【摘要】任務(wù)11組裝晶體管收音機(jī)任務(wù)描述晶體管收音機(jī)屬于小家電產(chǎn)品中的音響視聽(tīng)設(shè)備,“麻雀雖小,五臟俱全”,它的組成電路幾乎包括了模擬電路的所有電路,主要有直流電源的退藕濾波;高頻電路的混頻、振蕩、變頻、選頻、耦合、負(fù)反饋、檢波及放大等;低頻電路的電壓放大、功率放大、耦合及負(fù)反饋等。本任務(wù)就是按照電子工藝的要求來(lái)設(shè)計(jì)和制作晶體管收音機(jī)。n
2025-02-06 01:14
【摘要】Tektronix572型晶體管特性圖示儀Tektronix572型晶體管特性圖示儀陰極射線管電源開(kāi)關(guān)集電極電源垂直部分顯示方式水平部分基極階梯信號(hào)測(cè)試臺(tái)部分集電極電源(COLLECTORSUPPLY)?極性選擇(POL/INV)按鈕:選擇集電極電壓正或負(fù)極性的。彈出為正,
2025-07-17 17:28
【摘要】?晶體管的熱學(xué)性質(zhì)?晶體管的二次擊穿和安全工作區(qū)?晶體管的開(kāi)關(guān)特性?高頻晶體管的設(shè)計(jì)考慮晶體管的熱學(xué)性質(zhì)?晶體管參數(shù)與溫度的關(guān)系?結(jié)溫與熱阻?熱穩(wěn)定性條件?器件版圖結(jié)構(gòu)?反向截止電流與溫度的關(guān)系212CBOCBOdIEgI
2024-10-18 16:06
【摘要】半導(dǎo)體器件物理第四章晶體管的頻率特性和功率特性半導(dǎo)體器件物理晶體管的頻率特性與功率特性第4章晶體管的頻率特性高頻等效電路高頻功率增益和最高振蕩頻率晶體管的大電流特性晶體管的最大耗散功率PCm和熱阻RT功率晶體管的二次擊穿和安全工作區(qū)高頻大功率晶體管的圖形結(jié)構(gòu)
2025-05-09 00:30
【摘要】電子電路綜合設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn)實(shí)驗(yàn)三晶體管放大倍數(shù)β檢測(cè)電路的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)實(shí)驗(yàn)報(bào)告信息與通信工程學(xué)院摘要:簡(jiǎn)易晶體管放大倍數(shù)β檢測(cè)電路由三極管類(lèi)型判別電路,三極管放大倍數(shù)檔位判別電路,顯示電路,報(bào)警電路和電源電路五部分構(gòu)成。三極管有電流放大功能,當(dāng)放大后的電流大小不同時(shí),三極管的集電極電壓也不同。一般
2025-08-16 17:52
【摘要】無(wú)錫晶體管廠凈化空調(diào)設(shè)計(jì)畢業(yè)論文目 錄中文摘要.....................................................I英文摘要....................................................Ⅱ緒論...................................................
2025-06-28 19:46
【摘要】封面西藏·圣湖瑪旁雍錯(cuò)湖畔牧場(chǎng)返回引言本頁(yè)完引言晶體管在高頻小信號(hào)運(yùn)用時(shí),它的等效電路主要有兩種形式:形式等效電路和物理模擬等效電路(混合π參數(shù)等效電路)。返回形式等效電路通常亦稱(chēng)為y參數(shù)等效電路,是選取輸入電壓和輸出電壓為自變量,輸入電流和輸出電流為參變量,阻
2025-05-13 00:49
【摘要】學(xué)生電子設(shè)計(jì)講座晶體管放大電路與簡(jiǎn)單有線電報(bào)系統(tǒng)制作一:晶體管放大電路一、設(shè)計(jì)要求1、輸入信號(hào)(麥克風(fēng)或信號(hào)發(fā)生器)2、輸出信號(hào)(驅(qū)動(dòng)耳機(jī))3、無(wú)明顯失真限晶體管放大用晶體管設(shè)計(jì)功放小信號(hào)放大功率放大晶體管放大電路一、設(shè)計(jì)要求限晶體管放大用晶體
2025-05-12 19:05
【摘要】課程設(shè)計(jì)題目:電子技術(shù)課程設(shè)計(jì)學(xué)生姓名學(xué)號(hào):院系名稱(chēng):電氣與信息工程學(xué)院專(zhuān)業(yè)班級(jí):指導(dǎo)教師:職稱(chēng):講師
2025-05-18 09:31
【摘要】半導(dǎo)體器件原理南京大學(xué)Chapter8.FET的補(bǔ)充分析CMOS器件設(shè)計(jì)與性能參數(shù)二、CMOS性能參數(shù)集成度、開(kāi)關(guān)速度和功率消耗是VLSI的主要參數(shù),主要關(guān)注影響開(kāi)關(guān)速度的若干因數(shù)。基本CMOS電路元件寄生單元(電阻與電容)CMOS延遲對(duì)器件參數(shù)的依賴(lài)先進(jìn)CMOS器件的
2025-05-03 08:13
【摘要】§雙極型晶體三極管BJT雙極型三極管:BipolarJunctionTransistor只有一種極性的載流子參與導(dǎo)電.三極管有兩種極性的載流子參與導(dǎo)電.單極型三極管(場(chǎng)效應(yīng)管):FieldEffectTransistor按工作頻率分:高頻管、低頻管按功率分:小、中、大功率管按材料分:硅管、
2025-01-19 12:11
【摘要】MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管MOSFieldEffectTransistorMetal-Oxide-SemiconductorFieldEffectTransistorMOS管的結(jié)構(gòu)、工作原理和輸出特性MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)基本工作原理和輸出特性MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的分類(lèi)MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的閾值電壓MOS管閾值電壓的定義
2025-08-04 22:40
【摘要】五邑大學(xué)電子技術(shù)課程設(shè)計(jì)報(bào)告題目:二級(jí)晶體管放大電路院系機(jī)電工程學(xué)院專(zhuān)業(yè)機(jī)械工程及其自動(dòng)化學(xué)號(hào)AP100學(xué)生姓名
2025-01-13 14:25
【摘要】五邑大學(xué)電子技術(shù)課程設(shè)計(jì)報(bào)告題目:二級(jí)晶體管放大電路院系機(jī)電工程學(xué)院專(zhuān)業(yè)機(jī)械工程及其自動(dòng)化學(xué)號(hào)AP100學(xué)生姓
2025-06-04 09:25
【摘要】常用晶體管三極管資料大全2006-11-2晶體管型號(hào)反壓Vbe0電流Icm功率Pcm放大系數(shù)特征頻率管子類(lèi)型2SA1012Y60V5A25W**PNP2SC752G40V**NPN2SA1013R160V1A**PNP2SA933S50V**PNP
2024-08-31 20:47