半導(dǎo)體二極管及直流穩(wěn)壓電源-在線瀏覽
2025-05-09 01:03本頁面
【正文】 擊穿電壓 2. 二極管的伏安特性 材料 開啟電壓 導(dǎo)通電壓 反向飽和電流 硅 Si ~ 1181。A 27 當 PN結(jié)的反向電壓增加到一定數(shù)值時，反向電流突然快速增加，此現(xiàn)象稱為 PN結(jié)的 反向擊穿。當 PN結(jié)上的功耗使 PN結(jié)發(fā)熱，并超過它的耗散功率時， PN結(jié)將發(fā)生熱擊穿。 二極管的反向擊穿 28 (1) 最大整流電流 IF (2) 反向擊穿電壓 UBR和最大反向工作電壓 UR 二極管反向電流 急劇增加時對應(yīng)的反向 電壓值稱為反向擊穿 電壓 UBR。 二極管長期連續(xù)工 作時，允許通過二 極管的最大整流 電流的平均值。硅二極管的反向電流一般在納安(nA)級；鍺二極管在微安 (?A)級。 ? ?TS e1uUiI??理想開關(guān) 導(dǎo)通時 uD＝ 0截止時 IS＝ 0 理想 二極管 (1)理想模型 晶體二極管的模型 晶體二極管電路的分析方法 31 近似分析中最常用 （ 2）恒壓降模型 導(dǎo)通時 u＝ UD(on) 截止時 IS＝ 0 晶體二極管電路的分析方法 32 （ 3） 折線模型 導(dǎo)通時 △ iD與△ uD成線性關(guān)系 ？ 應(yīng)根據(jù)不同情況選擇不同的等效電路！ 100V？ 5V？ 1V？ 晶體二極管電路的分析方法 33 Q越高， rd越小。 ui=0時直流電源作用 小信號作用 34 ? ?TS e1uUiI??TdDUrI?TdDD2 6 ( m V )( m A )UrII??（室溫下 ) 即 根據(jù) DTsD D Dd D D T Td1 eduUIi i Ir u u U U?? ? ? ??靜態(tài)電流 在 Q點上 35 晶體二極管電路的分析方法 D D D Du V i R??? ?DTDS e1uUiI??聯(lián)立求解 迭代法 RV D+_+_iDVD DuD36 D D D DVu i R??QOiDUDuDIDVD DVD DR負載線 二極管伏安關(guān)系 工作點 RV D+_+_iDVD DuD 晶體二極管電路的分析方法 37 對如圖所示簡單二極管電路，采用不同的簡化模型，得到不同的電路 RV D+_+_uDiDVD DR+_+_VD DUDID（ 1） 理想模型 ，用短路線代替導(dǎo)通的二極管 D D D D0 V , = /U I V R?（ 2） 恒壓降模型 時，用恒壓降模型等效電路代替二極管 D D D( o n )DD0 . 7 V , =VUUIR??RV D+_+_VD DUDIDUD ( o n )(a) 理想模型電路 （ b）恒壓降模型電路 簡單二極管電路 38 （ 3） 折線模型 ，用折線模型等效電路代替二極管 （ c） 折線模型電路 簡單二極管電路 RV D+_+_rDVD DUDIDUt hD D t hD D D DD = , + thVUI U U I rRr ? ??RV D+_+_uDiDVD D 39 討論 ? 判斷二極管工作狀態(tài)的方法？ ? 什么情況下應(yīng)選用二極管的什么等效電路？ 40 解 ： （ 1）理想模型 oiuu?當 ui≤UREF時，二極管截止， 當 uiUREF時，二極管導(dǎo)通 ，o R E F 3 ( V )uU??波形如圖 (b)所示 【 例 】 電路如圖 (a)所示 R=1kΩ,UREF=3V為直流參考電壓源。 630π2 π 3 π 4 π30π2 π 3 π 4 πui/ Vuo/ Vω tω tRV DUR E F+ui－+uo－(a) 限幅電路 (b) 理想模型時的波形 41 解 ： （ 2）恒壓降模型 波形如圖 (d)所示 RV DUR E F+ui－+uo－UD ( o n )63 . 70π2 π 3 π 4 π3 . 70π2 π 3 π 4 πui/ Vuo/ Vω tω toiuu?當 ui≤UREF+UD(on)時，二極管截止， 當 uiUREF+UD(on)時，二極管導(dǎo)通 ， o R EF D ( on )3 ( V )u U U??? ? ?(c) 恒壓降模型 (d) 恒壓降模型時的波形 42 改變電壓值通常為降壓 交流變脈動的直流 減小脈動 直流電源是能量轉(zhuǎn)換電路，將 220V（ 或 380V） 50Hz的 交流電轉(zhuǎn)換為直流電。 10％，且負載有一定的變化范圍。 43 （ 1） 工作原理 u2的正半周， D導(dǎo)通， A→D→ RL→B ， uO= u2 。 2u??1
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