雙極和mos晶體管ppt課件(存儲版)
【正文】 ； 當 VDS為常數時， VGS ??ID ?，表現出一種壓控電阻的特性。 條件： VGS VGS(th) V DS VGS – VGS(th) 考慮到溝道長度調制效應 ， 輸出特性曲線隨 VDS 的增加略有上翹 。 MOS 管保護措施： 分立的 MOS 管： 各極引線短接、烙鐵外殼接地。 微電子技術基礎 場效應管參數 開啟電壓 VGS(th) (或 VT) 開啟電壓是 MOS增強型管的參數，柵源電壓小于開啟電壓的絕對值 , 場效應管不能導通。 低頻跨導 gm DSDmVGSigv???? ?2 n G S TNK V V??2()D n G S TNi K v V??以 MOS管為例 微電子技術基礎 BJT與 FET的比較 雙極型三極管 場效應三極管 結構 NPN型， PNP型 C與 E不可倒置使用 結型耗盡型： N溝道 P溝道 絕緣柵增強型： N溝道 P溝道 絕緣柵耗盡型： N溝道 P溝道 D與 S可倒置使用 載流子 多子、少子均參與導電 多子參與導電 輸入量 電流輸入 電壓輸入 控制 電流控制電流 電壓控制電流 。 PMOS管的優(yōu)點是工藝簡單，制作方便；缺點是外加直流偏置為負電源，難與別的管子制作的電路接口。 ? VDS?? 溝道 l ? ? 對于 l 較小的 MOS 管 ? 穿通擊穿。 DSG S ( t h )GSOXn )( VVVlWC ?? ?微電子技術基礎 ? 飽和區(qū) 特點： ID 只受 VGS 控制，而與 VDS 近似無關，表現出類似三極管的正向受控作用。 ID/mA VDS /V O VDS = VGS – VGS(th) VGS = 5 V V 4 V V VDS = 5 V ID/mA VGS /V O 1 2 3 4 5 轉移特性曲線中 ， ID = 0 時對應的 VGS 值 ， 即開啟電壓 VGS(th) 。 0＜ VGS＜ VTN時， SiO2中產生一垂直于表面的電場， P型表面上感應出現許多電子，但電子數量有限 ,不能形成溝道。1 微電子技術基礎 雙極型和 MOS晶體管 信息工程學院 姜梅 微電子技術基礎 一、雙極晶體管 1. 雙極晶體管的結構 由兩個相距 很近 的 PN結組成： 分為： NPN和 PNP兩種形式 基區(qū)寬度遠遠小于少子擴散長度 發(fā)射區(qū) 收集區(qū) 基區(qū) 發(fā)射結 收集結 發(fā)射極 收集極 基極 微電子技術基礎 NPN晶體管的電流輸運 NPN晶體管的電流轉換 電子流 空穴流 c b onc IXII
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