半導(dǎo)體二極管及其應(yīng)用(1)-展示頁
2024-10-27 12:16本頁面
【正文】 由施主原子提供的電子，濃度與施主原子相同。 12 一、 N 型半導(dǎo)體 在硅或鍺晶體中摻入少量的五價元素磷（或銻），晶體點陣中的某些半導(dǎo)體原子被雜質(zhì)取代，磷原子的最外層有五個價電子，其中四個與相鄰的半導(dǎo)體原子形成共價鍵，必定多出一個電子，這個電子幾乎不受束縛，很容易被激發(fā)而成為自由電子，這樣磷原子就成了不能移動的帶正電的離子。 P 型半導(dǎo)體： 空穴濃度大大增加的雜質(zhì)半導(dǎo)體，也稱為（空穴半導(dǎo)體）。 雜質(zhì)半導(dǎo)體 在本征半導(dǎo)體中摻入某些微量的雜質(zhì)，就會使半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能發(fā)生顯著變化。 2. 空穴移動產(chǎn)生的電流。 本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力取決于載流子的濃度。 10 溫度越高，載流子的濃度越高。 本征激發(fā)和復(fù)合的過程 9 +4 +4 +4 +4 在其它力的作用下，空穴吸引附近的電子來填補，這樣的結(jié)果相當(dāng)于空穴的遷移，而空穴的遷移相當(dāng)于正電荷的移動，因此可以認(rèn)為空穴是載流子。 游離的部分自由電子也可能回到空穴中去，稱為 復(fù)合， 如圖所示。 、自由電子和空穴 這一現(xiàn)象稱為 本征激發(fā) ， 也稱 熱激發(fā) 。 +4 +4 +4 +4 7 二、本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電機理 在絕對 0度 （ T=0K） 和沒有外界激發(fā)時 ,價電子完全被共價鍵束縛著，本征半導(dǎo)體中沒有可以運動的帶電粒子（即 載流子 ），它的導(dǎo)電能力為 0，相當(dāng)于絕緣體。 形成共價鍵后，每個原子的最外層電子是八個，構(gòu)成穩(wěn)定結(jié)構(gòu)。 它在物理結(jié)構(gòu)上呈單晶體形態(tài) 。 4 本征半導(dǎo)體 —— 化學(xué)成分純凈的半導(dǎo)體 。 本征半導(dǎo)體 一、本征半導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)特點 Ge Si 通過一定的工藝過程，可以將半導(dǎo)體制成 晶體 。 ? 往純凈的半導(dǎo)體中摻入某些雜質(zhì)，會使 它的導(dǎo)電能力明顯改變。 PN結(jié) 導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間的物質(zhì)稱為半導(dǎo)體 ，半導(dǎo)體器件中用的最多的是硅和鍺。1 半導(dǎo)體二極管及其應(yīng)用 2 167。 1 半導(dǎo)體的基本知識 167。 半導(dǎo)體 的特點： ? 當(dāng)受外界熱和光的作用時，它的導(dǎo)電能 力明顯變化。 3 167。 現(xiàn)代電子學(xué)中，用的最多的半導(dǎo)體是硅和鍺，它們的最外層電子（價電子）都是四個。 制造半導(dǎo)體器件的半導(dǎo)體材料的純度要達到 %， 常稱為 “ 九個 9”。 5 硅和鍺的共價鍵結(jié)構(gòu) 共價鍵共 用電子對 +4 +4 +4 +4 +4表示除去價電子后的原子 6 共價鍵中的兩個電子被緊緊束縛在共價鍵中，稱為束縛電子 ，常溫下束縛電子很難脫離共價鍵成為 自由電子 ，因此本征半導(dǎo)體中的自由電子很少，所以本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力很弱。 共價鍵有很強的結(jié)合力，使原子規(guī)則排列，形成晶體。 在常溫下，使一些價電子獲得足夠的能量而脫離共價鍵的束縛，成為 自由電子 ，同時共價鍵上留下一個空位，稱為 空穴 。 8 可見因熱激發(fā)而出現(xiàn)的自由電子和空穴是同時成對出現(xiàn)的，稱為 電子空穴對 。 本征激發(fā)和復(fù)合在一定溫度下會達到 動態(tài)平衡。 本征半導(dǎo)體中存在數(shù)量相等的兩種載流子，即自由電子 和
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