[工學(xué)]ch3半導(dǎo)體二極管及其基本電路(文件)
【正文】 ) 動(dòng)態(tài)電阻 rZ 表示反向擊穿電壓，即穩(wěn)壓管的穩(wěn)定電壓，它是在特定的測(cè)試電流 IZT下得到的電壓值。所以負(fù)載的變化范圍是： Z()O M A XV 5V 0 . 1 1 1 Ω 111 ΩI 4 5 m AL M I NRK? ? ? ?（ ）（ 2） () 5 4 5 2 2 5O M Z O M A XP V I V m A m W? ? ? ?（ 3）負(fù)載開(kāi)路時(shí)，耗散功率最大： ()()5 5 0 2 5 0( ) ( 1 0 5 ) 5 0 2 5 0Z M Z Z M A XR M I Z R M A XP V I V m A m WP V V I V V m A m W? ? ? ?? ? ? ? ? ? 變?nèi)荻O管 （ a）符號(hào) （ b）結(jié)電容與電壓的關(guān)系（縱坐標(biāo)為對(duì)數(shù)刻度） 肖特基二極管 （ a）符號(hào) （ b）正向 VI特性 光電子器件 1. 光電二極管 （ a）符號(hào) （ b）電路模型 （ c）特性曲線(xiàn) 光電子器件 2. 發(fā)光二極管 符號(hào) 光電傳輸系統(tǒng) 光電子器件 3. 激光二極管 （ a）物理結(jié)構(gòu) （ b）符號(hào) {end} 。反向工作 時(shí) PN結(jié)的功率損耗為 PZ= VZ IZ，由 PZM和 VZ可以決定 IZmax。 特殊二極管 齊納二極管 (穩(wěn)壓二極管 ) 利用二極管反向擊穿特性實(shí)現(xiàn)穩(wěn)壓。 解： V1陽(yáng) =－ 6 V， V2陽(yáng) =0 V， V1陰 = V2陰 = － 12 V UD1 = 6V， UD2 =12V ∵ UD2 UD1 ∴ D2 優(yōu)先導(dǎo)通， D1截止。 陽(yáng)極電位高于陰極電位， D接入時(shí)正向?qū)ā? 2．模型分析法應(yīng)用舉例 （ 2）靜態(tài)工作情況分析 V 0D ?V mA 1/DDD ?? RVI理想模型 （ R=10k?） 當(dāng) VDD=10V 時(shí)， mA )( DDDD ??? RVVI恒壓模型 V ?V（硅二極管典型值） 折線(xiàn)模型 V ?V（硅二極管典型值） mA 9 3 DthDDD ????rRVVI?? k V ??? rIVV當(dāng) VDD=1V 時(shí)， （自看） （ a）簡(jiǎn)單二極管電路 （ b）習(xí)慣畫(huà)法 2．模型分析法應(yīng)用舉例 （ 3）限幅電路 電路如圖， R = 1kΩ， VREF = 3V，二極管為硅二極管。 )(11 sDDDD vv ???? VRRivs =Vmsin?t 時(shí)（ VmVDD） , 將 Q點(diǎn)附近小范圍內(nèi)的 VI 特性線(xiàn)性化，得到小信號(hào)模型，即以 Q點(diǎn)為切點(diǎn)的一條直線(xiàn)。 例 電路如圖所示，已知二極管的 VI特性曲線(xiàn)、電源 VDD和電阻 R，求二極管兩端電壓 vD和流過(guò)二極管的電流 iD 。硅二極管的反向電流一般在納安 (nA)級(jí)；鍺二極管在微安 (?A)級(jí)。 (b)面接觸型 二極管的伏安特性 二極管的伏安特性曲線(xiàn)可用下式表示 )1e(/SD D ?? TVIi v鍺二極管 2AP15的 VI 特性 硅二極管 2CP10的 VI 特性 Vth門(mén)坎電壓 (死區(qū)電壓 ) 硅管 正向?qū)▔航? 硅管 二極管的主要參數(shù) (1) 最大整流電流 IF (2) 反向擊穿電壓 VBR和最高反向工作電壓 VRM (3) 反向電流 IR 二極管長(zhǎng)期使用時(shí)，允許流過(guò)二極管的最大正向平均電流。 熱擊穿 ——不可逆 雪崩擊穿
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