場效應(yīng)晶體管(存儲版)
【正文】 Transistor) 兩個 P+區(qū)中間的 N型半導(dǎo)體，在加上正向 uDS電壓時就有電流流過，故稱為 N溝道。 IDSS 2 4 6 8 10 12 14 16 1 2 3 4 5 6 0 uGS=0V 2 3 1 uDS(V) iD(mA) 4 1 2 3 4 特性曲線 第四節(jié) 三、場效應(yīng)管的特點 場效應(yīng)管與雙極型晶體管相比： （１） 場效應(yīng)管中 ，導(dǎo)電過程是多數(shù)載流子的漂移運動，故稱為單極型晶體管； 雙極型晶體管 中既有多子的擴散運動又有少子的漂移運動。 （ 6） 場效應(yīng)管 可作為壓控電阻使用。它的主要參數(shù)有 gm、 UT或 UP、 IDSS、 IDM、 U(BR)DS、 PDM和極間電容。 二極管加正向電壓時，產(chǎn)生擴散電流，電流和電壓成指數(shù)關(guān)系；加反向電壓時，產(chǎn)生漂移電流，其數(shù)值很小；體現(xiàn)出單向?qū)щ娦浴? 晶體管有截止、放大、飽和三個工作區(qū)域，學(xué)習(xí)時應(yīng)特別注意使管子在不同工作區(qū)的外部條件。 第四章 。此時，可將iC看作為電流 iB控制的電流源。 半導(dǎo)體有兩種載流子：自由電子和空穴。 第四節(jié) 本 節(jié) 要 點 1. N溝道增強型 MOS管 場效應(yīng)管是利用柵 源極外加電壓 uGS產(chǎn)生的電場效應(yīng)來改變導(dǎo)電通道的寬窄，從而控制漏 源極間電流 iD的大小，可將 iD看作由電壓 uGS控制的電流源。在同等條件下，場效應(yīng)管的放大能力不如晶體管高。 第四節(jié) UPuGS≤0 漏源級間加正向電壓 uDS再增大，夾斷區(qū)向下發(fā)展。 第四節(jié) （ 1）夾斷電壓 UP 是指導(dǎo)電溝道完全夾斷時所需的柵源電壓。 第四節(jié) DSDDM uiP ??DMI2 4 6 8 10 12 14 16 0 uGS=7V 5 4 6 uDS(V) iD(mA) 3 （四） N溝道耗盡型 MOS管 VDD N N s g d b P iD N溝道 結(jié)構(gòu)示意圖 SiO2絕緣層中摻入大量的正離子。 （ 2）極間電容： 柵、源極間電容 Cgs和柵、漏極間電容Cgd，它影響高頻性能的交流參數(shù)，應(yīng)越小越好。 預(yù)夾斷軌跡方程為： TGSGDGSDSTDSGSGDUuuuuUuuu?????????第四節(jié) 轉(zhuǎn)移特性是指 uDS為固定值時， iD與 uGS之間的關(guān)系，即 常數(shù)DSGSD )( ?? uufi2 4 6 8 10 12 14 16 1 2 3 4 5 6 0 uGS=6V 4 3 5 uDS(V) iD(mA) uGS(V) iD(mA) 0 uDS=10V 1 2 3 4 5 6 當(dāng) FET工作在恒流區(qū)，不同 uDS的轉(zhuǎn)移特性曲線基本接近。 VGG VDD s d b g iD P N N uGDUT uGD=UT uGDUT 第四節(jié) 耗盡區(qū) N溝道 當(dāng) uDS增大到使 uGD =UT時，在靠近漏極處，溝道開始消失，稱為預(yù)夾斷。漏源極之間存在兩個背向PN結(jié)，其中一個為反向偏置，只能流過很小的反向飽和電流，iD≈0。場效應(yīng)晶體管 場效應(yīng)管的特點 結(jié)型場效應(yīng)管 絕緣柵場效應(yīng)管 第四章 絕緣柵場效應(yīng)管 結(jié)型場效應(yīng)管 第四節(jié) 場效應(yīng)晶體管簡稱場效應(yīng)管，用 FE
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