半導體二極管及整流電路-展示頁
2025-01-27 17:25本頁面
【正文】 ? 二極管 U I 死區(qū)電壓 硅管,鍺管 。（擴散運動為多子形成的運動） 少子 數(shù)量有限，因此由它們形成的電流很小。 內(nèi)電場方向 E 外電場方向 R I 2. PN 結(jié)的單向?qū)щ娦? P 區(qū) N 區(qū) 外電場驅(qū)使 P區(qū)的空穴進入空間 電荷區(qū)抵消一部分負空間電荷 N區(qū)電子進入空間電荷區(qū) 抵消一部分正空間電荷 空間電荷區(qū)變窄 擴散運動增強，形 成較大的正向電流 （ 1） 外加正向電壓 P 區(qū) N 區(qū) 內(nèi)電場方向 E R 空間電荷區(qū)變寬 外電場方向 IR （ 2） 外加反向電壓 外電場驅(qū)使空間電荷區(qū)兩側(cè)的空穴和自由電子移走 少數(shù)載流子越過 PN結(jié)形成很小的反向電流 多數(shù)載流子的擴散運動難于進行 空間電荷區(qū)中沒有載流子又稱耗盡層。 結(jié)論 P 區(qū) N 區(qū) 1. PN 結(jié)的形成 用專門的制造工藝在同一塊半導體單晶上 ,形成 P型半導體區(qū)域 和 N型半導體區(qū)域 ,在這兩個區(qū)域的交界處就形成了一個 PN 結(jié)。 近似認為多子與雜質(zhì)濃度相等。 +4 +4 硼原子 填補空位 +3負離子 P 型半導體結(jié)構(gòu)示意圖 電子是少數(shù)載流子 負離子 空穴是多數(shù)載流子 ，其中大部分是摻雜提供的電子，本征半導體中受激產(chǎn)生的電子只占少數(shù)。 磷原子 +4 +5 多余價電子 自由電子 正離子 N 型半導體結(jié)構(gòu)示意圖 少數(shù)載流子 多數(shù)載流子 正離子 在 N型半導中 ,電子是多數(shù)載流子 , 空穴是少數(shù)載流子。 的濃度。 ，載流子的濃度越高。故半導體中有電子和空穴兩 種載流子。 它是共價鍵結(jié)構(gòu)。 在熱力學溫度零度 和沒有外界激發(fā)時 , 本征半導體不導電。比如： 當受外界熱和光的作用時，它的導電能力明顯變化。 另有一類物質(zhì)的導電特性處于導體和絕緣體之間，稱為 半導體 ，如鍺、硅、砷化鎵和一些硫化物、氧化物等。第八章 半導體二極管及整流電路 第二節(jié) 二極管整流電路 第三節(jié) 濾波電路 第四節(jié) 穩(wěn)壓管及穩(wěn)壓電路 第一節(jié) 半導體的導電特性及 PN結(jié) 自然界中很容易導電的物質(zhì)稱為 導體 ，金屬一般都是導體。 有的物質(zhì)幾乎不導電，稱為 絕緣體 ，如橡皮、陶瓷、塑料和石英。 第一節(jié) 半導體的導電特性及 PN結(jié) 半導體的導電機理不同于其它物質(zhì)，所以它具有不同于其它物質(zhì)的特點。 往純凈的半導體中摻入某些雜質(zhì)，會使它的導電能力明顯改變。 把純凈的沒有結(jié)構(gòu)缺陷的半導體單晶 稱為本征半導體。 本征半導體的共價鍵結(jié)構(gòu) 硅原子 價電子 一、半導體的導電特性 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 自由電子 空穴 本征激發(fā) 復合 在常溫下自由電子和空穴的形成 成對出現(xiàn) 成對消失 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 外電場方向 空穴導電的實質(zhì)是共價鍵中的束縛電子依次填補空穴形成電流。 空穴移動方向 電子移動方向 價電子填補空穴 結(jié)論 子，即 自由電子 和 空穴 。因此本征半導體的導電能力越強， 溫度是影響半導體性能的一個重要的外部因素，這是半導體
教學課件相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號-1