場效應(yīng)晶體管ppt課件(存儲版)
【正文】 圖 2 表面電荷減少(3)、形成耗盡層（繼續(xù)增大正電壓） 圖 3 形成耗盡層耗盡層 （高阻區(qū)）(4)、形成反型層（電壓超過一定值 VT） 圖 4 形成反型層反型層 表面場效應(yīng)形成反型層（ MOS電容結(jié)構(gòu)） 反型層是以電子為載流子的 N型薄層 ,就在 N+型源區(qū)和 N+型漏區(qū)間形成通道稱為溝道。對應(yīng)于直流伏安特性中的截止區(qū)。 ，單位面積柵電容越大，閾值電壓將越小，柵氧化層厚度應(yīng)綜合考慮 一般通過改變襯底摻雜濃度調(diào)整器件的閾值電壓 MOS晶體管類別 按載流子類型分： NMOS: 也稱為 N溝道，載流子為電子。 MOSFET是多子器件，沒有少數(shù)載流子復(fù)合和存儲，因此器件速度較高。 (2)硅柵結(jié)構(gòu) – 多晶硅柵還可以做互連線 ,有利于減小集成電路芯片面積 ,提高集成度 。 由于溝道和襯底之間構(gòu)成 PN結(jié) .為保證只在溝道中有電流流過 ,使用時必然使源區(qū) ,漏區(qū) ,以及溝道區(qū)與襯底之間的 PN結(jié)處于反偏 .這樣在同一襯底上形成的多個 MOS管之間具有自動隔離的效果。 VS為功函數(shù)的影響， QSS為氧化層固定電荷密度，COX為單位面積柵氧化層電容（ MOS電容） 21)2(2 FFFBT VV ?g? ???OXSSSFB CQVV ?? MOS管的電壓 OXiox TC?? 0?為襯底摻雜濃度為費米電勢 s u bN )(Fis u bFnNInqkT?? ?oxs u brCqN 210 )2( ??gg?為體效應(yīng)系數(shù) 2 閾值電壓和襯底電壓的關(guān)系 3閾值電壓和溝道尺寸的關(guān)系 – 隨 L的減小而減小，隨 W的增大而增大。所以，將以 VGSVT取代線性區(qū)電流公式中的 VDS得到飽和區(qū)的電流 —電壓表達式： 溝道夾斷 溝道長度調(diào)制效應(yīng) MOS的電流電壓特性 （ 3）截止區(qū)： VGSVT ≤0 IDS=0 IDS 輸出特性曲線 VDS 0 線性區(qū) 飽和區(qū) | VG5| |VG4| |VG3| |VG2| |VG1| VGSVT0 VDS =VGSVT
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