[工學(xué)]ch3半導(dǎo)體二極管及其基本電路(存儲(chǔ)版)
【正文】 sDDDD vv ???? VRRivs =Vmsin?t 時(shí)（ VmVDD） , 將 Q點(diǎn)附近小范圍內(nèi)的 VI 特性線性化，得到小信號(hào)模型，即以 Q點(diǎn)為切點(diǎn)的一條直線。 陽(yáng)極電位高于陰極電位， D接入時(shí)正向?qū)ā? 特殊二極管 齊納二極管 (穩(wěn)壓二極管 ) 利用二極管反向擊穿特性實(shí)現(xiàn)穩(wěn)壓。所以負(fù)載的變化范圍是： Z()O M A XV 5V 0 . 1 1 1 Ω 111 ΩI 4 5 m AL M I NRK? ? ? ?（ ）（ 2） () 5 4 5 2 2 5O M Z O M A XP V I V m A m W? ? ? ?（ 3）負(fù)載開路時(shí)，耗散功率最大： ()()5 5 0 2 5 0( ) ( 1 0 5 ) 5 0 2 5 0Z M Z Z M A XR M I Z R M A XP V I V m A m WP V V I V V m A m W? ? ? ?? ? ? ? ? ? 變?nèi)荻O管 （ a）符號(hào) （ b）結(jié)電容與電壓的關(guān)系（縱坐標(biāo)為對(duì)數(shù)刻度） 肖特基二極管 （ a）符號(hào) （ b）正向 VI特性 光電子器件 1. 光電二極管 （ a）符號(hào) （ b）電路模型 （ c）特性曲線 光電子器件 2. 發(fā)光二極管 符號(hào) 光電傳輸系統(tǒng) 光電子器件 3. 激光二極管 （ a）物理結(jié)構(gòu) （ b）符號(hào) {end} 。（ 1）求輸出電壓 vO的交流量和總量；（ 2）繪出 vO的波形。 2．模型分析法應(yīng)用舉例 （ 4）開關(guān)電路 (利用二極管理想模型） 電路如圖所示，求 AO的電壓值 解： 先斷開 D，以 O為零電位參考點(diǎn)， 即 O點(diǎn)為 0V。 Q點(diǎn)稱為電路的 工作點(diǎn) 二極管電路的簡(jiǎn)化模型分析方法 VI 特性的建模 將指數(shù)模型 分段線性化，得到二極管特性的等效模型。 最高反向工作電壓 VRM：為保證二極管不被擊穿而給出的最高反向工作電壓，一般是二極管反向擊穿電壓 VBR的一半。 由此可以得出結(jié)論： PN結(jié)具有單向?qū)щ娦浴? PN結(jié)的形成 PN結(jié)的形成 在一塊本征半導(dǎo)體兩側(cè)通過擴(kuò)散不同的雜質(zhì) ,分別形成 N型半導(dǎo)體和 P型半導(dǎo)體。 提供自由電子的五價(jià)雜質(zhì)原子因帶正電荷而成為 正離子 ，因此五價(jià)雜質(zhì)原子也稱為 施主雜質(zhì) 。在一定溫度下，載流子的產(chǎn)生和復(fù)合達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡，半導(dǎo)體中載流子便維持一定的數(shù)目。 Si Si Si Si 價(jià)電子 價(jià)電子在獲得一定能量（溫度升高或受光照）后，即可掙脫原子核的束縛，成為 自由電子 （帶負(fù)電），同時(shí)共價(jià)鍵中留下一個(gè)空位，稱為 空穴 （帶正電） 。 半導(dǎo)體的基本知識(shí) 半導(dǎo)體二極管 二極管基本電路及其分析方法 特殊二極管 PN結(jié)的形成及特性 半導(dǎo)體的基本知識(shí) 半導(dǎo)體材料 半導(dǎo)體的共價(jià)鍵結(jié)構(gòu) 本征半導(dǎo)體 雜質(zhì)半導(dǎo)體 半導(dǎo)體材料 根據(jù)物體導(dǎo)電能力 (電阻率 )的不同，來劃分導(dǎo)體、絕緣體和半導(dǎo)體。 由于隨機(jī)熱振動(dòng)致使共價(jià)鍵被打破而產(chǎn)生空穴－電子對(duì) 假想成帶一個(gè)正電荷的粒子。 自由電子和 空穴成對(duì)地產(chǎn)生的同時(shí)，又不斷復(fù)合。 在 N型半導(dǎo)體中 自由 電子是多數(shù)載流子， 它主要由雜質(zhì)原子提供； 空穴是少數(shù)載流子 , 由熱激發(fā)形成。 擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)
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