【總結(jié)】Bipolarjunctiontransisitor(BJT)第三章雙極晶體管第三章雙極晶體管?雙極晶體管的工作原理?少子的分布與直流特性?低頻共基極電流增益?非理想效應(yīng)?等效電路模型?頻率特性?大信號開關(guān)特性?其他的雙極晶體管結(jié)構(gòu)?無源器件(pa
2025-01-14 10:46
【總結(jié)】封面西藏·班公湖返回返回引言本頁完本頁完引言倍頻器是一種輸出頻率等于輸入頻率整數(shù)倍的電路,用以提高頻率,其優(yōu)點(diǎn)為返回返回1、發(fā)射機(jī)主振器的頻率可以降低,對穩(wěn)頻有利。振蕩器的頻率越高,頻率穩(wěn)定度應(yīng)越低。一般主振器頻率不宜超過5MHz。因此發(fā)射頻率高于5MHz,一般宜采用倍頻器。2、在采用石英晶體
2025-05-12 08:47
【總結(jié)】第三章晶體管放大電路基礎(chǔ)(全書重點(diǎn))放大電路的工作原理及分析方法BJT偏置電路(直流通路:提供合適的靜態(tài)工作點(diǎn)Q點(diǎn),保證BJT發(fā)射結(jié)正偏,集電結(jié)反偏,放大信號始終處在放大工作區(qū),避免出現(xiàn)截止及飽和失真。介紹固定基流電路,基極分壓射極偏置電路)放大電路的技術(shù)指標(biāo)及基本放大電路(本章討論小信號放大器的基本指
2025-08-01 16:49
【總結(jié)】**1目 錄退 出下一頁上一頁最后一頁章節(jié)目錄**2目 錄退 出下一頁上一頁最后一頁第7章晶體管特性圖示儀本章要點(diǎn)§晶體管特性圖示儀的組成及原理框圖§?晶體管特性曲線的測量方法§?用晶體管特性圖示儀測量二極管、三極管和場效應(yīng)管**3目 錄退 出下一頁上
2025-04-30 18:47
【總結(jié)】半導(dǎo)體器件物理第五章第五章晶體管的開關(guān)特性晶體管的開關(guān)特性半導(dǎo)體器件物理第第5章章晶體管的開關(guān)特性晶體管的開關(guān)特性二極管的開關(guān)作用和二極管的開關(guān)作用和反向恢復(fù)時(shí)間反向恢復(fù)時(shí)間開關(guān)晶體管的靜態(tài)特性開關(guān)晶體管的靜態(tài)特性晶體管開關(guān)的動態(tài)特性晶體管開關(guān)的動態(tài)特性半導(dǎo)體器件物理第五章第五章晶體管的開關(guān)特性晶體管的開關(guān)特性半
【總結(jié)】第6章雙極型晶體管?晶體管概述?晶體管基本結(jié)構(gòu)從基本結(jié)構(gòu)來看,晶體管由兩個(gè)十分靠近的,分別稱為發(fā)射結(jié)和集電結(jié)的P-N結(jié)組成。兩個(gè)P-N結(jié)將晶體管劃分為三個(gè)區(qū):發(fā)射區(qū)、基區(qū)和集電區(qū)。由三個(gè)區(qū)引出的電極分別稱為發(fā)射極、基極和集電極,用符號E、B、C(e、b、c)表示。晶體管的基本形式可分為PNP型和NPN型兩種。
2025-05-06 18:03
【總結(jié)】雙極型晶體管雙極型三極管BJT結(jié)構(gòu)PNebcNebc集電區(qū)N發(fā)射區(qū)N基區(qū)Pebc集電結(jié)發(fā)射結(jié)集電極發(fā)射極基極PebNPcPNP電路符號bPNeNcNPN電路符號第二章
2024-12-07 23:52
【總結(jié)】HIT基礎(chǔ)電子技術(shù)電子教案雙極型半導(dǎo)體晶體管雙極型晶體管的工作原理雙極型晶體管的結(jié)構(gòu)雙極型晶體管的電流分配關(guān)系晶體管的電流放大系數(shù)晶體管的特性曲線晶體管的參數(shù)
2025-05-12 23:17
【總結(jié)】復(fù)習(xí):1、光敏電阻的結(jié)構(gòu)與原理2、光敏電阻的應(yīng)用新授:光敏晶體管及其應(yīng)用光敏晶體管及其應(yīng)用光敏二極管v1.光敏二極管的結(jié)構(gòu)及原理v2.光敏二極管的主要特性(1)伏安特性(2)光譜特性v3.光敏二極管的主要參數(shù)(1)光電流IL
2025-08-17 05:02
【總結(jié)】ICmA?AVVUCEUBERBIBECEB測量電路晶體管和放大作用4——使用是否得當(dāng)取決于對電路的理解程度IC(或IE)?IB這就是晶體管的電流放大作用2)晶體管放大的外部條件1)放大原理直流電流放大系數(shù)直流電流放大系數(shù)交流電流放大系數(shù)交流電流放大系數(shù)正偏反偏發(fā)射結(jié)集電結(jié)(1)輸入
【總結(jié)】場效應(yīng)晶體管場效應(yīng)管的特點(diǎn)結(jié)型場效應(yīng)管絕緣柵場效應(yīng)管第四章絕緣柵場效應(yīng)管結(jié)型場效應(yīng)管第四節(jié)場效應(yīng)晶體管簡稱場效應(yīng)管,用FET來表示(FieldEffectTransistor)。一、絕緣柵場效應(yīng)管絕緣柵場效應(yīng)管是一種金屬—
2025-01-19 21:19
【總結(jié)】(Metal-Oxide-SemiconductorFieldEffectTransnsator)場效應(yīng)晶體管(FET)結(jié)型場效應(yīng)晶體管(JFET)金屬-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MESFET)MOS場效應(yīng)晶體管(MOSFET)MOS場效應(yīng)晶體管在微處理器和存儲器方面,MOS集成電路幾
2025-05-07 00:11
【總結(jié)】1微電子技術(shù)基礎(chǔ)雙極型和MOS晶體管信息工程學(xué)院姜梅微電子技術(shù)基礎(chǔ)一、雙極晶體管1.雙極晶體管的結(jié)構(gòu)由兩個(gè)相距很近的PN結(jié)組成:分為:NPN和PNP兩種形式基區(qū)寬度遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于少子擴(kuò)散長度發(fā)射區(qū)收集區(qū)基區(qū)發(fā)射結(jié)收集結(jié)發(fā)射極收集
【總結(jié)】劉開華2022/2/11電子線路基礎(chǔ)2第三章、放大器的頻率特性線性失真及其分析方法單級放大器的頻率響應(yīng)多級放大器的頻率響應(yīng)放大器的階躍響應(yīng)3線性失真分析方法4由于放大電路中存在電抗元件(電容、電感等),所以在放大含有豐富頻率成分的信號(如語音信號、脈沖信號
2025-01-14 20:55
【總結(jié)】微電子器件原理第七章MOS場效應(yīng)晶體管2第七章MOS場效應(yīng)晶體管§基本工作原理和分類§閾值電壓§I-V特性和直流特性曲線§擊穿特性§頻率特性§功率特性和功率MOSFET結(jié)構(gòu)§開關(guān)特性§
2025-05-01 22:36