晶體硅太陽能電池生產(chǎn)線刻蝕工序(編輯修改稿)
2025-05-26 12:07 本頁面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 KUTTLER設(shè)備外觀及軟件操作界面 ?主要結(jié)構(gòu)說明： ? 槽體根據(jù)功能不同分為入料段、濕法刻蝕段、水洗段、堿洗段、水洗段、酸洗段、溢流水洗段、吹干槽。所有槽體的功能控制在操作電腦中完成。 ?產(chǎn)品特點(diǎn)： ? 有效減少化學(xué)藥品使用量 ? 高擴(kuò)展性模塊化制程線 ? 擁有完善的過程監(jiān)控系統(tǒng)和可視化操作界面 ? 優(yōu)化流程，降低人員勞動(dòng)強(qiáng)度 ? 通過高可靠進(jìn)程降低碎片率 ? 自動(dòng)補(bǔ)充耗料實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定過程控制 ?產(chǎn)能： ? 125mm*125mm硅片： 2180片 /小時(shí) ? 156mm*156mm硅片： 1800片 /小時(shí) 刻蝕的工藝設(shè)備、操作流程及常用化學(xué)品 confidential confidential ?槽體布局及工藝： 操作方向，帶速 上料位 去PSG槽 刻蝕槽 水槽 堿槽 水槽 酸槽 水槽 吹干 下料位 槽號(hào) 2槽 3槽 4槽 5槽 6槽 7槽 8槽 溶液 HF HF、 HNO3 NaOH HF、 HNO3 作用 去 PSG 刻蝕、背 面拋光 去多孔硅 去金屬雜質(zhì)、使硅片更易脫水 溫度 常溫 4℃ 常溫 20℃ 常溫 常溫 常溫 ?濕法刻蝕影響因素 ：帶速、溫度、槽液內(nèi)各藥液濃度、外圍抽風(fēng)、液面高度等。 刻蝕的工藝設(shè)備、操作流程及常用化學(xué)品 confidential confidential ? KUTLLER刻蝕設(shè)備特點(diǎn) ： 先去 PSG，后刻蝕。此種方法優(yōu)點(diǎn)是避免了先刻蝕由于毛細(xì)作用，導(dǎo)致PECVD后出現(xiàn)白邊。缺點(diǎn)是由于氣相腐蝕的原因，在刻蝕后方阻會(huì)上升。 ? 檢測(cè)工藝點(diǎn)： 槽藥液
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