晶體硅太陽能電池生產(chǎn)線刻蝕工序(編輯修改稿)
2025-05-26 12:07 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 KUTTLER設(shè)備外觀及軟件操作界面 ?主要結(jié)構(gòu)說明： ? 槽體根據(jù)功能不同分為入料段、濕法刻蝕段、水洗段、堿洗段、水洗段、酸洗段、溢流水洗段、吹干槽。所有槽體的功能控制在操作電腦中完成。 ?產(chǎn)品特點： ? 有效減少化學藥品使用量 ? 高擴展性模塊化制程線 ? 擁有完善的過程監(jiān)控系統(tǒng)和可視化操作界面 ? 優(yōu)化流程，降低人員勞動強度 ? 通過高可靠進程降低碎片率 ? 自動補充耗料實現(xiàn)穩(wěn)定過程控制 ?產(chǎn)能： ? 125mm*125mm硅片： 2180片 /小時 ? 156mm*156mm硅片： 1800片 /小時 刻蝕的工藝設(shè)備、操作流程及常用化學品 confidential confidential ?槽體布局及工藝： 操作方向，帶速 上料位 去PSG槽 刻蝕槽 水槽 堿槽 水槽 酸槽 水槽 吹干 下料位 槽號 2槽 3槽 4槽 5槽 6槽 7槽 8槽 溶液 HF HF、 HNO3 NaOH HF、 HNO3 作用 去 PSG 刻蝕、背 面拋光 去多孔硅 去金屬雜質(zhì)、使硅片更易脫水 溫度 常溫 4℃ 常溫 20℃ 常溫 常溫 常溫 ?濕法刻蝕影響因素 ：帶速、溫度、槽液內(nèi)各藥液濃度、外圍抽風、液面高度等。 刻蝕的工藝設(shè)備、操作流程及常用化學品 confidential confidential ? KUTLLER刻蝕設(shè)備特點 ： 先去 PSG，后刻蝕。此種方法優(yōu)點是避免了先刻蝕由于毛細作用，導致PECVD后出現(xiàn)白邊。缺點是由于氣相腐蝕的原因，在刻蝕后方阻會上升。 ? 檢測工藝點： 槽藥液
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