【總結(jié)】晶體管規(guī)則陣列設(shè)計技術(shù)VLSIC是高度復雜的集成系統(tǒng),為保證設(shè)計的正確性并且降低設(shè)計難度,提高設(shè)計效率,避免由于在版圖設(shè)計過程中采用復雜結(jié)構(gòu)而引入不可靠因素,因此,在VLSI的設(shè)計技術(shù)中大量地采用規(guī)則結(jié)構(gòu),晶體管規(guī)則陣列設(shè)計技術(shù)就是其中之一。在這個結(jié)構(gòu)中的基本單元就是MOS晶體管或CMOS晶體
2025-01-20 07:00
【總結(jié)】第三章雙極晶體管雙極晶體管及工作原理概念介紹基本工作原理晶體管電流簡介工作模式放大電路少子分布正向有源模式其它工作模式低頻共基極電流增益電流成分電流增益的推導電流增益的總結(jié)非
2025-05-06 18:03
【總結(jié)】實驗二晶體管元件的認識和測量實驗目的1、掌握用數(shù)字萬用表鑒別晶體管的性能;2、了解晶體管特殊性圖示儀的簡單原理及使用方法,用晶體管的特性圖示儀測量晶體管的特性曲線和參數(shù);3、繪制小功率晶體管的特性曲線,并運用特性曲線求參數(shù)。實驗器材晶體管特性圖示儀XJ4810一臺;數(shù)字萬用表UT56一只;晶體三極管
2025-04-29 12:07
【總結(jié)】微電子器件與IC設(shè)計第3章雙極型晶體管BipolarJunctionTransistorBJT第3章雙極型晶體管?結(jié)構(gòu)?放大原理?直流電流增益?反向直流特性?開關(guān)作用晶體管的基本結(jié)構(gòu)及雜質(zhì)分布由兩個靠得很近的背靠背的PN結(jié)構(gòu)成
2025-01-14 10:48
【總結(jié)】劉開華2022/2/11電子線路基礎(chǔ)2第三章、放大器的頻率特性線性失真及其分析方法單級放大器的頻率響應多級放大器的頻率響應放大器的階躍響應3線性失真分析方法4由于放大電路中存在電抗元件(電容、電感等),所以在放大含有豐富頻率成分的信號(如語音信號、脈沖信號
2025-01-14 20:55
【總結(jié)】晶體管規(guī)則陣列設(shè)計技術(shù)VLSIC是高度復雜的集成系統(tǒng),為保證設(shè)計的正確性并且降低設(shè)計難度,提高設(shè)計效率,避免由于在版圖設(shè)計過程中采用復雜結(jié)構(gòu)而引入不可靠因素,因此,在VLSI的設(shè)計技術(shù)中大量地采用規(guī)則結(jié)構(gòu),晶體管規(guī)則陣列設(shè)計技術(shù)就是其中之一。在這個結(jié)構(gòu)中的基本單元就是MOS晶體管或CMOS晶體管對。晶體管陣列及其邏輯
2025-02-06 11:27
【總結(jié)】雙極型晶體管晶體管的結(jié)構(gòu)和類型晶體管的電流分配關(guān)系和放大作用晶體管的特性曲線晶體管的主要參數(shù)溫度對晶體管參數(shù)的影響第四章晶體管硅晶體管鍺晶體管晶體管類型NPN型PNP型第三節(jié)雙極型晶體管可簡稱為晶體管,或半導體三極管,用BJT(Bipolar
2024-12-08 03:40
【總結(jié)】實驗二晶體管共射極單管放大器一、實驗目的1.學會放大器靜態(tài)工作點的調(diào)式方法和測量方法。2.掌握放大器電壓放大倍數(shù)的測試方法及放大器參數(shù)對放大倍數(shù)的影響。3.熟悉常用電子儀器及模擬電路實驗設(shè)備的使用。二、實驗原理圖2—1為電阻分壓式工作點穩(wěn)定單管放大器實驗電路圖。偏置電阻RB1、RB2組成分壓電路,并在發(fā)射極中接有電阻RE,以穩(wěn)定放大器的靜態(tài)工作點。當在放大
2025-07-20 19:38
【總結(jié)】1Tektronix370ProgrammableCurveTracer可編程特性曲線圖示儀2測試步驟切斷斷路器(ENABLE/DISABLE)插器件、選接線(根據(jù)要測的特性)設(shè)置檔位(根據(jù)Datasheet或合理預期)合上斷路器(ENABLE/DISABLE)施加電壓(增大VC和/或
2025-05-12 19:06
【總結(jié)】場效應晶體管場效應管的特點結(jié)型場效應管絕緣柵場效應管第四章絕緣柵場效應管結(jié)型場效應管第四節(jié)場效應晶體管簡稱場效應管,用FET來表示(FieldEffectTransistor)。一、絕緣柵場效應管絕緣柵場效應管是一種金屬—
2025-07-18 18:48
【總結(jié)】Bipolarjunctiontransisitor(BJT)第三章雙極晶體管第三章雙極晶體管?雙極晶體管的工作原理?少子的分布與直流特性?低頻共基極電流增益?非理想效應?等效電路模型?頻率特性?大信號開關(guān)特性?其他的雙極晶體管結(jié)構(gòu)?無源器件(pa
2025-01-14 10:46
【總結(jié)】封面西藏·班公湖返回返回引言本頁完本頁完引言倍頻器是一種輸出頻率等于輸入頻率整數(shù)倍的電路,用以提高頻率,其優(yōu)點為返回返回1、發(fā)射機主振器的頻率可以降低,對穩(wěn)頻有利。振蕩器的頻率越高,頻率穩(wěn)定度應越低。一般主振器頻率不宜超過5MHz。因此發(fā)射頻率高于5MHz,一般宜采用倍頻器。2、在采用石英晶體
2025-05-12 08:47
【總結(jié)】1第二章雙極型晶體管的直流特性晶體管分類:?結(jié)型晶體管又稱雙極型晶體管(BipolarJunctionTransistor-BJT)?場效應晶體管(FieldEffectTransistor-FET)又稱單極型晶體管(U
2025-04-29 04:53
【總結(jié)】**1目 錄退 出下一頁上一頁最后一頁章節(jié)目錄**2目 錄退 出下一頁上一頁最后一頁第7章晶體管特性圖示儀本章要點§晶體管特性圖示儀的組成及原理框圖§?晶體管特性曲線的測量方法§?用晶體管特性圖示儀測量二極管、三極管和場效應管**3目 錄退 出下一頁上
2025-04-30 18:47
【總結(jié)】第6章雙極型晶體管?晶體管概述?晶體管基本結(jié)構(gòu)從基本結(jié)構(gòu)來看,晶體管由兩個十分靠近的,分別稱為發(fā)射結(jié)和集電結(jié)的P-N結(jié)組成。兩個P-N結(jié)將晶體管劃分為三個區(qū):發(fā)射區(qū)、基區(qū)和集電區(qū)。由三個區(qū)引出的電極分別稱為發(fā)射極、基極和集電極,用符號E、B、C(e、b、c)表示。晶體管的基本形式可分為PNP型和NPN型兩種。