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正文內(nèi)容

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【正文】 ? 皮膚接觸:用大量的水清洗至少 15分鐘,脫掉被污染的衣服,如果患者有持續(xù)的刺激感或其他影響需立即進(jìn)行醫(yī)療處理。低于200℃ 下沉積的氮化硅膜,本征應(yīng)力很大且為張應(yīng)力,而溫度高于 450℃ 時(shí)膜容易龜裂。除了 Si和 N外, PECVD的氮化硅一般還包含一定比例的氫原子,即 SixNyHZ或 SiNx :H。 ? 冷卻系統(tǒng):是一套封閉的循環(huán)水系統(tǒng),位于加熱系統(tǒng)的金屬外殼,四進(jìn)四出并有一個(gè)主管道,可適量調(diào)節(jié)流量大小。 EH4200是一種大排水量真空泵,這種泵由一個(gè)三相電機(jī)通過液態(tài)流進(jìn)行驅(qū)動(dòng),其允許在較高的壓力下進(jìn)行操作。 壓強(qiáng)達(dá)不到工藝要求 腔體有漏氣 重新開腔擦拭密封圈或更換密封圈、更換或重裝石英管或其管口密封圈,嚴(yán)重時(shí)用氦檢儀做漏氣點(diǎn)檢查并排除異常。 鍍膜顏色不穩(wěn)定 微波反射功率異常,或微波有泄漏 停止工藝,重新安裝微波天線或更換石英管。 ? Alarms:警報(bào)內(nèi)容 ? Help:簡(jiǎn)要的說了一下解除警報(bào)以及其他方面的方法 ? CESAR:控制電腦,每一個(gè)系統(tǒng)都安裝了 CESAR控制電腦及CESAR 控制軟件,此控制電腦獨(dú)立于主電腦系統(tǒng)中。 ? 抽風(fēng)系統(tǒng):位于晶片裝載區(qū)上方,初步的冷卻石墨舟和一定程度的過濾殘余氣體 ? SLS系統(tǒng):軟著落系統(tǒng),控制槳的上下,移動(dòng)范圍在 2— 3厘米 PECVD爐體 ? 石英管、加熱系統(tǒng)、冷卻系統(tǒng) ? 石英管:爐體內(nèi)有四根石英管,是鍍膜的作業(yè)區(qū)域,耐高溫、防反應(yīng)。 ? 理想 Si3N4的 Si/N= ,而 PECVD沉積的氮化硅的化學(xué)計(jì)量比會(huì)隨工藝不同而變化,但多為富硅膜,可寫成 SiN。 ? 3.襯底溫度 ? PECVD膜的沉積溫度一般為 250~ 400℃ 。過度吸入會(huì)引起肺炎和腎病。 ? 皮膚接觸:用大量水沖洗,立即脫掉被污染的衣服,并立即進(jìn)行藥物處理。當(dāng)它在空氣中的濃度超過15%時(shí)有立即造成火災(zāi)及爆炸的危險(xiǎn)。 ? 鈍化降低了發(fā)射結(jié)的表面復(fù)合速率,減小了暗電流,提升了開路電壓,從而提高了光電轉(zhuǎn)換效率;在燒穿工藝中的高溫瞬時(shí)退火斷裂了一些 SiH、 NH鍵,游離出來(lái)的 H進(jìn)一步加強(qiáng)了對(duì)電池的鈍化。減少光的反射,增加電池對(duì)光線的吸收。除了 Si和 N,PECVD的氮化硅一般還包含一定比例的氫原子,即 SixNyHz或 SiNx:H ? Si/N比對(duì) SiNx薄膜性質(zhì)的影響 ? x增加而降低 ? n隨
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