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正文內(nèi)容

晶體二極管及應(yīng)用電路-資料下載頁

2025-08-01 15:04本頁面
  

【正文】 。二 穩(wěn)壓 管 專門工作與反向擊穿狀態(tài)的二極管 → 穩(wěn)壓 管 。電路符號圖 133( b), 特性曲線圖 133( a)。1 穩(wěn)壓 管的參數(shù): ⑴ 穩(wěn)定電壓 Vz ⑵ 最小穩(wěn)定電流 IzMIN : ⑶ 最大穩(wěn)定電流 IzMAX : ⑷ 動態(tài)電阻 rz : ⑸ 動態(tài)電阻的溫度系數(shù) α:圖 1342 穩(wěn)壓管應(yīng)用電路:圖 135 RL : 負(fù)載電阻; R: 限流電阻;要求輸入電壓 VI> VZ 用負(fù)載線法分析: 畫出等效電路圖 136( a)求出穩(wěn)壓管的負(fù)載線圖 136( b):167。15 PN結(jié) 電容效應(yīng)及應(yīng)用 現(xiàn)象:半波整流電路中交流電壓從 50Hz改為500KHz, 在輸入電壓的負(fù)半周時,二極管上也有導(dǎo)通電流。原因:二極管 PN結(jié)存在電容效應(yīng)。結(jié)論:高頻時二極管失去電向?qū)щ娞匦?。? 勢壘電容 CT : 圖 140圖( a): 線性電容的充電過程。 圖( b): 勢壘 電容的充電過程。結(jié)論:正偏 V加大 → 空間電荷區(qū)變窄 → 極板距離減小 → CT ↗ 反偏 V加大 → 空間電荷區(qū)變寬 → 極板距離增大 → CT ↙二 擴散電容 CD 圖 141,兩區(qū)在 PN結(jié)正偏時,多子存在凈的越結(jié)擴散,進入對方區(qū)域中成為非平衡少子,在空間電荷區(qū)兩側(cè)積累,形成非平衡少子濃度分布 ηP(x) 和 pn(x)。 存在非平衡少子濃度分布的兩個區(qū)域 → 擴散區(qū)?!? CD ∝ PN結(jié)正向直流電流。 ★ PN結(jié)反偏時擴散區(qū)內(nèi)少子濃度分布線如圖 142。三 變?nèi)荻O管 CT和 CD均為非線性電容,按增量電容定義: 考慮 CT和 CD , 不計 P區(qū) N區(qū)體電阻和漏電阻,在 Q點處二極管的小信號模型為:圖 143。 CT和 CD對外電路并連等效 ,總的電容 Cj : Cj =CT+CD Cj稱為 PN結(jié)的結(jié)電容。◆ 變?nèi)?二極管: 利用反偏時勢壘電容工作于電路的二極管 → 變?nèi)荻O管,簡稱變?nèi)莨堋D 144為變?nèi)莨茈娐贩枴? 圖 145為變?nèi)莨軌嚎靥匦郧€。
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