[工學(xué)]ch3半導(dǎo)體二極管及其基本電路-免費閱讀
【正文】 rZ =?VZ /?IZ (3)最大耗散功率 PZM (4)最大穩(wěn)定工作電流 IZmax 和最小穩(wěn)定工作電流 IZmin (5)穩(wěn)定電壓溫度系數(shù) ——?VZ 2. 穩(wěn)壓二極管主要參數(shù) 齊納二極管 最大功率損耗取決于 PN結(jié)的面積和散熱等條件。 分析：兩個二極管的陰極接在一起，先斷開二極管，取 B 點作零電位參考點，分析二極管陽極和陰極的電位。 （ a） VI特性 （ b）電路模型 二極管電路的簡化模型分析方法 2．模型分析法應(yīng)用舉例 （ 1）整流電路 (利用二極管理想模型） （ a）電路圖 （ b） vs和 vo的波形 例、電路如圖示，電源 vs為正弦波電壓，試?yán)L出負(fù)載 RL兩端的電壓波形，設(shè)二極管是理想的。 二極管基本電路及其分析方法 簡單二極管電路的圖解分析方法 二極管電路的簡化模型分析方法 簡單二極管電路的圖解分析方法 二極管是一種非線性器件，因而其電路一般要采用非線性電路的分析方法，相對來說比較復(fù)雜，而圖解分析法則較簡單，但前提條件是已知二極管的 V I 特性曲線。 （ a）面接觸型 （ b）集成電路中的平面型 （ c）代表符號 (2) 面接觸型二極管 PN結(jié)面積大，用于工頻大電流整流電路。 (1) PN結(jié)加正向電壓時 ? 低電阻 ? 大的正向擴(kuò)散電流 ? PN結(jié)導(dǎo)通 PN結(jié)的單向?qū)щ娦? 當(dāng)外加電壓使 PN結(jié)中 P區(qū)的電位高于 N區(qū)的電位，稱為加正向電壓 ，簡稱 正偏 ；反之稱為加 反向電壓 ，簡稱 反偏 。 3. 雜質(zhì)對半導(dǎo)體導(dǎo)電性能的影響 雜質(zhì)半導(dǎo)體 摻入雜質(zhì)對本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能有很大的影響，一些典型的數(shù)據(jù)如下 : T=300 K室溫下 ,本征硅的電子和空穴濃度 : n = p = 1010/cm3 1 本征硅的原子濃度 : 1022/cm3 3 以上三個濃度基本上依次相差 106/cm3 。 P型半導(dǎo)體 ——摻入三價雜質(zhì)元素（如硼）的半導(dǎo)體。 所以，溫度對半導(dǎo)體器件性能影響很大。 電子空穴對 ——由本征激發(fā)（熱激發(fā)）而產(chǎn)生的自由電子和空穴對。 半導(dǎo)體的共價鍵結(jié)構(gòu) 硅和鍺的原子結(jié)構(gòu)簡化模型及晶體結(jié)構(gòu) 本征半導(dǎo)體 本征半導(dǎo)體 ——化學(xué)成分純凈的半導(dǎo)體 。 空穴 溫度愈高，晶體中產(chǎn)生的自由電子便愈多。摻入的雜質(zhì)主要是三價或五價元素。 在 P型半導(dǎo)體中 空穴是多數(shù)載流子， 它主要由摻雜形成；自由 電子是少數(shù)載流子， 由熱激發(fā)形成。 多子的擴(kuò)散運動 ? 由 雜質(zhì)離子形成空間電荷區(qū) ? 對于 P型半導(dǎo)體和 N型半導(dǎo)體結(jié)合面，離子薄層形成的 空間電荷區(qū) 稱為 PN結(jié) 。 熱擊穿 ——不可逆 雪崩擊穿 齊納擊穿 電擊穿 ——可逆 PN結(jié)的電容效應(yīng) (1) 擴(kuò)散電容 CD 擴(kuò)散電容示意圖 DdvdQC ?D PN結(jié)的電容效應(yīng) (2) 勢壘電容 CB end DdvdQC ?B 半導(dǎo)體二極管 半導(dǎo)體二極管的結(jié)構(gòu) 二極管的伏安特性 二極管的主要參數(shù) 半導(dǎo)體二極管的結(jié)構(gòu) 在 PN結(jié)上加上引線和封裝，就成為一個二極管。硅二極管的反向電流一般在納安 (nA)級；鍺二極管在微安 (?A)級。 )(11
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