太陽能電池片pecvppt課件-展示頁
2025-05-07 23:34本頁面
【正文】 : 是一種刺激性、無色、氣體。 PECVD的工藝原理 ? 通入的特氣（硅烷和氨氣）在高溫和微波源的激發(fā)下電離，形成等離子態(tài)，并沉積在硅片的表面。在這種設備里微波只激發(fā)NH3，而 SiH4直接進入反應腔。 ? 鈍化降低了發(fā)射結的表面復合速率，減小了暗電流，提升了開路電壓，從而提高了光電轉換效率；在燒穿工藝中的高溫瞬時退火斷裂了一些 SiH、 NH鍵，游離出來的 H進一步加強了對電池的鈍化。 ? 鈍化太陽電池的體內(nèi) ? 在 SiN減反射膜中存在大量的 H，在燒結過程中會鈍化晶體內(nèi)部懸掛鍵。 ? H的鈍化機理 : ? 主要原因是 :H能與硅中的缺陷或雜質(zhì)進行反應，從而將禁帶中的能帶轉入價帶或者導帶。但是PECVD沉積氮化硅的化學計量比會隨工藝不同而變化， Si/N變化的范圍在 。減少光的反射，增加電池對光線的吸收。PECVD 部門：電池片部 PECVD的介紹 ? PECVD: ? Plasma Enhance Chemical Vapour Deposition ? 等離子增強化學氣相沉積 ? 等離子體： ? 由于物質(zhì)分子熱運動加劇，相互間的碰撞就會使氣體分子產(chǎn)生電離，這樣物質(zhì)就會變成自由運動并由相互作用的正離子、電子和中性粒子組成的混合物。 PECVD的目的 ? 在太陽電池表面沉積深藍色減反膜 SiN膜。 ? 對電池的正表面進行 H鈍化 ? 對電池正表面進行保護，防止氧化 i n v e r t e d p y r a m i d sf i n g e rp p s i l i c o nnp p o x i d er e a r c o n t a c t o x i d e++p ++n +SiNx:H SiNx:H介紹 ? 正常的 SiNx的 Si/N之比為 ，即 Si3N4。除了 Si和 N，PECVD的氮化硅一般還包含一定比例的氫原子，即 SixNyHz或 SiNx:H ? Si/N比對 SiNx薄膜性質(zhì)的影響 ? x增加而降低 ? n隨 x增加而增加 ? PECVD的鈍化作用 ? 由于太陽電池級硅材料中不可避免的含有大量的雜質(zhì)和缺陷，導致硅中少子壽命及擴散長度降低從而影響電池的轉換效率。 PECVD的鈍化作用 ? 鈍化太陽電池
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