【摘要】第6章雙極型晶體管?晶體管概述?晶體管基本結(jié)構(gòu)從基本結(jié)構(gòu)來(lái)看,晶體管由兩個(gè)十分靠近的,分別稱(chēng)為發(fā)射結(jié)和集電結(jié)的P-N結(jié)組成。兩個(gè)P-N結(jié)將晶體管劃分為三個(gè)區(qū):發(fā)射區(qū)、基區(qū)和集電區(qū)。由三個(gè)區(qū)引出的電極分別稱(chēng)為發(fā)射極、基極和集電極,用符號(hào)E、B、C(e、b、c)表示。晶體管的基本形式可分為PNP型和NPN型兩種。
2025-05-06 18:03
【摘要】雙極型晶體管雙極型三極管BJT結(jié)構(gòu)PNebcNebc集電區(qū)N發(fā)射區(qū)N基區(qū)Pebc集電結(jié)發(fā)射結(jié)集電極發(fā)射極基極PebNPcPNP電路符號(hào)bPNeNcNPN電路符號(hào)第二章
2025-11-28 23:52
【摘要】南京信息職業(yè)技術(shù)學(xué)院畢業(yè)設(shè)計(jì)(論文)說(shuō)明書(shū)作者 學(xué)號(hào)系部 電子信息學(xué)院專(zhuān)業(yè) 無(wú)線(xiàn)電(微波技術(shù)與器件)題目晶體管運(yùn)算放大器的設(shè)計(jì)
2025-06-24 19:55
【摘要】HIT基礎(chǔ)電子技術(shù)電子教案雙極型半導(dǎo)體晶體管雙極型晶體管的工作原理雙極型晶體管的結(jié)構(gòu)雙極型晶體管的電流分配關(guān)系晶體管的電流放大系數(shù)晶體管的特性曲線(xiàn)晶體管的參數(shù)
2025-05-12 23:17
【摘要】半導(dǎo)體器件物理第四章晶體管的頻率特性和功率特性半導(dǎo)體器件物理晶體管的頻率特性與功率特性第4章晶體管的頻率特性高頻等效電路高頻功率增益和最高振蕩頻率晶體管的大電流特性晶體管的最大耗散功率PCm和熱阻RT功率晶體管的二次擊穿和安全工作區(qū)高頻大功率晶體管的圖形結(jié)構(gòu)
2025-05-09 00:30
【摘要】復(fù)習(xí):1、光敏電阻的結(jié)構(gòu)與原理2、光敏電阻的應(yīng)用新授:光敏晶體管及其應(yīng)用光敏晶體管及其應(yīng)用光敏二極管v1.光敏二極管的結(jié)構(gòu)及原理v2.光敏二極管的主要特性(1)伏安特性(2)光譜特性v3.光敏二極管的主要參數(shù)(1)光電流IL
2025-08-17 05:02
【摘要】場(chǎng)效應(yīng)晶體管場(chǎng)效應(yīng)管的特點(diǎn)結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管第四章絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管第四節(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管簡(jiǎn)稱(chēng)場(chǎng)效應(yīng)管,用FET來(lái)表示(FieldEffectTransistor)。一、絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管是一種金屬—
2025-01-19 21:19
【摘要】(Metal-Oxide-SemiconductorFieldEffectTransnsator)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(JFET)金屬-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MESFET)MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管在微處理器和存儲(chǔ)器方面,MOS集成電路幾
2025-05-07 00:11
【摘要】1微電子技術(shù)基礎(chǔ)雙極型和MOS晶體管信息工程學(xué)院姜梅微電子技術(shù)基礎(chǔ)一、雙極晶體管1.雙極晶體管的結(jié)構(gòu)由兩個(gè)相距很近的PN結(jié)組成:分為:NPN和PNP兩種形式基區(qū)寬度遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于少子擴(kuò)散長(zhǎng)度發(fā)射區(qū)收集區(qū)基區(qū)發(fā)射結(jié)收集結(jié)發(fā)射極收集
2025-01-14 10:46
【摘要】劉開(kāi)華2022/2/11電子線(xiàn)路基礎(chǔ)2第三章、放大器的頻率特性線(xiàn)性失真及其分析方法單級(jí)放大器的頻率響應(yīng)多級(jí)放大器的頻率響應(yīng)放大器的階躍響應(yīng)3線(xiàn)性失真分析方法4由于放大電路中存在電抗元件(電容、電感等),所以在放大含有豐富頻率成分的信號(hào)(如語(yǔ)音信號(hào)、脈沖信號(hào)
2025-01-14 20:55
【摘要】實(shí)驗(yàn)五 串聯(lián)型晶體管穩(wěn)壓電路一、實(shí)驗(yàn)?zāi)康?、熟悉Multisim9軟件的使用方法。2、掌握單項(xiàng)橋式整流、電容濾波電路的特性。3、掌握串聯(lián)型晶體管穩(wěn)壓電路指標(biāo)測(cè)試方法二、虛禮實(shí)驗(yàn)儀器及器材雙蹤示波器、信號(hào)發(fā)生器、交流毫伏表、數(shù)字萬(wàn)用表等儀器、晶體三極管3DG6×2(9011×2)、DG12×1(9013×1)、晶體二極管IN400
2025-09-25 18:34
【摘要】第十四講頻率響應(yīng)概述與晶體管的高頻等效電路第十四講頻率響應(yīng)概述與晶體管的高頻等效電路一、頻率響應(yīng)的基本概念二、放大電路的頻率參數(shù)三、晶體管的高頻等效電路四、場(chǎng)效應(yīng)管的高頻等效電路一、頻率響應(yīng)的基本概念1.研究的問(wèn)題:放大電路對(duì)信號(hào)頻率的適應(yīng)程度,即信號(hào)頻率對(duì)放大倍數(shù)的影響。
2025-08-23 08:22
【摘要】微電子器件原理第七章MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管2第七章MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管§基本工作原理和分類(lèi)§閾值電壓§I-V特性和直流特性曲線(xiàn)§擊穿特性§頻率特性§功率特性和功率MOSFET結(jié)構(gòu)§開(kāi)關(guān)特性§
2025-05-01 22:36
【摘要】雙端MOS結(jié)構(gòu)1、MOS結(jié)構(gòu)及其場(chǎng)效應(yīng)2、半導(dǎo)體的耗盡及反型3、平衡能帶關(guān)系4、柵壓-平帶電壓和閾值電壓5、電容(C-V)特性MOS-V+a.MOS結(jié)構(gòu)b.電場(chǎng)效應(yīng)1、雙端MOS結(jié)構(gòu)及其場(chǎng)效應(yīng)-V+_______
2025-05-10 19:00
【摘要】晶體管放大倍數(shù)β檢測(cè)電路的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)實(shí)驗(yàn)報(bào)告班級(jí):****姓名:****學(xué)號(hào):****班內(nèi)序號(hào):****【摘要】晶體管是工程上常見(jiàn)的一種元器件,放大倍數(shù)為其基本參數(shù)。為了檢測(cè)出不同晶體管的放大倍數(shù)的粗略值,本實(shí)驗(yàn)利用集成運(yùn)放和發(fā)光二極管,將晶體管的放大倍數(shù)分成若干個(gè)檔位進(jìn)行測(cè)量。利用本實(shí)驗(yàn)的電路,可以成功實(shí)現(xiàn)對(duì)晶體管類(lèi)型的判斷,對(duì)晶體管放
2025-07-15 12:20