半導體二極管及ppt課件(編輯修改稿)
2025-01-04 03:36 本頁面
【文章內容簡介】 ， N區(qū)接高電位（正電位）。 ＊ 硅 PN結的 Is 為 pA級 ＊ 溫度 T增大 → Is PN 結反向偏置 － － － － + + + + 內電場 外電場 變厚 N P + _ 內電場被被加強，多子的擴散受抑制。少子漂移加強，但少子數(shù)量有限，只能形成較小的反向電流。 R E PN結加反向電壓的情形 3 PN結的伏安特性 PN結的伏安特性曲線：圖 24 伏安特性曲線（ 24） 對應表 : 二極管處于反向偏置時，在一定的電壓范圍內，流過 PN結的電流很小，但電壓超過某一數(shù)值時，反向電流急劇增加，這種現(xiàn)象我們就稱為反向擊穿。 擊穿形式分為兩種： 雪崩擊穿和齊納擊穿 。 齊納擊穿： 高摻雜情況下，耗盡層很窄，宜于形成強電場，而破壞共價鍵，使價電子脫離共價鍵束縛形成電子－空穴對，致使電流急劇增加。 雪崩擊穿： 如果攙雜濃度較低，不會形成齊納擊穿，而當反向電壓較高時，能加快少子的漂移速度，從而把電子從共價鍵中撞出，形成雪崩式的連鎖反應。 對于硅材料的 PN結來說，擊穿電壓 〉 7v時為雪崩擊穿， 4v時為齊納擊穿。在 4v與 7v之間，兩種擊穿都有。這種現(xiàn)象破壞了 PN結的單向導電性，我們在使用時要避免。 *擊穿并不意味著 PN結燒壞。 167。23 半導體二極管 半導體二極管 一、基本結構 PN 結加上管殼和引線，就成為半導體二極管。 引線 外殼線 觸絲線 基片 點接觸型 PN結 面接觸型 P N 二極管的電路符號： 二、伏安特性 U I 死區(qū)電壓 硅管,鍺管 。 導通壓降 : 硅管 ~,鍺管 ~。 反向擊穿電壓 UBR 三、主要參數(shù) 1. 最大整流電流 IOM 二極管長期使用時，允許流過二極管的最大正向平均電流。 2. 反向擊穿電壓 UBR 二極管反向擊穿時的電壓值。擊穿時反向電流劇增，二極管的單向導電性被破壞，甚至過熱而燒壞。手冊上給出的最高反向工作電壓 UWRM一般是 UBR的一半。 3. 反向電流 IR 指二極管加反向峰值工作電壓時的反向電流。反向電流大，說明管子的單向導電性差，因此反向電流越小越好。反向電流受溫度的影響，溫度越高反向電流越大。硅管的反向電流較小，鍺管的反向電流要比硅管大幾十到幾百倍。 以上均是二極管的直流參數(shù)，二極管的應用是主要利用它的單向導電性，主要應用于整流、限幅、保護等等。下面介紹兩個交流參數(shù)。 4. 微變電阻 rD iD uD ID UD Q ?
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