晶體二極管及應(yīng)用電路-資料下載頁(yè)
2025-08-01 15:04本頁(yè)面
【正文】 。二 穩(wěn)壓 管 專(zhuān)門(mén)工作與反向擊穿狀態(tài)的二極管 → 穩(wěn)壓 管 。電路符號(hào)圖 133（ b）， 特性曲線(xiàn)圖 133（ a）。1 穩(wěn)壓 管的參數(shù)： ⑴ 穩(wěn)定電壓 Vz ⑵ 最小穩(wěn)定電流 IzMIN ： ⑶ 最大穩(wěn)定電流 IzMAX ： ⑷ 動(dòng)態(tài)電阻 rz ： ⑸ 動(dòng)態(tài)電阻的溫度系數(shù) α：圖 1342 穩(wěn)壓管應(yīng)用電路：圖 135 RL ： 負(fù)載電阻； R： 限流電阻；要求輸入電壓 VI＞ VZ 用負(fù)載線(xiàn)法分析： 畫(huà)出等效電路圖 136（ a）求出穩(wěn)壓管的負(fù)載線(xiàn)圖 136（ b）：167。15 PN結(jié) 電容效應(yīng)及應(yīng)用 現(xiàn)象：半波整流電路中交流電壓從 50Hz改為500KHz， 在輸入電壓的負(fù)半周時(shí)，二極管上也有導(dǎo)通電流。原因：二極管 PN結(jié)存在電容效應(yīng)。結(jié)論：高頻時(shí)二極管失去電向?qū)щ娞匦?。? 勢(shì)壘電容 CT ： 圖 140圖（ a）： 線(xiàn)性電容的充電過(guò)程。 圖（ b）： 勢(shì)壘 電容的充電過(guò)程。結(jié)論：正偏 V加大 → 空間電荷區(qū)變窄 → 極板距離減小 → CT ↗ 反偏 V加大 → 空間電荷區(qū)變寬 → 極板距離增大 → CT ↙二 擴(kuò)散電容 CD 圖 141，兩區(qū)在 PN結(jié)正偏時(shí)，多子存在凈的越結(jié)擴(kuò)散，進(jìn)入對(duì)方區(qū)域中成為非平衡少子，在空間電荷區(qū)兩側(cè)積累，形成非平衡少子濃度分布 ηP(x) 和 pn(x)。 存在非平衡少子濃度分布的兩個(gè)區(qū)域 → 擴(kuò)散區(qū)?！? CD ∝ PN結(jié)正向直流電流。 ★ PN結(jié)反偏時(shí)擴(kuò)散區(qū)內(nèi)少子濃度分布線(xiàn)如圖 142。三 變?nèi)荻O管 CT和 CD均為非線(xiàn)性電容，按增量電容定義： 考慮 CT和 CD ， 不計(jì) P區(qū) N區(qū)體電阻和漏電阻，在 Q點(diǎn)處二極管的小信號(hào)模型為：圖 143。 CT和 CD對(duì)外電路并連等效 ，總的電容 Cj ： Cj =CT+CD Cj稱(chēng)為 PN結(jié)的結(jié)電容?！?變?nèi)?二極管： 利用反偏時(shí)勢(shì)壘電容工作于電路的二極管 → 變?nèi)荻O管，簡(jiǎn)稱(chēng)變?nèi)莨?。圖 144為變?nèi)莨茈娐贩?hào)。 圖 145為變?nèi)莨軌嚎靥匦郧€(xiàn)。
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