZ 7 V， CTV 很小。 穩(wěn)壓二極管在工作時應(yīng)反接，并串入一只電阻。 若正向偏置可作為理想二極管正向偏置工作，當(dāng)反向偏置電壓小于 UZ時，穩(wěn)壓管截止。 (c) 當(dāng) UUZ時，穩(wěn)壓管 DZ擊穿穩(wěn)壓。流過穩(wěn)壓管的電流為： 。適當(dāng)選擇參數(shù) RZ的阻值，使流過穩(wěn)壓管的電流在穩(wěn)壓管參數(shù) ——穩(wěn)定電流 IZ和最大電流 IZM之間 ZZ RUUI /）（ ??U 電阻的作用一是起限流作用，以保護(hù)穩(wěn)壓管；其次是當(dāng)輸入電壓或負(fù)載電流變化時，通過該電阻上電壓降的變化，取出誤差信號以調(diào)節(jié)穩(wěn)壓管的工作電流，從而起到穩(wěn)壓作用。 第三節(jié) 雙極型晶體 管 晶體管的結(jié)構(gòu)和類型 晶體管的特性曲線 晶體三極管的主要參數(shù) 晶體管的電流分配關(guān)系和放大作用 溫度對晶體管參數(shù)的影響 晶體三極管 一、結(jié)構(gòu)、符號和分類 N N P 發(fā)射極 E 基極 B 集電極 C 發(fā)射結(jié) 集電結(jié) — 基區(qū) — 發(fā)射區(qū) — 集電區(qū) emitter base collector NPN 型 P P N E B C PNP 型 E C B E C B 分類 ： 按材料分： 硅管、鍺管 按功率分： 小功率管 500 mW 按結(jié)構(gòu)分： NPN、 PNP 按使用頻率分： 低頻管、高頻管 大功率管 1 W 中功率管 ?1 W 二、晶體管電流分配關(guān)系和放大作用 三極管放大的條件 內(nèi)部 條件 發(fā)射區(qū)摻雜濃度高于集電區(qū)，集電區(qū)摻雜濃度高于基區(qū) 基區(qū)薄且摻雜濃度低 集電結(jié)面積大 外部 條件 發(fā)射結(jié)正偏 集電結(jié)反偏 （一）晶
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