晶硅太陽能電池工藝簡介(編輯修改稿)
2024-09-12 02:00 本頁面
【文章內容簡介】 的刻蝕速率同時可獲得良好的物理形貌 。濕法腐蝕原理： 在硝酸、氫氟酸 、硫酸 組成的腐蝕液中腐蝕３０秒鐘左右 ，去除硅片背面結及周邊結部分，一般使用的設備為在線式腐蝕設備。等離子刻蝕機去磷硅玻璃硅片在經過等離子體刻蝕后，在前表面尚存在一 層磷硅玻璃層（ PSG層，含 磷的二氧化硅 ）， PSG層具有親水性，易潮解，必須 在 PECVD鍍膜之前去掉 。去 PSG在 HF溶液中進行，反應如下：SiO2+6HF = H2[SiF6]+2H2OP型襯底為什么只有一面消失？等離子刻蝕基本步驟去磷硅玻璃清洗機刻蝕 +去 PSG檢測內容邊緣 PN型（冷熱探針法）外觀 （目測）PECVD鍍膜? PECVD： Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition等離子增強化學 氣相沉積等離子體：氣體在一定條件下受到高能激發(fā)，發(fā)生電離，部分外層電子脫離原子核，形成電子、正離子和中性粒子混合組成的一種形態(tài) ,這種形態(tài)就稱為等離子態(tài)，等離子體從宏觀來也是電中性但是在局部可以為非電中性。PECVD鍍膜 工藝目的P型襯底氮化硅減反層n+ 發(fā)射極? 在擴散后的硅片上形成一層致密的氮化硅（ SiNx）層，進一步降低反射率。? 富 H的氮化硅在經過一定的高溫后（燒結過程）能夠對硅體材料形成很好的鈍化作用。? 阻擋金屬離子和水蒸汽的擴散。? 形成良好的絕緣層。PECVD原理 PECVD技術原理是利用低溫等離子體作能量源，樣品置于低氣壓下輝光放電的陰極上，利用輝光放電使樣品升溫到預定的溫度，然后通入適量的反應氣體，氣體經一系列化學反應和等離子體反應，在樣品表面形成固態(tài)薄膜。 PECVD方法的特點是等離子體中含有大量高能量的電子，它們可以提供化學氣相沉積過程所需的激活能。電子與氣相分子的碰撞可以促進氣體分子的分解、化合、激發(fā)和電離過程，生成活性很高的各種化學基團，能顯著降低薄膜沉積的溫度范圍。 反應方程式：PECVD等離子產生方式：直接式 — 基片位于一個電極上，直接接觸等離子體（低頻放電 10500kHz 或高頻 1 56MHz),在射頻激發(fā)的等離子的腔體內，高速運動的 電子激發(fā)反應氣體 NH3和 SiH4產生等離子，沉積在硅片表面。間接式 — 基片不接觸激發(fā)電極（如 45GHz微波激發(fā)等離子 ),在微波激 發(fā)等離子的設備里，等離子產生在反應腔之外，然后由石英管 導入反應腔中。在這種設備里微波只激發(fā) NH3，而 SiH4直接進 入反應腔。 間接 PECVD的沉積速率比直接的要高很多，這對大規(guī)模生產尤其重要。直接式 PECVD 間接式 PECVD等離子的兩種產生方式比較PECVD設備結構平板式 PECVD設備平板式 PECVD工藝過程管式 PECVD鍍膜設備管式 PECVD工藝控制過程boatheating cassetteplasma generatorCESARloadingmachinegas supplyN2SiH4NH3vacuum pumpscrubber
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