太陽能電池片pecvppt課件(專業(yè)版)
【正文】 工藝腔 ： 在等離子及真空條件下 ,硅烷與氨氣在 400 ?C時反應生成 Si3N4,覆蓋在硅片表面上 。 ? 槳：由碳化硅材料制成，具有耐高溫、防變形等性能。較高頻率（ 4MHz）沉積的氮化硅薄膜具有更好的鈍化效果和穩(wěn)定性。暴露在 5000ppm下 5分鐘會造成死亡。 PECVD的鈍化作用 ? 鈍化太陽電池的受光面 ? 鈍化膜 (介質 )的主要作用是保護半導體器件表面不受污染物質的影響，半導體表面鈍化可降低半導體表面態(tài)密度。 ? 鈍化太陽電池的體內 ? 在 SiN減反射膜中存在大量的 H，在燒結過程中會鈍化晶體內部懸掛鍵。 ? 緊急救助 ? 眼睛接觸：用大量的水沖洗，立即進行醫(yī)療處理。 ? 2．射頻功率 ? 增加 RF功率通常會改善 SiN膜的質量。作用是將石墨舟放入或取出石英管。 進料腔與出料腔 防止特色氣體溢出 , 增加安全性 . 使電池片體逐漸降低溫度 冷卻水＊６ 石英管＊６ 溫度設置 速度設置 氣壓設置 設置功率 實際功率 反射比率 角閥 氣體流量 冷卻水＊４ PECVD等離子體源簡圖 微波發(fā)生器 真空腔 基片 PECVD電池片檢驗標準 ? 看顏色是否合格（合格的顏色為深藍，藍色，淡藍） ? 色差和水印不超過整體面積的 5% ? 鍍膜后的折射率在 — ，膜厚在 80 177。 加熱腔： 在工藝中起著加熱的作用 。 PECVD設備 PECVD設備 PECVD設備 ? 設備結構 ? 晶片裝載區(qū) ? 爐體 ? 特氣柜 ? 真空系統(tǒng) ? 控制系統(tǒng) PECVD設備結構 PECVD晶片裝載區(qū) ? 槳、 LIFT、抽風系統(tǒng)、 SLS系統(tǒng)。 PECVD的影響因素 ? 1．頻率 ? 射頻 PECVD系統(tǒng)大都采用 50kHz~ MHz的工業(yè)頻段射頻電源。過度暴露會影響中樞神經系統(tǒng)并會造成痙攣和失去知覺。 ? H的鈍化機理 : ? 主要原因是 :H能與硅中的缺陷或雜質進行反應，從而將禁帶中的能帶轉入價帶或者導帶。 PECVD對電性能影響 ? 的利用率，有助于提高光生電流密度，起到提高電流進而提高轉換效率的作用。 ? 吸入：將人員移到空氣清新處，若呼吸困難，則輸氧，并迅速進行醫(yī)務處理。但是，功率密度不宜過大，超過 1W/cm2時器件會造成嚴重
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