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硅太陽(yáng)能電池工藝流程(存儲(chǔ)版)

  

【正文】 O3和 HF的混合液 ?單晶和多晶硅都適用 ?需要表面有缺陷和損傷 ?可以與 H2O, H3PO4, H2SO4等混合使用 Ascut Alkali Acidic 酸制絨 ? 一般使用 CF4等離子體轟擊表面 ? 優(yōu)點(diǎn) ?低溫,環(huán)境影響小 ?易單面制絨 ?硅片應(yīng)力小 ? 缺點(diǎn) ?成本 ?當(dāng) λ 500 nm時(shí), QE降低 RIE(反應(yīng)離子刻蝕 )制絨 ? 擴(kuò)散方法 ?沉積磷源在硅片表面 ?高溫加熱 ?磷擴(kuò)散到硅基體中 ? 擴(kuò)散過(guò)程需要折衷考慮的因素 ?藍(lán)光響應(yīng)(死層) ?串聯(lián)電阻 ?金屬接觸
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