太陽能電池工藝ppt課件(編輯修改稿)
2025-05-30 22:05 本頁面
【文章內容簡介】 等離子刻蝕 與 磷硅玻璃去除 由于擴散后電池的邊緣會有 N型雜質與 P型基底形成 PN結以及擴散的過程中在電池表面形成了一層很厚的磷硅玻璃層（ PSG），因此需要等離子刻蝕將邊緣的 PN結去除，而磷硅玻璃則通過 HF酸短時間浸泡來去除。 等離子體刻蝕原理 等離子體刻蝕是采用高頻輝光放電反應，使反應氣體激 活成活性粒子，如原子或游離基，這些活性粒子擴散到需刻 蝕的部位，在那里與被刻蝕材料進行反應，形成揮發(fā)性生成 物而被去除。它的 優(yōu)勢在于快速的刻蝕速率同時可獲得良好 的物理形貌 。（這是各向同性反應） 這種腐蝕方法也叫做干法腐蝕。 首先，母體分子 CF4在高能量的電子的碰撞作用下分解成多種 中性基團或離子。 其次，這些活性粒子由于擴散或者在電場作用下到達 SiO2表 面，并在表面上發(fā)生化學反應。 生產過程中， CF4中摻入 O2，這樣有利于提高 Si和 SiO2的刻蝕速 率。 它們的離子以及CF,C F ,CF,CFCF 23e4 ? ?? 氫氟酸是無色透明的液體，具有較弱的酸性、易揮發(fā)性和 很強的腐蝕性。但氫氟酸具有一個很重要的特性是它能夠溶解 二氧化硅，因此不能裝在玻璃瓶中。 在半導體生產清洗和腐蝕工藝中，主要就利用氫氟酸的這 一特性來去除硅片表面的二氧化硅層。 氫氟酸能夠溶解二氧化硅是因為氫氟酸能與二氧化硅作用 生成易揮發(fā)的四氟化硅氣體。 O2HS iF4H FS iO 242 ???? 若氫氟酸過量，反應生成的四氟化硅會進一步與氫氟酸反 應生成可溶性的絡和物六氟硅酸。 總反應式為： O2H][ S iFH6H FS iO 2622 ???][S iFH2H FS iF 624 ?? 光在硅片表面的反射損失率高達 35%左右，為減少硅片表面對光的反射，可采用鍍膜的方式以達到減反射的效果。減反射膜不但具有減少光反射的作用，而且對硅片表面還可以起到鈍化和保護作用，從而提高電池的短路電流。 氮化硅薄膜的制備方法很多 : 濺射法，熱分解法， 也可以在 700～ 1000 ℃ 下由常壓化學氣相淀積 (APCVD) 或者在 750 ℃ 左右用低壓化學氣相淀積法 (L PCVD) 制得，但現在工業(yè)上一般使用等離子體增強化學氣相沉積 (PECVD) 來生成氮化硅薄膜。這是因為這種方法淀積溫度低，對多晶硅中少子壽命影響較小，而且生產時能耗較低，淀積速度較快，生產能力高，工藝重復性好，淀積薄膜均勻，薄膜缺陷密度較低。 ? PECVD法 ? 磁控濺射法
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