【摘要】模擬電子技術(shù)1-2等效電路法思路:將非線性的BJT等效成一個線性電路條件:交流小信號,工作在合適的Q點(diǎn)附近++++i-ube+-ubTce+ci++++bucei+-+ibecu-二端口網(wǎng)絡(luò)直流分析用“靜態(tài)分
2025-01-19 21:57
【摘要】第十四講頻率響應(yīng)概述與晶體管的高頻等效電路第十四講頻率響應(yīng)概述與晶體管的高頻等效電路一、頻率響應(yīng)的基本概念二、放大電路的頻率參數(shù)三、晶體管的高頻等效電路四、場效應(yīng)管的高頻等效電路一、頻率響應(yīng)的基本概念1.研究的問題:放大電路對信號頻率的適應(yīng)程度,即信號頻率對放大倍數(shù)的影響。
2025-08-23 08:22
【摘要】晶體管單級放大器設(shè)計(jì)學(xué)習(xí)目的?掌握晶體管放大器靜態(tài)工作點(diǎn)的設(shè)置與調(diào)整方法?放大器基本性能指標(biāo)的測試方法?負(fù)反饋對放大器性能的影響?放大器的安裝與調(diào)試技術(shù)。一、電路工作原理及基本關(guān)系式圖阻容耦合共射極放大器CB++I(xiàn)1-RB2RB1IB
2025-01-08 15:08
【摘要】晶體管放大倍數(shù)β檢測電路的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)實(shí)驗(yàn)報(bào)告班級:****姓名:****學(xué)號:****班內(nèi)序號:****【摘要】晶體管是工程上常見的一種元器件,放大倍數(shù)為其基本參數(shù)。為了檢測出不同晶體管的放大倍數(shù)的粗略值,本實(shí)驗(yàn)利用集成運(yùn)放和發(fā)光二極管,將晶體管的放大倍數(shù)分成若干個檔位進(jìn)行測量。利用本實(shí)驗(yàn)的電路,可以成功實(shí)現(xiàn)對晶體管類型的判斷,對晶體管放
2025-08-01 21:37
【摘要】半導(dǎo)體器件原理南京大學(xué)Chapter8.FET的補(bǔ)充分析CMOS器件設(shè)計(jì)與性能參數(shù)二、CMOS性能參數(shù)集成度、開關(guān)速度和功率消耗是VLSI的主要參數(shù),主要關(guān)注影響開關(guān)速度的若干因數(shù)?;綜MOS電路元件寄生單元(電阻與電容)CMOS延遲對器件參數(shù)的依賴先進(jìn)CMOS器件的
2025-05-03 08:13
【摘要】MOS場效應(yīng)晶體管MOSFieldEffectTransistorMetal-Oxide-SemiconductorFieldEffectTransistorMOS管的結(jié)構(gòu)、工作原理和輸出特性MOS場效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)基本工作原理和輸出特性MOS場效應(yīng)晶體管的分類MOS場效應(yīng)晶體管的閾值電壓M
2025-01-14 04:31
【摘要】1功率場效應(yīng)晶體管功率場效應(yīng)晶體管是20世紀(jì)70年代中后期開發(fā)的新型功率半導(dǎo)體器件,通常又叫絕緣柵功率場效應(yīng)晶體管,簡稱為PMOSFET,用字母PM表示。功率場效應(yīng)晶體管已發(fā)展了多種結(jié)構(gòu)型式,本節(jié)主要介紹目前使用最多的單極VDMOS、N溝道增強(qiáng)型PM,2G(柵極)S(源極)D
2025-05-08 00:18
【摘要】微電子元器件與項(xiàng)目訓(xùn)練授課教師:余菲第4章MOS場效應(yīng)晶體管教師:余菲電子郵件:
2025-05-10 19:00
【摘要】摘要隨著社會的發(fā)展,在日常生產(chǎn)生活中我們用到直流電源的地方也越來越廣泛!而能夠?qū)⒔涣麟娔苻D(zhuǎn)換為直流電能的整流電路的主要電力電子器件是半控型的晶閘管,與其對應(yīng)的主要變換電路是相控整流電路。相控整流電路結(jié)構(gòu)簡單、控制方便、性能穩(wěn)定,是目前獲得直流電能的主要方法,得到了廣泛的應(yīng)用。關(guān)鍵詞直流電源;整流電路;單結(jié)晶體;晶閘管;同步觸發(fā);全控整流電路
2025-05-16 02:25
【摘要】單結(jié)晶體管觸發(fā)的單相晶閘管全控整流電路湖南工學(xué)院電力電子技術(shù)課程設(shè)計(jì)課題名稱:單結(jié)晶體管觸發(fā)的單相晶閘管全控整流電路系別:電氣與信息工程系專業(yè)班級:電氣0505班姓名:胡功偉學(xué)號:401050517指導(dǎo)教師:肖文英老師同組人員:胡功偉魯浪吳海平馬泓龍劉小軍設(shè)計(jì)時間:2007年6月前言電力電子技術(shù)無
2025-06-24 03:42
【摘要】晶體三極管知識晶體三極管作為重要的半導(dǎo)體器件,其基本結(jié)構(gòu)和工作原理需要掌握。下面具體介紹。三極管的基本結(jié)構(gòu)是兩個反向連結(jié)的pn接面,如圖1所示,可有pnp和npn兩種組合。三個接出來的端點(diǎn)依序稱為射極(emitter,E)、基極(base,B)和集極(collector,C),名稱來源和它們在三極管操作時的功能有關(guān)。圖中也顯示出npn與pnp三極管的
2025-06-24 12:36
【摘要】XJ4810晶體管特性圖示儀說明書晶體管測量儀器是以通用電子測量儀器為技術(shù)基礎(chǔ),以半導(dǎo)體器件為測量對象的電子儀器。用它可以測試晶體三極管(NPN型和PNP型)的共發(fā)射極、共基極電路的輸入特性、輸出特性;測試各種反向飽和電流和擊穿電壓,還可以測量場效管、穩(wěn)壓管、二極管、單結(jié)晶體管、可控硅等器件的各種參數(shù)。下面以XJ4810型晶體特性圖示儀為例介紹晶體管圖示儀的使用方法。圖
2025-03-25 03:39
【摘要】2022/8/311晶體管參數(shù)培訓(xùn)資料2022/8/312主要內(nèi)容一、芯片介紹:二、芯片制程簡介:三、芯片參數(shù)介紹:四、晶體管參數(shù)詳解:2022/8/313一、芯片介紹:目前芯片主要有以下幾類:1.二極管芯片;2.三極管芯片;3.可控硅芯片;2022/8/314
2025-08-16 01:05
【摘要】場效應(yīng)晶體管有二種結(jié)構(gòu)形式:又分增強(qiáng)型和耗盡型二類只有耗盡型場效應(yīng)晶體管在集成電路中被廣泛使用,絕緣柵場效應(yīng)晶體管(MOSFET)分為增強(qiáng)型和耗盡型兩大類,每類中又有N溝道和P溝道之分。不象雙極型晶體管只有NPN和PNP兩類
2024-11-25 19:59
【摘要】Tektronix572型晶體管特性圖示儀Tektronix572型晶體管特性圖示儀陰極射線管電源開關(guān)集電極電源垂直部分顯示方式水平部分基極階梯信號測試臺部分集電極電源(COLLECTORSUPPLY)?極性選擇(POL/INV)按鈕:選擇集電極電壓正或負(fù)極性的。彈出為正,
2025-07-17 17:28