雙極型晶體管知識(shí)講座(存儲(chǔ)版)
【正文】 CC IC =ICN+ICBO? ICN + － + ICN 由于基區(qū)空穴的復(fù)合作用 ,集電區(qū)收集的電子數(shù)會(huì)比發(fā)射區(qū)擴(kuò)散的電子數(shù)要小一些 , 即集電極電流 IC比發(fā)射極電流 IE要小一些。要使三極管有放大作用 ,必須與一些阻容元件按一定的方式連接成電路 ,稱為放大電路 。 三極管的放大作用實(shí)際上 是使微小的信號(hào) (如微小變化的電壓、微小變化的電流）轉(zhuǎn)換成較大變化的信號(hào)。 共射電路輸入特性曲線 共射電路輸出特性曲線 雙極型晶體管 (BJT) IB IC IE VBE /V IB /?A 0 VCE VBE 輸入特性曲線的作法 VCE=常數(shù) IB=f(VBE )| 此式的意義是：令三極管 ce間電壓 VCE保持不變，研究 be 間電流 IBE 隨電壓 VBE的變化規(guī)律 . VCE=0V時(shí)的輸入特性曲線。 三、晶體管的特性曲線 (1)輸入特性 (2)輸出特性曲線 輸出特性曲線的意義、畫法動(dòng)畫顯示 (2)輸出特性 VBB VCC + － + － c e b 輸出特性曲線的作法 IB=常數(shù) 繼續(xù) 本頁完 輸出特性曲線就是研究三極管 ce之間集電極電流I C隨 ce間電壓VCE的變化規(guī)律 。 輸出特性曲線的作法 IB=常數(shù) 此式的意義是：令三極管 be間電流 IB保持不變，研究 ce間電流 IC 隨電壓 VCE的變化規(guī)律 . I C=f(VCE )| 當(dāng) VCE 增至 一定數(shù)值時(shí) (一般小于 1V ) 輸出特性曲線變得 較為平坦段 ,表明 IC基本不隨 VCE而變化。 (1)共發(fā)射極截止頻率fhfe 繼續(xù) 共發(fā)射極截止頻率 fhfe : 設(shè)三極管在低頻時(shí)的共射電流放大倍數(shù)為 hfe0 (此時(shí)為最大值 ) , 當(dāng)工作頻率升高至使三極管的 hfe下降至 時(shí)所對(duì)應(yīng)的工作頻率，稱為共發(fā)射極截止頻率 fhfe 。 |hfe0| 四、半導(dǎo)體三極管的主要參數(shù) (2)共基極截止頻率 fhfb (2)共基極截止頻率fhfb 繼續(xù) 同理 ,共基極截止頻率 fhfb : 設(shè)三極管在低頻時(shí)的共基電流放大倍數(shù)為 hfb0(此時(shí)為最大值 ) , 當(dāng)工作頻率升高至使三極管的 hfb下降至 時(shí)所對(duì)應(yīng)的工作頻率，稱為共基極截止頻率 fhfb 。 四、半導(dǎo)體三極管的主要參數(shù) (2)共基極截止頻率 fhfb (3)特征頻率 fT 繼續(xù) 當(dāng)共射極電流放大倍數(shù) hfe 下降到等于 1 時(shí)所對(duì)應(yīng)的頻率，稱為特征頻率 fT 。 V(BR)CEO 繼續(xù) 本頁完 + － 晶體管工作在放大狀態(tài)時(shí)發(fā)基極處于正向偏置(電壓較小 ), ③集基間的反向擊穿電壓 V(BR)CBO + － + － 集發(fā)處于反偏 (電壓較大 ), 所以集基間是處于反偏狀態(tài)的。 晶體管工作安全區(qū) (結(jié)束頁 ) 很顯然 ,由 ICM 、 V(BR)CEO 和PCM三條曲線所包圍的區(qū)域才是晶體管工作的安全區(qū) . 在此區(qū)域內(nèi)晶體管的三個(gè)參數(shù)都不超出其極限參數(shù)。 即 PCM≥ iC vCE 晶體管在使用過程中集電結(jié)的功率 PC PCM = iC vCE ,則晶體管是安全的 ,若超過此值晶體管就可能會(huì)損壞。 雙極型晶體管 (BJT) 極限參數(shù) ICM、 VBR 、 PCM (2)反向擊穿電壓 V(BR) ①集發(fā)間的反向擊穿電壓 V(BR)CEO ② V(BR)EBO V(BR)EBO 是指集電極開路時(shí)發(fā)射極與基極間的反向擊穿電 壓 . 使用中若超過此值 ,晶體管的發(fā)電結(jié)就可能會(huì)擊穿。 如在電視機(jī)的第一級(jí)與天線相連的高頻接收器（俗稱高頻頭）中，基本上都使用共基極電路。 繼續(xù) 返回 VBB VCC IB IC IE + － + － c e b VCE VBE 再讀出這兩條曲線對(duì)應(yīng)的集電極電流之差。 IB1 IB2 共射電路輸出特性曲線作法演示 重復(fù)此過程可繪出一組輸出特性曲線 共射電路輸出特性曲線 雙極型晶體管 (BJT) VBB VCC IB IC IE + － + － c e b VCE VBE 輸出特性曲線的作法 IB=常數(shù) 此式的意義是：令三極管 be間電流 IB保持不變，研究 ce間電流 IC 隨電壓 VCE的變化規(guī)律 . I C=f(VCE )| 根據(jù) 記錄 可繪出IC隨 VCE 變化的另一根輸出特性曲線。 三、晶體管的特性曲線 (1)輸入特性 (1)輸入特性曲線 : vCE1V時(shí) VBB VCC + － + － c e b 繼續(xù) 本頁完 1V 共射電路輸入特性曲線 共射電路輸出特性曲線 雙極型晶體管 (BJT) IB IC IE VBE /V IB /?A 0 VCE VBE 輸入特性曲線的作法 VCE=常數(shù) IB=f(VBE )| 此式的意義是：令三極管 ce間電壓 VCE保持不變，研究 be 間電流 IBE 隨電壓 VBE的變化規(guī)律 . 當(dāng) VCE 超過 1V后輸入 特性 曲線基本與 VCE =1V的曲線重合。 VCE VBE 共射電路輸入特性曲線 共射電路輸出特性曲線 雙極型晶體管 (BJT) (1)輸入特性曲線 :輸入特性的意義 輸入特性曲線就是研究三極管 be之間輸入電流 IB隨輸入電壓 VBE的變化規(guī)律 。最基本的放大電路是共射極放大電路。 PN結(jié)電壓連接的一般特性 晶體管的放大作用 雙極型晶體管 (BJT) (1)共射電路的組成 繼續(xù) 本頁完 ?vi VBB VCC RL 1K + － + － c e b 輸入與輸出回路共用發(fā)射極，所以稱為共發(fā)射極放大電路。 晶體管的電流分配 晶體管的放大作用 雙極型晶體管 (BJT) 集極電流的形成 二、晶體管的電流分配與放大作用 N N P 空穴 電子 e c b IB IE IC ICBO IEN IEP IBN 電流方向 繼續(xù) 本頁完 集電極電流 IC:集電極電流主要由集電結(jié)收集從發(fā)射區(qū)擴(kuò)散至基區(qū)的電子而成 (ICN)。 : 很顯然 ， 三極管有兩個(gè) PN結(jié)，發(fā)射區(qū)與基區(qū)間的稱為發(fā)射結(jié)，集電區(qū)與基區(qū)間的叫集電結(jié)。馬嶺河大峽谷 引言 雙極型 半導(dǎo)體三極管（亦稱為晶體管）一般有三個(gè)電極（即三個(gè)引出腳），按工作性質(zhì)亦分為高、低頻晶體三極管；大功率、中功率和小功率晶體三極管；用作信號(hào)放大用的三極管和用做開關(guān)的三極管。 大功率低頻三極管
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