雙極和mos晶體管ppt課件(存儲(chǔ)版)
【正文】 ； 當(dāng) VDS為常數(shù)時(shí)， VGS ??ID ?，表現(xiàn)出一種壓控電阻的特性。 條件： VGS VGS(th) V DS VGS – VGS(th) 考慮到溝道長(zhǎng)度調(diào)制效應(yīng) ， 輸出特性曲線隨 VDS 的增加略有上翹 。 MOS 管保護(hù)措施： 分立的 MOS 管： 各極引線短接、烙鐵外殼接地。 微電子技術(shù)基礎(chǔ) 場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù) 開啟電壓 VGS(th) (或 VT) 開啟電壓是 MOS增強(qiáng)型管的參數(shù)，柵源電壓小于開啟電壓的絕對(duì)值 , 場(chǎng)效應(yīng)管不能導(dǎo)通。 低頻跨導(dǎo) gm DSDmVGSigv???? ?2 n G S TNK V V??2()D n G S TNi K v V??以 MOS管為例 微電子技術(shù)基礎(chǔ) BJT與 FET的比較 雙極型三極管 場(chǎng)效應(yīng)三極管 結(jié)構(gòu) NPN型， PNP型 C與 E不可倒置使用 結(jié)型耗盡型： N溝道 P溝道 絕緣柵增強(qiáng)型： N溝道 P溝道 絕緣柵耗盡型： N溝道 P溝道 D與 S可倒置使用 載流子 多子、少子均參與導(dǎo)電 多子參與導(dǎo)電 輸入量 電流輸入 電壓輸入 控制 電流控制電流 電壓控制電流 。 PMOS管的優(yōu)點(diǎn)是工藝簡(jiǎn)單，制作方便；缺點(diǎn)是外加直流偏置為負(fù)電源，難與別的管子制作的電路接口。 ? VDS?? 溝道 l ? ? 對(duì)于 l 較小的 MOS 管 ? 穿通擊穿。 DSG S ( t h )GSOXn )( VVVlWC ?? ?微電子技術(shù)基礎(chǔ) ? 飽和區(qū) 特點(diǎn)： ID 只受 VGS 控制，而與 VDS 近似無關(guān)，表現(xiàn)出類似三極管的正向受控作用。 ID/mA VDS /V O VDS = VGS – VGS(th) VGS = 5 V V 4 V V VDS = 5 V ID/mA VGS /V O 1 2 3 4 5 轉(zhuǎn)移特性曲線中 ， ID = 0 時(shí)對(duì)應(yīng)的 VGS 值 ， 即開啟電壓 VGS(th) 。 0＜ VGS＜ VTN時(shí)， SiO2中產(chǎn)生一垂直于表面的電場(chǎng)， P型表面上感應(yīng)出現(xiàn)許多電子，但電子數(shù)量有限 ,不能形成溝道。1 微電子技術(shù)基礎(chǔ) 雙極型和 MOS晶體管 信息工程學(xué)院 姜梅 微電子技術(shù)基礎(chǔ) 一、雙極晶體管 1. 雙極晶體管的結(jié)構(gòu) 由兩個(gè)相距 很近 的 PN結(jié)組成： 分為： NPN和 PNP兩種形式 基區(qū)寬度遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于少子擴(kuò)散長(zhǎng)度 發(fā)射區(qū) 收集區(qū) 基區(qū) 發(fā)射結(jié) 收集結(jié) 發(fā)射極 收集極 基極 微電子技術(shù)基礎(chǔ) NPN晶體管的電流輸運(yùn) NPN晶體管的電流轉(zhuǎn)換 電子流 空穴流 c b onc IXII
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