ch3二極管及其基本電路-資料下載頁(yè)
2025-01-12 07:46本頁(yè)面
【正文】 VZ IZ IZM ? VZ ? IZ 2. 伏安特性 穩(wěn)壓二極管穩(wěn)壓時(shí)工作在反向電擊穿狀態(tài)。 使用時(shí)要加限流電阻 穩(wěn)壓管反向擊穿后，電流變化很大，但其兩端電壓變化很小，利用此特性，穩(wěn)壓管在電路中可起穩(wěn)壓作用。 _ + V I O 齊納二極管 (穩(wěn)壓二極管 ) 3. 主要參數(shù) (1) 穩(wěn)定電壓 VZ 穩(wěn)壓管正常工作 (反向擊穿 )時(shí)管子兩端的電壓。 (2) 動(dòng)態(tài)電阻 ZZ Z IVr???(3) 穩(wěn)定電流 IZ 、最大穩(wěn)定電流 IZM rZ愈小，曲線愈陡，穩(wěn)壓性能愈好。 4. 穩(wěn)壓電路 正常穩(wěn)壓時(shí) VO =VZ 限流電阻 R的計(jì)算： IR = IZ+ IL IR= (VIVZ) / R Io = Vz/RL Izmin Iz Izmax (VIVz)/(Izmax+ IL )Rmin (VIVz)/(Izmin+ IL )Rmax ui 8V，穩(wěn)壓管反向擊穿，穩(wěn)壓 uo = Vz = 8V 0 ui 8V，穩(wěn)壓管反向截止，可看作開路 uo = ui 已知： 試畫出 uo 波形。 V s in12i tu ??8V 例： 穩(wěn)壓管應(yīng)用電路 ui t ?12V Vz 8V R uo ui + + – – ui 0V，穩(wěn)壓管正向?qū)ǎ?uo = 變?nèi)荻O管 （ a）符號(hào) （ b）結(jié)電容與電壓的關(guān)系（縱坐標(biāo)為對(duì)數(shù)刻度） 特點(diǎn)：工作在反偏狀態(tài)，電容與反向電壓成正比。 肖特基二極管 （ a）符號(hào) （ b）正向 VI特性 特點(diǎn)：電容小、工作速度快、門檻電壓低，常用作開關(guān)管 光電子器件 1. 光電二極管 （ a）符號(hào) （ b）電路模型 （ c）特性曲線 特點(diǎn)：工作在反偏狀態(tài)，反向電流與光的照度成正比。 2. 發(fā)光二極管 符號(hào) 光電傳輸系統(tǒng) 特點(diǎn)：正向?qū)〞r(shí)能發(fā)光，為可見光。 3. 激光二極管 （ a）物理結(jié)構(gòu) （ b）符號(hào) {end} 特點(diǎn)：正向?qū)〞r(shí)能發(fā)光，不是可見光，而是紅外線。 第三章小結(jié) ?半導(dǎo)體在本征激發(fā)后具有導(dǎo)電性能，載流子濃度與溫度有關(guān)； ?P型半導(dǎo)體中多子為空穴，少子為電子； N型半導(dǎo)體中多子為電子，少子為空穴； ?PN結(jié)具有單相導(dǎo)電性； ?二極管的三種模型 正向偏置時(shí)： 管壓降為 0，電阻也為 0。 反向偏置時(shí)： 電流為 0，電阻為 ∞ 。 當(dāng) iD≥1 mA時(shí)， vD=（硅） vD=（鍺） 1. 理想模型 2. 恒壓降模型 3. 折線模型 （實(shí)際模型） ?????? 2022 mA VVi VVrDthDDDDDthD iriVv 2 0 ????第三章習(xí)題常見類型 ?半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)正確的判斷； ?電子電路中二極管、穩(wěn)壓管工作狀態(tài)的判斷； ?已知電子電路的輸入電壓求輸出電壓。 判斷、填空 ? 在 N型半導(dǎo)體中如果摻入足夠量的三價(jià)元素，可將其改型為 P型半導(dǎo)體。（ ） ? 因?yàn)?N型半導(dǎo)體的多子是自由電子，所以它帶負(fù)電。（ ） ? PN結(jié)在無(wú)光照、無(wú)外加電壓時(shí)，結(jié)電流為零。（ ） ? 二極管的伏安特性方程是 。 ? 穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓區(qū)是其工作在 。
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