【摘要】實(shí)驗(yàn)五 串聯(lián)型晶體管穩(wěn)壓電路一、實(shí)驗(yàn)?zāi)康?、熟悉Multisim9軟件的使用方法。2、掌握單項(xiàng)橋式整流、電容濾波電路的特性。3、掌握串聯(lián)型晶體管穩(wěn)壓電路指標(biāo)測(cè)試方法二、虛禮實(shí)驗(yàn)儀器及器材雙蹤示波器、信號(hào)發(fā)生器、交流毫伏表、數(shù)字萬(wàn)用表等儀器、晶體三極管3DG6×2(9011×2)、DG12×1(9013×1)、晶體二極管IN400
2025-09-25 18:34
【摘要】微電子器件原理第七章MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管2第七章MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管§基本工作原理和分類§閾值電壓§I-V特性和直流特性曲線§擊穿特性§頻率特性§功率特性和功率MOSFET結(jié)構(gòu)§開(kāi)關(guān)特性§
2025-05-01 22:36
【摘要】雙端MOS結(jié)構(gòu)1、MOS結(jié)構(gòu)及其場(chǎng)效應(yīng)2、半導(dǎo)體的耗盡及反型3、平衡能帶關(guān)系4、柵壓-平帶電壓和閾值電壓5、電容(C-V)特性MOS-V+a.MOS結(jié)構(gòu)b.電場(chǎng)效應(yīng)1、雙端MOS結(jié)構(gòu)及其場(chǎng)效應(yīng)-V+_______
2025-05-10 19:00
【摘要】模擬電子技術(shù)1-2等效電路法思路:將非線性的BJT等效成一個(gè)線性電路條件:交流小信號(hào),工作在合適的Q點(diǎn)附近++++i-ube+-ubTce+ci++++bucei+-+ibecu-二端口網(wǎng)絡(luò)直流分析用“靜態(tài)分
2025-01-19 21:57
【摘要】第十四講頻率響應(yīng)概述與晶體管的高頻等效電路第十四講頻率響應(yīng)概述與晶體管的高頻等效電路一、頻率響應(yīng)的基本概念二、放大電路的頻率參數(shù)三、晶體管的高頻等效電路四、場(chǎng)效應(yīng)管的高頻等效電路一、頻率響應(yīng)的基本概念1.研究的問(wèn)題:放大電路對(duì)信號(hào)頻率的適應(yīng)程度,即信號(hào)頻率對(duì)放大倍數(shù)的影響。
2025-08-23 08:22
【摘要】晶體管單級(jí)放大器設(shè)計(jì)學(xué)習(xí)目的?掌握晶體管放大器靜態(tài)工作點(diǎn)的設(shè)置與調(diào)整方法?放大器基本性能指標(biāo)的測(cè)試方法?負(fù)反饋對(duì)放大器性能的影響?放大器的安裝與調(diào)試技術(shù)。一、電路工作原理及基本關(guān)系式圖阻容耦合共射極放大器CB++I(xiàn)1-RB2RB1IB
2025-01-08 15:08
【摘要】晶體管放大倍數(shù)β檢測(cè)電路的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)實(shí)驗(yàn)報(bào)告班級(jí):****姓名:****學(xué)號(hào):****班內(nèi)序號(hào):****【摘要】晶體管是工程上常見(jiàn)的一種元器件,放大倍數(shù)為其基本參數(shù)。為了檢測(cè)出不同晶體管的放大倍數(shù)的粗略值,本實(shí)驗(yàn)利用集成運(yùn)放和發(fā)光二極管,將晶體管的放大倍數(shù)分成若干個(gè)檔位進(jìn)行測(cè)量。利用本實(shí)驗(yàn)的電路,可以成功實(shí)現(xiàn)對(duì)晶體管類型的判斷,對(duì)晶體管放
2025-08-01 21:37
【摘要】半導(dǎo)體器件原理南京大學(xué)Chapter8.FET的補(bǔ)充分析CMOS器件設(shè)計(jì)與性能參數(shù)二、CMOS性能參數(shù)集成度、開(kāi)關(guān)速度和功率消耗是VLSI的主要參數(shù),主要關(guān)注影響開(kāi)關(guān)速度的若干因數(shù)?;綜MOS電路元件寄生單元(電阻與電容)CMOS延遲對(duì)器件參數(shù)的依賴先進(jìn)CMOS器件的
2025-05-03 08:13
【摘要】MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管MOSFieldEffectTransistorMetal-Oxide-SemiconductorFieldEffectTransistorMOS管的結(jié)構(gòu)、工作原理和輸出特性MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)基本工作原理和輸出特性MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的分類MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的閾值電壓M
2025-01-14 04:31
【摘要】1功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管是20世紀(jì)70年代中后期開(kāi)發(fā)的新型功率半導(dǎo)體器件,通常又叫絕緣柵功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管,簡(jiǎn)稱為PMOSFET,用字母PM表示。功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管已發(fā)展了多種結(jié)構(gòu)型式,本節(jié)主要介紹目前使用最多的單極VDMOS、N溝道增強(qiáng)型PM,2G(柵極)S(源極)D
2025-05-08 00:18
【摘要】微電子元器件與項(xiàng)目訓(xùn)練授課教師:余菲第4章MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管教師:余菲電子郵件:
【摘要】摘要隨著社會(huì)的發(fā)展,在日常生產(chǎn)生活中我們用到直流電源的地方也越來(lái)越廣泛!而能夠?qū)⒔涣麟娔苻D(zhuǎn)換為直流電能的整流電路的主要電力電子器件是半控型的晶閘管,與其對(duì)應(yīng)的主要變換電路是相控整流電路。相控整流電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、控制方便、性能穩(wěn)定,是目前獲得直流電能的主要方法,得到了廣泛的應(yīng)用。關(guān)鍵詞直流電源;整流電路;單結(jié)晶體;晶閘管;同步觸發(fā);全控整流電路
2025-05-16 02:25
【摘要】單結(jié)晶體管觸發(fā)的單相晶閘管全控整流電路湖南工學(xué)院電力電子技術(shù)課程設(shè)計(jì)課題名稱:?jiǎn)谓Y(jié)晶體管觸發(fā)的單相晶閘管全控整流電路系別:電氣與信息工程系專業(yè)班級(jí):電氣0505班姓名:胡功偉學(xué)號(hào):401050517指導(dǎo)教師:肖文英老師同組人員:胡功偉魯浪吳海平馬泓龍劉小軍設(shè)計(jì)時(shí)間:2007年6月前言電力電子技術(shù)無(wú)
2025-06-24 03:42
【摘要】晶體三極管知識(shí)晶體三極管作為重要的半導(dǎo)體器件,其基本結(jié)構(gòu)和工作原理需要掌握。下面具體介紹。三極管的基本結(jié)構(gòu)是兩個(gè)反向連結(jié)的pn接面,如圖1所示,可有pnp和npn兩種組合。三個(gè)接出來(lái)的端點(diǎn)依序稱為射極(emitter,E)、基極(base,B)和集極(collector,C),名稱來(lái)源和它們?cè)谌龢O管操作時(shí)的功能有關(guān)。圖中也顯示出npn與pnp三極管的
2025-06-24 12:36
【摘要】XJ4810晶體管特性圖示儀說(shuō)明書(shū)晶體管測(cè)量?jī)x器是以通用電子測(cè)量?jī)x器為技術(shù)基礎(chǔ),以半導(dǎo)體器件為測(cè)量對(duì)象的電子儀器。用它可以測(cè)試晶體三極管(NPN型和PNP型)的共發(fā)射極、共基極電路的輸入特性、輸出特性;測(cè)試各種反向飽和電流和擊穿電壓,還可以測(cè)量場(chǎng)效管、穩(wěn)壓管、二極管、單結(jié)晶體管、可控硅等器件的各種參數(shù)。下面以XJ4810型晶體特性圖示儀為例介紹晶體管圖示儀的使用方法。圖
2025-03-25 03:39