第2章半導體二極管及其基本電路(參考版)
2024-10-11 15:06本頁面
【正文】 解 :負載電流的的范圍為 : Iomin=0 Iomax=Pomax/Vo=56mA ???????m i nm a xm a xOZZiIIVVR????????912m axm i nm i nOZZiIIVVR取標稱值 R=47? Vi Vo IR Io iZ R RL 教材上取 R=51 ?，只檢驗了穩(wěn)壓管的耗散功率， 沒有檢驗其電流范圍。39。????VVIVVVVoZii50,515 39。 穩(wěn)壓過程 : vi vo iZ iR vR vo RL io iR vo iZ iR vo 3 穩(wěn)壓管的應用 ?穩(wěn)壓 ?電平移動 ? 限幅等 基本穩(wěn)壓電路 vi vo iR io iZ R RL 例： Vz=6V， Izmin=5mA ， Izmax=25mA Vi=10V、 15V、 35V, 求 Vo 、 IZ LLii RRRVV??39。 ? 額定功耗 PM 允許的最大功耗，一般 IZM=PM/VZ ? 動態(tài)電阻 rZ 反向擊穿區(qū)斜率的倒數 rZ=dVZ/diZ|iZ=IZ ? 溫度系數 溫度變化 1℃ ，穩(wěn)定電壓變化的百分數。 iZIZ，穩(wěn)壓性能較差， rZ增大。 VZ，雪崩擊穿為主，具有正溫度系數 VZ～ ,溫度系數最小 vD iD VZ VD iD 穩(wěn)壓管參數 ? 穩(wěn)定電壓 VZ 反向電擊穿時的工作電壓。 只要反向電流限制在一定范圍之內，管子不會損壞。 VDD R D ID VD v?R rd ~ Di?Dv?%%10 ??????DDDD VvVv25 特殊二極管 穩(wěn)壓管 原理： 利用二極管反向擊穿特性實現穩(wěn)壓 。 VD= ID=（ ） /10 = ΔvD = Δv 1V， 相應的硅二極管兩端 電壓的變化量為多少？ R V? D VDD ~ iD 解： 求靜態(tài)工作點 由于 VDD=10V， 所以二極管采用恒壓降模型。 3）建立二極管的小信號模型，此時只考慮交變分量。 Vo= 6V 6V D1 D2 12V 1K Vo 6V VD1 12V 1K Vo VD2 6V 12V 1K Vo VD1 D2所加正向電壓較大，所以先導通。 再重新計算其他二極管的開路電壓， 重新考慮其狀態(tài)。開路電壓小于 0，二極管反偏，將其看作開路。 Vo R 1K VR 3V Vi 1)設 Vi=0V， 4V， Vi=0，二極管截止， Vo=Vi=0 Vi=4V，二極管導通 I=(ViVRVth)/(R+rD)= Vo=Vth+VR+IrD= VR3V I Vth= R Vi ID rD Vo 2) 設 vi=6sinωt, 畫出 vo的波形及傳輸特性 當 Vi≦ Vth+VR=, 二極管截止 Vo=Vi I Vth= R Vi ID rD VR Vo ??????????iDDiDDRthoiVrrRVrIVVVVV二極管導通當3 、開關電路 二極管在開關電路中一般采用 理想模型。 （電壓和電流瞬時值的變化量） rd D rd的計算 )1(Q???TVVeIididvrSdrd與靜態(tài)工作電流有關。 DthDD IVVr ??rD Vth iD v D 根據二極管的電流 ID和管壓降 VD可以求出 rD ID VD iD vD Vth iD vD 小信號模型 當輸入變化的信號時，且信號幅度很小，二極管工作在靜態(tài)工作點 Q附近的小范圍內 , 則可以在小范圍內把 VI特性曲線看成是過 Q點的切線。 iD vD iD vD iD v D iD vD 折線模型 Vth:門坎電壓 (硅管一般取 ), iD vD 二極管的正向壓降隨流過二極管正向電流的增加而線性增加。 二極管正向 v— i的建模 理想模型 iD＞ 0→v D=0 vD＜ 0→i D=0 iD vD iD vD iD vD iD vD
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