太陽(yáng)能電池片pecvppt課件-wenkub
2023-05-13 23:34:34 本頁(yè)面
【正文】 ECVD的沉積速率比直接的要高很多，這對(duì)大規(guī)模生產(chǎn)尤其重要。 PECVD對(duì)電性能影響 ? 的利用率，有助于提高光生電流密度，起到提高電流進(jìn)而提高轉(zhuǎn)換效率的作用。除了 Si和 N，PECVD的氮化硅一般還包含一定比例的氫原子，即 SixNyHz或 SiNx:H ? Si/N比對(duì) SiNx薄膜性質(zhì)的影響 ? x增加而降低 ? n隨 x增加而增加 ? PECVD的鈍化作用 ? 由于太陽(yáng)電池級(jí)硅材料中不可避免的含有大量的雜質(zhì)和缺陷，導(dǎo)致硅中少子壽命及擴(kuò)散長(zhǎng)度降低從而影響電池的轉(zhuǎn)換效率。 PECVD的目的 ? 在太陽(yáng)電池表面沉積深藍(lán)色減反膜 SiN膜。減少光的反射，增加電池對(duì)光線的吸收。 ? H的鈍化機(jī)理 : ? 主要原因是 :H能與硅中的缺陷或雜質(zhì)進(jìn)行反應(yīng)，從而將禁帶中的能帶轉(zhuǎn)入價(jià)帶或者導(dǎo)帶。 ? 鈍化降低了發(fā)射結(jié)的表面復(fù)合速率，減小了暗電流，提升了開(kāi)路電壓，從而提高了光電轉(zhuǎn)換效率；在燒穿工藝中的高溫瞬時(shí)退火斷裂了一些 SiH、 NH鍵，游離出來(lái)的 H進(jìn)一步加強(qiáng)了對(duì)電池的鈍化。 PECVD的工藝原理 ? 通入的特氣（硅烷和氨氣）在高溫和微波源的激發(fā)下電離，形成等離子態(tài)，并沉積在硅片的表面。當(dāng)它在空氣中的濃度超過(guò)15%時(shí)有立即造成火災(zāi)及爆炸的危險(xiǎn)。過(guò)度暴露會(huì)影響中樞神經(jīng)系統(tǒng)并會(huì)造成痙攣和失去知覺(jué)。 ? 皮膚接觸：用大量水沖洗，立即脫掉被污染的衣服，并立即進(jìn)行藥物處理。嚴(yán)重時(shí)會(huì)致命。過(guò)度吸入會(huì)引起肺炎和腎病。 PECVD的影響因素 ? 1．頻率 ? 射頻 PECVD系統(tǒng)大都采用 50kHz~ MHz的工業(yè)頻段射頻電源。 ? 3．襯底溫度 ? PECVD膜的沉積溫度一般為 250～ 400℃ 。為了防止富硅膜，選擇 NH3/SiH4=2~20（體積比）。 ? 理想 Si3N4的 Si/N＝ ，而 PECVD沉積的氮化硅的化學(xué)計(jì)量比會(huì)隨工藝不同而變化，但多為富硅膜，可寫(xiě)成 SiN。 PECVD設(shè)備 PECVD設(shè)備 PECVD設(shè)備 ? 設(shè)備結(jié)構(gòu) ? 晶片裝載區(qū) ? 爐體 ? 特氣柜 ? 真空系統(tǒng) ? 控制系統(tǒng) PECVD設(shè)備結(jié)構(gòu) PECVD晶片裝載區(qū) ? 槳、 LIFT、抽風(fēng)系統(tǒng)、 SLS系統(tǒng)。 ? 抽風(fēng)系統(tǒng)：位于晶片裝載區(qū)上方，初步的冷卻石墨舟和一定程度的過(guò)濾殘余氣體 ? SLS系統(tǒng)：軟著落系
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