ch3二極管及其基本電路(參考版)
2025-01-15 07:46本頁面
【正文】 。（ ） ? 二極管的伏安特性方程是 。（ ） ? 因為 N型半導(dǎo)體的多子是自由電子，所以它帶負電。 當 iD≥1 mA時， vD=（硅） vD=（鍺） 1. 理想模型 2. 恒壓降模型 3. 折線模型 （實際模型） ?????? 2022 mA VVi VVrDthDDDDDthD iriVv 2 0 ????第三章習題常見類型 ?半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識正確的判斷； ?電子電路中二極管、穩(wěn)壓管工作狀態(tài)的判斷； ?已知電子電路的輸入電壓求輸出電壓。 第三章小結(jié) ?半導(dǎo)體在本征激發(fā)后具有導(dǎo)電性能，載流子濃度與溫度有關(guān)； ?P型半導(dǎo)體中多子為空穴，少子為電子； N型半導(dǎo)體中多子為電子，少子為空穴； ?PN結(jié)具有單相導(dǎo)電性； ?二極管的三種模型 正向偏置時： 管壓降為 0，電阻也為 0。 2. 發(fā)光二極管 符號 光電傳輸系統(tǒng) 特點：正向?qū)〞r能發(fā)光，為可見光。 V s in12i tu ??8V 例： 穩(wěn)壓管應(yīng)用電路 ui t ?12V Vz 8V R uo ui + + – – ui 0V，穩(wěn)壓管正向?qū)ǎ?uo = 變?nèi)荻O管 （ a）符號 （ b）結(jié)電容與電壓的關(guān)系（縱坐標為對數(shù)刻度） 特點：工作在反偏狀態(tài)，電容與反向電壓成正比。 (2) 動態(tài)電阻 ZZ Z IVr???(3) 穩(wěn)定電流 IZ 、最大穩(wěn)定電流 IZM rZ愈小，曲線愈陡，穩(wěn)壓性能愈好。 使用時要加限流電阻 穩(wěn)壓管反向擊穿后，電流變化很大，但其兩端電壓變化很小，利用此特性，穩(wěn)壓管在電路中可起穩(wěn)壓作用。 ?根據(jù)二極管兩端加的是正電壓還是反電壓判定二極管是否導(dǎo)通，若為正電壓且大于閾值電壓，則管子導(dǎo)通，否則截止； ui 8V0，二極管導(dǎo)通，可看作短路 uo = 8V ui 8V0，二極管截止，可看作開路 uo = ui 已知： 二極管是理想的，試畫出 uo 波形。 V1陽 =－ 6 V， V2陽 =0 V， V1陰 = V2陰 = － 12 V VD1 = 6V， VD2 =12V ∵ VD2 VD1 ∴ D2 優(yōu)先導(dǎo)通， D1截止。 在這里，二極管起鉗位作用。 Q點稱為電路的工作點 二極管電路的簡化模型分析方法 VI 特性的建模 （ 1）理想模型 理想二極管 V I 特性 代表符號 正向偏置時的 電路模型 :短路 反向偏置時的 電路模型：開路 （ 2）恒壓降模型（ iD≥1mA 時 ） 硅管 鍺管 正偏時： ?Dv反偏時 : 0?Di放大電路多用此模型 （ 3）折線模型 ?????? 2022 mA VVi VVrDthDDVV th ?（硅二極管） 折線段： DDthD riVv ?? ??正偏時： 反偏時 : 0?DimAID 1?VVD ???tg二級管電路的計算方法： 1) 將二極管斷開，求正向開路電壓 VDO。 例 電路如圖所示，已知二極管的 VI特性曲線、電源 VDD和電阻 R，求二極管兩端電壓 vD和流過二極管的電流 iD 。 二極管的主要參數(shù) (1) 最大整流電流 IF (2) 反向擊穿電壓 VBR和最大反向工作電壓 VRM (3) 反向電流 I
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