【摘要】場(chǎng)效應(yīng)晶體管場(chǎng)效應(yīng)管的特點(diǎn)結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管第四章絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管第四節(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管簡稱場(chǎng)效應(yīng)管,用FET來表示(FieldEffectTransistor)。一、絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管是一種金屬—
2025-01-19 21:19
【摘要】晶體管單級(jí)放大器設(shè)計(jì)學(xué)習(xí)目的?掌握晶體管放大器靜態(tài)工作點(diǎn)的設(shè)置與調(diào)整方法?放大器基本性能指標(biāo)的測(cè)試方法?負(fù)反饋對(duì)放大器性能的影響?放大器的安裝與調(diào)試技術(shù)。一、電路工作原理及基本關(guān)系式圖阻容耦合共射極放大器CB++I(xiàn)1-RB2RB1IB
2025-01-08 15:08
【摘要】封面返回貴州·興義·馬嶺河大峽谷引言雙極型半導(dǎo)體三極管(亦稱為晶體管)一般有三個(gè)電極(即三個(gè)引出腳),按工作性質(zhì)亦分為高、低頻晶體三極管;大功率、中功率和小功率晶體三極管;用作信號(hào)放大用的三極管和用做開關(guān)的三極管。按材料分有鍺半導(dǎo)體三極管和硅半導(dǎo)體三極管,由于硅三極管工作穩(wěn)定性較好,所以現(xiàn)在大部分三極管都是
2025-03-11 10:46
【摘要】微電子元器件與項(xiàng)目訓(xùn)練授課教師:余菲第4章MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管教師:余菲電子郵件:
2025-05-10 19:00
【摘要】晶體管規(guī)則陣列設(shè)計(jì)技術(shù)VLSIC是高度復(fù)雜的集成系統(tǒng),為保證設(shè)計(jì)的正確性并且降低設(shè)計(jì)難度,提高設(shè)計(jì)效率,避免由于在版圖設(shè)計(jì)過程中采用復(fù)雜結(jié)構(gòu)而引入不可靠因素,因此,在VLSI的設(shè)計(jì)技術(shù)中大量地采用規(guī)則結(jié)構(gòu),晶體管規(guī)則陣列設(shè)計(jì)技術(shù)就是其中之一。在這個(gè)結(jié)構(gòu)中的基本單元就是MOS晶體管或CMOS晶體管對(duì)。晶體管陣列及其邏輯
2025-02-06 11:27
【摘要】1第二章雙極型晶體管的直流特性晶體管分類:?結(jié)型晶體管又稱雙極型晶體管(BipolarJunctionTransistor-BJT)?場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FieldEffectTransistor-FET)又稱單極型晶體管(U
2025-04-29 04:53
【摘要】(Metal-Oxide-SemiconductorFieldEffectTransnsator)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(JFET)金屬-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MESFET)MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管在微處理器和存儲(chǔ)器方面,MOS集成電路幾
2025-05-07 00:11
【摘要】1微電子技術(shù)基礎(chǔ)雙極型和MOS晶體管信息工程學(xué)院姜梅微電子技術(shù)基礎(chǔ)一、雙極晶體管1.雙極晶體管的結(jié)構(gòu)由兩個(gè)相距很近的PN結(jié)組成:分為:NPN和PNP兩種形式基區(qū)寬度遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于少子擴(kuò)散長度發(fā)射區(qū)收集區(qū)基區(qū)發(fā)射結(jié)收集結(jié)發(fā)射極收集
2025-01-14 10:46
【摘要】劉開華2022/2/11電子線路基礎(chǔ)2第三章、放大器的頻率特性線性失真及其分析方法單級(jí)放大器的頻率響應(yīng)多級(jí)放大器的頻率響應(yīng)放大器的階躍響應(yīng)3線性失真分析方法4由于放大電路中存在電抗元件(電容、電感等),所以在放大含有豐富頻率成分的信號(hào)(如語音信號(hào)、脈沖信號(hào)
2025-01-14 20:55
【摘要】2022/8/311晶體管參數(shù)培訓(xùn)資料2022/8/312主要內(nèi)容一、芯片介紹:二、芯片制程簡介:三、芯片參數(shù)介紹:四、晶體管參數(shù)詳解:2022/8/313一、芯片介紹:目前芯片主要有以下幾類:1.二極管芯片;2.三極管芯片;3.可控硅芯片;2022/8/314
2025-08-16 01:05
【摘要】實(shí)驗(yàn)二晶體管共射極單管放大器一、實(shí)驗(yàn)?zāi)康?.學(xué)會(huì)放大器靜態(tài)工作點(diǎn)的調(diào)式方法和測(cè)量方法。2.掌握放大器電壓放大倍數(shù)的測(cè)試方法及放大器參數(shù)對(duì)放大倍數(shù)的影響。3.熟悉常用電子儀器及模擬電路實(shí)驗(yàn)設(shè)備的使用。二、實(shí)驗(yàn)原理圖2—1為電阻分壓式工作點(diǎn)穩(wěn)定單管放大器實(shí)驗(yàn)電路圖。偏置電阻RB1、RB2組成分壓電路,并在發(fā)射極中接有電阻RE,以穩(wěn)定放大器的靜態(tài)工作點(diǎn)。當(dāng)在放大
2025-07-20 19:38
【摘要】實(shí)驗(yàn)十??晶體管共射極單管放大器?一、實(shí)驗(yàn)?zāi)康摹 ?、學(xué)會(huì)放大器靜態(tài)工作點(diǎn)的調(diào)試方法,分析靜態(tài)工作點(diǎn)對(duì)放大器性能的影響?! ?、掌握放大器電壓放大倍數(shù)、輸入電阻、輸出電阻及最大不失真輸出電壓的測(cè)試方法。????3、熟悉常用電子儀器及模擬電路實(shí)驗(yàn)設(shè)備的使用。二、實(shí)驗(yàn)原理圖10-1為電阻分壓式工作
2025-08-04 17:28
【摘要】場(chǎng)效應(yīng)晶體管有二種結(jié)構(gòu)形式:又分增強(qiáng)型和耗盡型二類只有耗盡型第4章MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管場(chǎng)效應(yīng)晶體管在集成電路中被廣泛使用,絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)分為增強(qiáng)型和耗盡型兩大類,每類中又有N溝道和P溝道之分。場(chǎng)效應(yīng)晶體
2025-07-26 05:31
【摘要】MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管MOSFieldEffectTransistorMetal-Oxide-SemiconductorFieldEffectTransistorMOS管的結(jié)構(gòu)、工作原理和輸出特性MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)基本工作原理和輸出特性MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的分類MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的閾值電壓M
2025-01-14 04:31
【摘要】無錫晶體管廠凈化空調(diào)設(shè)計(jì)畢業(yè)論文目 錄中文摘要.....................................................I英文摘要....................................................Ⅱ緒論...................................................
2025-06-28 19:46