半導體二極管及其應用(1)(編輯修改稿)
2024-11-14 12:16 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 － － － － － N型半導體 + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + 擴散運動 內(nèi)電場 E 所以擴散和漂移這一對相反的運動最終達到平衡，相當于兩個區(qū)之間沒有電荷運動，空間電荷區(qū)的厚度固定不變。 19 － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + 空間電荷區(qū) N型區(qū) P型區(qū) 電位 V V0 20 空間電荷區(qū)中沒有載流子。 空間電荷區(qū)中內(nèi)電場阻礙 P中的空穴、 N區(qū) 中的電子（ 都是多子 ）向?qū)Ψ竭\動（ 擴散運動 ）。 P 區(qū)中的電子和 N區(qū)中的空穴（ 都是少 ），數(shù)量有限，因此由它們形成的電流很小。 注意 : 21 二、 PN結的單向?qū)щ娦? PN 結 加上正向電壓 、 正向偏置 的意思都是 ： P 區(qū)加正、 N 區(qū)加負電壓。 PN 結 加上反向電壓 、 反向偏置 的意思都是： P區(qū)加負、 N 區(qū)加正電壓。 22 － － － － + + + + R E PN 結正向偏置 內(nèi)電場 外電場 變薄 P N + _ 內(nèi)電場被削弱，多子的擴散加強能夠形成較大的擴散電流。 23 PN 結反向偏置 － － － － + + + + 內(nèi)電場 外電場 變厚 N P + _ 內(nèi)電場被被加強，多子的擴散受抑制。少子漂移加強，但少子數(shù)量有限，只能形成較小的反向電流。 R E 24 PN結加正向電壓時，呈現(xiàn)低電阻，具有較大的正向擴散電流； PN結加反向電壓時，呈現(xiàn)高電阻，具有很小的反向漂移電流。 由此可以得出結論： PN結具有單向?qū)щ娦浴? 25 3 PN結方程 其中 iD/ mA1 . 00. 5– 0. 5– 1 . 0 0. 50 1 . 0 ?D/VPN結的伏安特性 iD= – IS––)1( /SD D ?? TVveIiIS —— 反向飽和電流 VT —— 溫度的電壓當量 且在常溫下（ T=300K） ?? qkTV TmV 26?26 三、 PN結的反向擊穿 當 PN結的反向電壓增加到一定數(shù)值時，反向電流突然快速增加，此現(xiàn)象稱為 PN結的 反向擊穿。 iDOVBR?D熱擊穿 —— 不可逆 雪崩擊穿 —— 高反壓，碰撞電離 齊納擊穿 —— 較低反壓，場致激發(fā) 電擊穿 ——
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