清華大學模擬電子技術第02章半導體二極管及基本電路37頁-全文預覽
【正文】 稱為溫度的電壓當量 ， k為玻耳茲曼常數(shù)， q 為電子電荷量， T 為熱力學溫度。 動畫 （ 2） PN結加反向電壓 總之： PN結正向電阻小，反向電阻大 —— 單向導電性。內(nèi)電場對多子擴散運動的阻礙增強，擴散電流大大減小。于是 ,內(nèi)電場對多子擴散運動的阻礙減弱，擴散電流加大。 返回 +5+4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +3P型半導體 （空穴型半導體） 在本征半導體中摻入三價的元素（硼） +3空穴 空穴 返回 N型半導體 的多數(shù)載流子為電子 ， 少數(shù)載流子是空穴； P型半導體 的多數(shù)載流子為空穴 ， 少數(shù)載流子是電子 。 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 自由電子 因熱激發(fā)而出現(xiàn)的自由電子和空穴是同時成對出現(xiàn)的，稱為 電子空穴對 。 電導率 —— 與材料單位體積中所含載流子數(shù)有關，載流子濃度越高，電導率越高。 半導體的基本知識 半導體的共價鍵結構 硅 和 鍺 是四價元素 ， 在原子最外層軌道上的四個電子稱為 價電子 。2章 半導體二極管及基本電路 半導體的基本知識 PN結的形成及特性 半導體二極管 特殊二極管 ★ 二極管基本電路分析 半導體的基本知識 本征半導體 、 空穴及其導電作用 雜質(zhì)半導體 根據(jù)物體導電能力 (電阻率 )的不同，劃分為導體、絕緣體和半導體。 半導體的特點： 1）導電能力不同于導體、絕緣體； 2）受外界光和熱刺激時電導率發(fā)生很大變化 —— 光敏元件、熱敏元件； 3）摻進微量雜質(zhì)，導電能力顯著增加 —— 半導體。 載流子 —— 可以自由移動的帶電粒子。 自由電子產(chǎn)生的同時，在其原來的共價鍵中就出現(xiàn)了一個空位，這個空位為 空穴 。 摻入雜質(zhì)的本征半導體稱為 雜質(zhì)半導體 。 內(nèi)電場促使少子漂移 內(nèi)電場阻止多子擴散 因濃度差 多子的擴散運動 由 雜質(zhì)離子 形成空間電荷區(qū) 空間電荷區(qū)形成內(nèi)電場 動畫 + 五價的元素 + 三價的元素 產(chǎn)生多余電子 產(chǎn)生多余空穴 PN結的單向導電性 (1) PN結加正向電壓 外加的正向電壓，方向與 PN結內(nèi)電場方向相反，削弱了內(nèi)電場。 動畫 外加反向電壓 ,方向與 PN結內(nèi)電場方向相同，加強了內(nèi)電場。 在一定的溫度條件下，由本征激發(fā)決定的少子濃度是一定的，故少子形成的漂移電流是恒定的，基本上與所加反向電壓的大小無關 ， 這個電流也稱為 反向飽和電流 。反之電流不能通過。 (1) 正向特性 硅 二極管的死區(qū)電壓 Vth=~， 鍺 二極管的死區(qū)電壓 Vth=~ V左右。
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