太陽(yáng)能電池片pecvppt課件(編輯修改稿)
2025-05-25 23:34 本頁(yè)面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 眼睛接觸：應(yīng)立即用水沖洗至少 15分鐘，水流不要太快，同時(shí)翻開眼瞼，立即尋求眼科處理； ? 皮膚接觸：用大量的水清洗至少 15分鐘，脫掉被污染的衣服，如果患者有持續(xù)的刺激感或其他影響需立即進(jìn)行醫(yī)療處理。 ? 吸入：盡快移到空氣清新處，如有必要須進(jìn)行輸氧或人工呼吸。 PECVD的影響因素 ? 1．頻率 ? 射頻 PECVD系統(tǒng)大都采用 50kHz~ MHz的工業(yè)頻段射頻電源。較高頻率（ 4MHz）沉積的氮化硅薄膜具有更好的鈍化效果和穩(wěn)定性。 ? 2．射頻功率 ? 增加 RF功率通常會(huì)改善 SiN膜的質(zhì)量。但是，功率密度不宜過(guò)大，超過(guò) 1W/cm2時(shí)器件會(huì)造成嚴(yán)重的射頻損傷。 ? 3．襯底溫度 ? PECVD膜的沉積溫度一般為 250～ 400℃ 。這樣能保證氮化硅薄膜在 HF中有足夠低的腐蝕速率，并有較低的本征壓力，從而有良好的熱穩(wěn)定性和抗裂能力。低于200℃ 下沉積的氮化硅膜，本征應(yīng)力很大且為張應(yīng)力，而溫度高于 450℃ 時(shí)膜容易龜裂。 PECVD的影響因素 ? 4．氣體流量 ? 影響氮化硅膜沉積速率的主要?dú)怏w是 SiH4。為了防止富硅膜，選擇 NH3/SiH4=2~20（體積比）。氣體總流量直接影響沉積的均勻性。為了防止反應(yīng)區(qū)下游反應(yīng)氣體因耗盡而降低沉積速率，通常采用較大的氣體總流量，以保證沉積的均勻性。 ? 5．反應(yīng)氣體濃度 ? SiH4的百分比濃度及 SiH4/NH3流量比，對(duì)沉積速率、氮化硅膜的組分及物化性質(zhì)均有重大影響。 ? 理想 Si3N4的 Si/N＝ ，而 PECVD沉積的氮化硅的化學(xué)計(jì)量比會(huì)隨工藝不同而變化，但多為富硅膜，可寫成 SiN。因此，必須控制氣體中的 SiH4濃度，不宜過(guò)高，并采用較高的 SiN比。除了 Si和 N外， PECVD的氮化硅一般還包含一定比例的氫原子，即 SixNyHZ或 SiNx :H。 ? 6．反應(yīng)壓力、和反應(yīng)室尺寸等都是影響氮化硅薄膜的性能工藝參數(shù)。 PECVD設(shè)備 PECVD設(shè)備 PECVD設(shè)備 ? 設(shè)備結(jié)構(gòu) ? 晶片裝載區(qū) ? 爐體 ? 特氣柜 ? 真空系統(tǒng) ? 控制系統(tǒng) PECVD設(shè)備結(jié)構(gòu) PECVD晶片裝載區(qū) ? 槳、 LIFT、抽風(fēng)系統(tǒng)、 SLS系統(tǒng)。 ? 槳：由碳化硅材料制成，具有耐高溫、防變形等性能。作用是將石墨舟放入或取出石英管。 ? LIFT：機(jī)械臂系統(tǒng)，使舟在機(jī)械臂作用下在小車、槳、儲(chǔ)存區(qū)之間
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