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[工學(xué)]ch3半導(dǎo)體二極管及其基本電路-文庫(kù)吧在線文庫(kù)

  

【正文】 : 由于載流子濃度差引起的載流子的運(yùn)動(dòng)稱為 擴(kuò)散運(yùn)動(dòng) 。 PN結(jié)加正向電壓時(shí),呈現(xiàn)低電阻,具有較大的正向擴(kuò)散電流; PN結(jié)加反向電壓時(shí),呈現(xiàn)高電阻,具有很小的反向漂移電流。 反向擊穿電壓 VBR:二極管被反向擊穿時(shí)的電壓值。 解:由電路的 KVL方程,可得 RVi DDDDv??DDDD11 VRRi ??? v即 是一條斜率為 1/R的直線,稱為 負(fù)載線 Q的坐標(biāo)值( VD, ID)即為所求。分別用理想模型和恒壓降模型求解,當(dāng) vI = 6sin?t V時(shí),繪出相應(yīng)的輸出電壓 vO的波形。 若忽略管壓降,二極管可看作短路, UAB = 0 V D1承受反向電壓為 - 6 V 流過(guò) D2 的電流為 mA43122D ??IB D1 6V 12V 3k? A D2 UAB + – 例、電路如圖所示, 求 UAB的電壓值 2.模型分析法應(yīng)用舉例 ( 6)小信號(hào)工作情況分析 圖示電路中, VDD = 5V, R = 5k?,恒壓降模型的 VD=, vs = ?t V。 環(huán)境溫度每變化 1?C所引起的 穩(wěn)壓值變化的量 3. 穩(wěn)壓電路 正常穩(wěn)壓時(shí) VO =VZ 齊納二極管 例、穩(wěn)壓電路如圖示,若 齊納二極管 Z Z M I N Z M A X1 0 , 1 0 0 Ω , V 5 V I 5 m A I 5 0 m AIV V R? ? ? ? ?( ) ( ), , ,( 1)負(fù)載 RL的變化范圍( 2)穩(wěn)壓電路的最大輸出功率 POM( 3)穩(wěn)壓管的最大耗散功率 PZM和限流電阻 R上的最大耗散功率 PRM 解:( 1)總電流 IZR VV 1 0 5I 5 0 m AR 1 0 0? ?? ? ?輸出電流最大時(shí),必須保證穩(wěn)壓管中至少有 5mA的電流流過(guò),即 R O M A X Z M I NRO M A X Z M I NI I II I I 5 0 m A 5 m A = 4 5 m A?? ? ? ?( ) ( )( ) ( )輸出電流最小時(shí),即負(fù)載開(kāi)路,電流全部流經(jīng)穩(wěn)壓管, IR=IZ( MAX), 且未超過(guò)穩(wěn)壓 管的最大電流。穩(wěn)壓二極管穩(wěn)壓時(shí)工作在反向電擊穿狀態(tài)。 導(dǎo)通后, D的壓降等于零,即 A點(diǎn)的電位就是 D陽(yáng)極的電位。 二極管電路的簡(jiǎn)化模型分析方法 VI 特性的建模 ( 4)小信號(hào)模型 過(guò) Q點(diǎn)的切線 可以等效成一個(gè)微變電阻 DDd ir ??? v即 )1e( /SD D ?? TVIi v根據(jù) 得 Q點(diǎn)處的微變電導(dǎo) QigDDd ddv? QVTTVI /S De v?TVID?dd1gr ?則 DIVT?常溫下( T=300K) )mA()mV(26DDd IIVr T ??QTViD?( a) VI特性 ( b)電路模型 二極管電路的簡(jiǎn)化模型分析方法 VI 特性的建模 ( 4)小信號(hào)模型 特別注意: ? 小信號(hào)模型中的微變電阻 rd與靜態(tài)工作點(diǎn) Q有關(guān)。 二極管的主要參數(shù) (4) 正向壓降 VF (5) 極間電容 Cd( CB、 CD ) 二極管正向?qū)ê?,管子兩端基本上保持不變正向電壓, 硅二極管約 ;鍺二極管約 。二極管按結(jié)構(gòu)分有 點(diǎn)接觸型、面接觸型 兩大類。 在空間電荷區(qū),由于缺少多子,所以也稱 耗
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