[工學]ch3半導體二極管及其基本電路-預覽頁
【正文】 以上三個濃度基本上依次相差 106/cm3 。此時將在 N型半導體和 P型半導體的結合面上形成如下物理過程 : 因濃度差 ? 空間電荷區(qū)形成內電場 ? 內電場促使少子漂移 ? 內電場阻止多子擴散 最后 ,多子的 擴散 和少子的 漂移 達到 動態(tài)平衡 ， PN結寬度不變。 (1) PN結加正向電壓時 ? 低電阻 ? 大的正向擴散電流 ? PN結導通 PN結的單向導電性 當外加電壓使 PN結中 P區(qū)的電位高于 N區(qū)的電位，稱為加正向電壓 ，簡稱 正偏 ；反之稱為加 反向電壓 ，簡稱 反偏 。 PN結的單向導電性 (3) PN結 VI 特性表達式 其中 PN結的伏安特性 )1e( /SD D ?? TVIi vIS ——反向飽和電流 VT ——溫度的電壓當量 且在常溫下（ T=300K） ?? qkTV TmV 26? PN結的反向擊穿 當 PN結的反向電壓增加到一定數(shù)值時，反向電流突然快速增加，此現(xiàn)象稱為 PN結的 反向擊穿。 （ a）面接觸型 （ b）集成電路中的平面型 （ c）代表符號 (2) 面接觸型二極管 PN結面積大，用于工頻大電流整流電路。 指二極管未被擊穿時 的反向電流值。 二極管基本電路及其分析方法 簡單二極管電路的圖解分析方法 二極管電路的簡化模型分析方法 簡單二極管電路的圖解分析方法 二極管是一種非線性器件，因而其電路一般要采用非線性電路的分析方法，相對來說比較復雜，而圖解分析法則較簡單，但前提條件是已知二極管的 V I 特性曲線。 )1e( DSD ?? TVIi v 二極管電路的簡化模型分析方法 VI 特性的建模 VD:正向導通壓降 硅管 鍺管 二極管電路的簡化模型分析方法 VI 特性的建模 （ 2）恒壓降模型 （ a） VI特性 （ b）電路模型 （ 3）折線模型 （ a） VI特性 （ b）電路模型 ????2 0 01D mAVVrthVDDD riVv th ???DDD rVvi th?? 二極管電路的簡化模型分析方法 VI 特性的建模 （ 4）小信號模型 vs =0 時 , Q點稱為靜態(tài)工作點 ，反映直流時的工作狀態(tài)。 （ a） VI特性 （ b）電路模型 二極管電路的簡化模型分析方法 2．模型分析法應用舉例 （ 1）整流電路 (利用二極管理想模型） （ a）電路圖 （ b） vs和 vo的波形 例、電路如圖示，電源 vs為正弦波電壓，試繪出負載 RL兩端的電壓波形，設二極管是理想的。 則接 D陽極的電位為 6V，接陰極的電位為 12V。 分析：兩個二極管的陰極接在一起，先斷開二極管，取 B 點作零電位參考點，分析二極管陽極和陰極的電位。 直流通路、交流通路、靜態(tài)、動態(tài)等概念，在放大電路的分析中非常重要。 rZ =?VZ /?IZ (3)最大耗散功率 PZM (4)最大穩(wěn)定工作電流 IZmax 和最小穩(wěn)定工作電流 IZmin (5)穩(wěn)定電壓溫度系數(shù) ——?VZ 2. 穩(wěn)壓二極管主要參數(shù) 齊納二極管 最大功率損耗取決于 PN結的面積和散熱
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