場(chǎng)效應(yīng)管放大電路ppt課件(存儲(chǔ)版)
【正文】 Ri≈Rg3+(Rg1//Rg2) () VA?2022年 2月 9日星期三 第四章 81 ?(3)輸出電阻 ? 令 Vs＝ 0，保留其內(nèi)阻 Rs，將 RL 開路，在輸出端加一測(cè)試電壓 VT，由此可畫出求共漏電路輸出電阻 Ro的電路，如圖 。 2022年 2月 9日星期三 第四章 72 2022年 2月 9日星期三 第四章 73 2．應(yīng)用小信號(hào)模型法分析 FET放大電路 ?如圖 ，為 FET共源放大電路。 ?解：根據(jù)式 ()和式 ()有 2022年 2月 9日星期三 第四章 64 ????? ???????????V].[)(mA.V])([)(mA.DgsgsDDgsgsDivviivvi24015024720 001847115022－＝＝或－＝＝2022年 2月 9日星期三 第四章 65 ?將上式中 vGS的表達(dá)式代人 iD的表達(dá)式，得 iD ＝ (1+— 2 iD )2 ?解出 iD =( )mA，而 IDSS=， iD 不應(yīng)大于 IDSS，所以 iD ＝ IDQ＝ ， vGS ＝ VGSQ＝ — 2iD＝一 ， vDS＝ VDSQ=VDD一 ID(Rd十 R) ＝ 。 ?增強(qiáng)型 FET只有柵源電壓先達(dá)到某個(gè)開啟電壓 VT時(shí)才有漏極電流 ID，因此這類管子不能用于圖 。如 圖 。 2022年 2月 9日星期三 第四章 42 2022年 2月 9日星期三 第四章 43 2022年 2月 9日星期三 第四章 44 ? 2. 工作原理 (如圖 ) ? a. vGS=0時(shí)，無導(dǎo)電溝道 (如圖 )。 )..(GSDDSd 514 Vivr???2022年 2月 9日星期三 第四章 38 ? (8)最大耗散功率 PDM ? JFET的耗散功率等于 vDS和 iD的乘積，即PDM ＝ vDSiD ，這些耗散在管子中的功率將變?yōu)闊崮埽构茏拥臏囟壬摺? 2022年 2月 9日星期三 第四章 33 ? (4)最大柵源電壓 V(BR)GS ? V(BR)GS 是指輸入 PN結(jié)反向電流開始急劇增加時(shí)的 vGS值 。從物理意義上來說，這時(shí)相當(dāng) 于圖 ，達(dá)到全夾斷狀態(tài)。 ?① Ⅰ 區(qū)為可變電阻區(qū)，此區(qū)， iD受 vGS的控制。因此，改變柵源電壓vGS可得一族曲線，如圖 。當(dāng)兩耗盡層在 A點(diǎn)相遇時(shí) (圖 )，稱為預(yù)夾斷，此時(shí)， A點(diǎn)耗盡層兩邊的電位差用夾斷電壓VP來描述。 PV［轉(zhuǎn) 13］ 2022年 2月 9日星期三 第四章 12 2022年 2月 9日星期三 第四章 13 ? 上述分析表明：改變 vGS的大小，可以有效的控制溝道電阻 (寬度 )的大小。 ? N溝道 JFET 工作時(shí)， vGS0，使兩 PNJ反偏，柵流 iG≈0， FET呈 現(xiàn)高達(dá) 107Ω以上的高輸入電阻。2022年 2月 9日星期三 第四章 1 4 場(chǎng)效應(yīng)管放大電路 引 言 2022年 2月 9日星期三 第四章 2 ?場(chǎng)效應(yīng)管 (FET)的特點(diǎn)： 體積小、重量輕、耗電省、壽命長(zhǎng)；輸入阻抗高、噪聲低、熱穩(wěn)性好、抗輻射能力強(qiáng)、制造工藝簡(jiǎn)單。 2022年 2月 9日星期三 第四章 5 2022年 2月 9日星期三 第四章 6 2022年 2月 9日星期三 第四章 7 2022年 2月 9日星期三 第四章 8 2. 工作原理 ? 以 N溝道 JFET為例，分析 JFET的工作原理。 ?此時(shí)漏源極間的電阻將趨于無窮大，相應(yīng)的柵源電壓稱為夾斷電壓 VP（也有的用 vGS（ off） 表示的）。 ［轉(zhuǎn) 19］ 2022年 2月 9日星期三 第四章 18 ［轉(zhuǎn) 19］ 2022年 2月 9日星期三 第四章 19 ? c. 當(dāng) vDS繼續(xù)增加，使漏柵間的電位差加大，靠近漏端電位差最大，耗盡層也最寬。 2022年 2月 9日星期三 第四章 22 ?如果 FET柵源極之間接一可調(diào)負(fù)電源，由于柵源電壓愈負(fù)，耗盡層愈寬，溝道電阻就愈大，相應(yīng)的 iD就愈小。 2022年 2月 9日星期三 第四章 26 ? JFET的特性曲線 ? 1. 輸出特性 ?如圖 (b)所示。但實(shí)際測(cè)試時(shí)， 通常令 vDS 為某一固定值 (例如 10V)，使 iD等于一個(gè)微小的電流 (例如 50μA)時(shí)，柵源之間所加的電壓稱為夾斷電壓。由于加到 PN結(jié)上的反向偏壓與 vGS 有關(guān)，因此 vGS 愈負(fù)， V(BR)DS越小。在
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